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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201210203689.9有效
发明人：刘家助;陈桂顺;江木吉;吴燿光;吴璧雰;林焕哲;陆晓慈;黄惠琪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括：设置在第一器件区中的第一器件，该第一器件包括第一栅极结构、在该第一栅极结构的侧壁上形成的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件；以及设置在第二器件区中的第二器件，该第二器件包括第二栅极结构、在该第二栅极结构的侧壁上形成的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件。该半导体器件还包括设置在第一和第二栅极间隔件上的接触蚀刻终止层(CESL)以及设置在第一和第二源极和漏极部件上的互连结构。该互连结构与第一和第二源极和漏极部件电接触并且与CESL相接触。本发明提供了半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]光敏层的图案化方法-CN200810168204.0有效
发明人： 陆晓慈;陈桂顺;吴小真;张尚文;刘家助 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：一种图案化光敏层的方法包括：提供一个其上形成有第一层的衬底，利用阳离子处理包括所述第一层的衬底，在所述第一层上形成第一光敏层，图案化所述第一光敏层以形成第一图案，利用阳离子处理所述第一图案，在所述已处理第一图案上形成第二光敏层，图案化所述第二光敏层以形成第二图案，以及使用所述第一图案与所述第二图案作为掩膜处理所述第一层。
光敏图案方法

[发明专利]制作光刻胶图案的工艺-CN200710166661.1无效
发明人：林进祥;陆晓慈;陈桂顺;张庆裕;张尚文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-11-01 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明有关于一种在半导体元件上形成光刻胶图案的工艺。其中集成电路的图案化工艺，包括：提供一基底层；形成一缓冲层于该基底层之上；形成一光刻胶层于该缓冲层之上；诱导一反应于该缓冲层的一区域，使得该区域具有可移除性；以及以一显影剂移除该缓冲层的该区域及该区域上的该光刻胶层的一对应部位。本发明还公开了一种图案化一基材的工艺和在半导体元件层上显影图案的工艺。本发明降低了图案化的光刻胶层开口处的光刻胶足部及(或)残余物，从而更加适于实用。
制作光刻图案工艺

[发明专利]半导体晶片的热处理方法-CN200710002096.5有效
发明人： 陆晓慈;林本坚;林进祥;陈桂顺;高蔡胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-01-18 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶片的热处理方法，包括：在半导体晶片的第一面上形成第一材料层；在该第一材料层上及该半导体晶片的第二面上形成第二材料层；对该半导体晶片实施快速退火工序。
半导体晶片热处理方法

[发明专利]用于半导体微影制程的系统与方法-CN200610149997.2有效
发明人：陈桂顺;林进祥;高蔡胜;陈俊光;陆晓慈;梁辅杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明是有关于一种用于半导体制程的光微影方法，包含提供一基材当作一晶圆，以及提供一光罩来曝光此晶圆。此晶圆是使用一种组合高角度照明方法及焦点漂移曝光方式来进行曝光。利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效应，并增加焦点深度。
用于半导体微影制程系统方法

[发明专利]半导体制造的系统与方法-CN200610066572.5有效
发明人： 陆晓慈;林进祥;吴华书;林嘉祥;陈桂顺 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明是有关于一半导体制造的系统与方法，包含由一第一遮罩层与一邻近层形成一有图案的叠对标的。此叠对标的以辐射线照射。因此，反射的光线可由其图案和邻近层所侦测出来，且此图案的位置可经由反射光线而确认。本发明更包括一半导体制程的叠对标的量测系统。此量测系统至少包括一产生器以及一侦测器，此产生器是以辐射线照射一叠对标的；此侦测器是用以侦测叠对标的反射光线。
半导体制造系统方法

[发明专利]半导体元件的多层内介电层及其制造方法-CN200610001667.9有效
发明人：张正宏;陆晓慈;傅竹韵;张文;郑双铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-01-20 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明为提供一种半导体元件的多层内介电层及其制造方法，具体涉及一种增进插塞模组表现的方法，其是包含通过降低内介电层的表面差异度来改善所制得的插塞模组表现，其对制造电性插塞上将产生较佳的表现。此内介电层是包含多层，第一层(610)是保护基底上元件免于受其后续蚀刻制程的损害，同时，一第二层(620)是覆盖于此第一层之上。由于基底上元件的轮廓表面差异，则借第三层(630)用以填充间隙。第四层(640)的厚度可使内介电层达到预期的厚度且通过一种可制得一非常平坦的内层的方法以完成此内介电层。此种多介电层的运用无须使用化学机械研磨制程即可消除内连线层中的轮廓表面差异(填充间隙与平坦化突起处)。
半导体元件多层内介电层及其制造方法

[发明专利]半导体制程中的微影系统及其方法和用于其中的光罩-CN200610003267.1有效
发明人：严永松;陈桂顺;徐嘉穗;张郁娴;陆晓慈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-02-08 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体制程中的微影系统及其方法和用于其中的光罩。该在半导体制程中的微影方法，包括下列步骤：提供一种具有第一及第二聚焦面的光罩，其中该第一及第二聚焦面不同；使用该光罩以在一晶圆上进行第一曝光，以形成一第一影像，其中第一聚焦面是在第一曝光期间聚焦于晶圆；以及使用光罩以在晶圆上进行第二曝光，以形成一第二影像，其中第二聚焦面是在第二曝光期间聚焦于晶圆。本案揭示的一种在半导体制程中的微影方法，包括提供一种用于一晶圆的具有第一及第二聚焦面的光罩。该晶圆包含对应的第一及第二晶圆区。在使用第一聚焦面的第一曝光期间，第一晶圆区接收一第一影像，在使用第二聚焦面的第二曝光期间，该第二晶圆区接收二第二影像。
半导体中的系统及其方法用于