专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种表面减反自清洁结构的制备方法-CN201610840117.X有效
  • 王简;梁光胜;唐悦;燕富超;闫永恒 - 华北电力大学
  • 2016-09-21 - 2019-03-08 - C03C15/00
  • 本发明公开了一种表面减反自清洁结构的制备方法,所述减反自清洁表面结构制备方法包括表面电子束刻蚀和渗入侵蚀;所述表面电子束刻蚀是通过电子束轰击铈玻璃表面,在铈玻璃表面进行纳米级网格划分,每个网格为一个方形柱状凸体,径向尺寸在50‑100nm;所述渗入侵蚀是通过配置侵蚀液,对电子束刻蚀后的方形柱状凸体的根部进行进一步腐蚀,生成T型纳米凸体结构;所述侵蚀液主要包括氢氟酸、双氧水、水。本发明的表面减反自清洁结构具有纳米T型空间结构,入射光在纳米T型结构中多次折射后增加了透过光的比例,实现增透;表面的纳米空隙结构,具有疏水特性、可实现自清洁功能。
  • 一种表面清洁结构制备方法
  • [实用新型]两相流空泡分布二级管阵列传感器结构-CN201621320054.7有效
  • 龚锦华;闫永恒;孙瑶;陈俊安 - 华北电力大学
  • 2016-12-05 - 2017-06-09 - G01N21/17
  • 本实用新型涉及一种两相流空泡分布二级管阵列传感器结构,包括基座组件、发光二极管及光电二极管。基座组件的上表面周向均布偶数个凹槽,发光二极管嵌设于凹槽中,光电二极管设置于相邻的凹槽之间的上边界平台上,发光二极管、光电二极管均与外接导线电性连接。本实用新型中发光二极管与光电二极管间隔排列形成一种非接触测量的方式。通过检测流体的光学特性的变化获得测量数据,同时不会改变流体本身参数,能避免环境噪声、气流等因素的干扰。本实用新型两相流空泡分布二级管阵列传感器结构中,采用的发光二极管、光电二极管耗电低、价格低廉、性价比高,且结构简单、使用灵活,具有广泛的应用前景。
  • 两相空泡分布二级阵列传感器结构

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