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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]先进退火工艺中减少颗粒的设备和方法-CN201710619013.0有效
发明人： 阿米科姆·萨德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的实施方式大体涉及使用薄膜除去孔构件的污染物的热处理半导体基板的设备和方法。孔构件设置在能量源和待处理的基板之间。薄膜可为对选定形式的能量(诸如来自在一段所需时间内在一个或更多个适当波长下发出辐射的激光的电磁能脉冲)实质上透明的薄的膜。在一个实施方式中，薄膜安装在离孔构件预定距离处并覆盖在孔构件上形成的图案开口(即孔)，使得可能落在孔构件上的任何颗粒污染物将会落在薄膜上。薄膜保持颗粒污染物在最终能量场的焦点外，从而防止颗粒污染物在处理的基板上成像。
先进退火工艺减少颗粒设备方法

[发明专利]扫描脉冲退火装置及方法-CN201580035113.8有效
发明人：阿伦·缪尔·亨特;阿米科姆·萨德;塞缪尔·C·豪厄尔斯;道格拉斯·E·霍姆格伦;布鲁斯·E·亚当斯;西奥多·P·莫菲特;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种用于热处理基板的装置、系统及方法。脉冲电磁能量源能以至少100Hz的频率产生脉冲。可移动基板支撑件可相对于电磁能量脉冲移动基板。光学系统可设置在能量源和可移动基板支撑件之间，且可包含将电磁能量脉冲塑形成矩形分布的部件。控制器可命令所述电磁能量源以选定的脉冲频率产生能量脉冲。所述控制器也可命令所述可移动基板支撑件以选定的速度在平行于所述矩形分布的选定的边缘的方向上进行扫描，使得沿着平行于所述选定的边缘的直线上的每个点接收预定数量的电磁能量脉冲。
扫描脉冲退火装置方法

[发明专利]扫描脉冲退火装置及方法-CN201710606365.2在审
发明人：阿伦·缪尔·亨特;阿米科姆·萨德;塞缪尔·C·豪厄尔斯;道格拉斯·E·霍姆格伦;布鲁斯·E·亚当斯;西奥多·P·莫菲特;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种用于热处理基板的装置、系统及方法。脉冲电磁能量源能以至少100Hz的频率产生脉冲。可移动基板支撑件可相对于电磁能量脉冲移动基板。光学系统可设置在能量源和可移动基板支撑件之间，且可包含将电磁能量脉冲塑形成矩形分布的部件。控制器可命令所述电磁能量源以选定的脉冲频率产生能量脉冲。所述控制器也可命令所述可移动基板支撑件以选定的速度在平行于所述矩形分布的选定的边缘的方向上进行扫描，使得沿着平行于所述选定的边缘的直线上的每个点接收预定数量的电磁能量脉冲。
扫描脉冲退火装置方法

[发明专利]热处理辐射的孔洞控制-CN201380032053.5有效
发明人： 阿米科姆·萨德;斯蒂芬·莫法特;布鲁斯·E·亚当斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本文描述一种用于处理基板的装置。装置可包括辐射源及孔洞，所述孔洞经定位以接收来自辐射源的辐射能。孔洞可包括一或更多构件及一或更多干涉区域，其中干涉区域环绕透射区域。一或更多结构可影响穿过孔洞的透射区域的部分的辐射能的透射。安置于孔洞上的结构可减少或重定向透射，以提供穿过孔洞的辐射能的更均匀的整体透射。
热处理辐射孔洞控制

[发明专利]用于先进通道器件的半导体栅极堆叠层的原子层外延-CN201580036817.7在审
发明人：斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑;阿伦·缪尔·亨特;马蒂亚斯·鲍尔;阿米科姆·萨德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供用于在基板上形成外延层的方法及装置。将基板暴露于脉冲激光辐射以清洁、退火，和/或活化基板的表面。然后在自限制沉积工艺中将基板暴露于沉积前驱物。可再次将基板暴露于脉冲激光辐射，然后在第二自限制沉积工艺中将基板暴露于第二沉积前驱物。可按需重复工艺以每次一个原子层的方式形成品质极高的外延层。
用于先进通道器件半导体栅极堆叠原子外延

[发明专利]先进退火工艺中减少颗粒的设备和方法-CN201380012265.7在审
发明人： 阿米科姆·萨德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明的实施方式大体涉及使用薄膜除去孔构件的污染物的热处理半导体基板的设备和方法。孔构件设置在能量源和待处理的基板之间。薄膜可为对选定形式的能量(诸如来自在一段所需时间内在一个或更多个适当波长下发出辐射的激光的电磁能脉冲)实质上透明的薄的膜。在一个实施方式中，薄膜安装在离孔构件预定距离处并覆盖在孔构件上形成的图案开口(即孔)，使得可能落在孔构件上的任何颗粒污染物将会落在薄膜上。薄膜保持颗粒污染物在最终能量场的焦点外，从而防止颗粒污染物在处理的基板上成像。
先进退火工艺减少颗粒设备方法

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