“钟玉煌”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果22个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种改善GaN厚膜生长缩径效应的正多边形基板及生长方法-CN202310740649.6在审
发明人：蒲小东;张海涛;方国栋;王素素;庞博;钟玉煌 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及第三代半导体GaN自支撑衬底材料制备技术领域，且公开了一种改善GaN厚膜生长缩径效应的正多边形基板及生长方法，包括生长基座，所述生长基座的顶部设置有多边形凸起，生长基座的顶部通过放置有钝化盖环和正多边形基板。本发明技术方案大幅改善生长厚度达5mm以上因缩径效应导致的生长面尺寸缩小从而得不到大尺寸晶锭的弊端，有效的将之前晶锭生长缩径角度从60度，提升至70‑80度，且边缘无多晶副产物产生，极小的缩径状况影响下可将生长厚度提升至8mm以上，且上表面(Ga面)的有效尺寸还能达到50.8mm直径，生长面有效拓宽后的高质量GaN晶锭通过后道切磨抛工艺可获得更多片及更大尺寸的GaN单晶自支撑衬底，有较大的成本缩减效应。
一种改善 gan 生长效应正多边形方法

[实用新型]一种GaN基激光器外延结构-CN202320156850.5有效
发明人： 钟玉煌;潘华;张海涛 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN基激光器外延结构，该外延结构包括由下到上依次层叠的GaN衬底、第一N型发光层、P型欧姆接触层、第二N型发光层和电子供给层。与现有技术相比，本实用新型可以通过NPN结构层实现双向发光层，减少内损耗，从而提升激光器的激光功率，获得高光效的GaN激光器件。
一种 gan 激光器外延结构

[发明专利]一种用于大尺寸氮化镓单晶生长的外延结构及其制备方法-CN202310469813.4在审
发明人： 钟玉煌;张海涛;潘华;伍和军 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于大尺寸氮化镓单晶生长的外延结构，该外延结构包括依次层叠的蓝宝石衬底，ScAlMgO4溅射层，缓冲层，GaN 3D岛状生长层，GaN 2D层状生长层和HT‑GaN生长层。与现有技术相比，采用本发明的外延结构可实现4英寸以上大尺寸氮化镓单晶的低成本量产，以及大尺寸氮化镓单晶片与蓝宝石衬底的自剥离。
一种用于尺寸氮化镓单晶生长外延结构及其制备方法

[发明专利]一种GaN基激光器外延结构-CN202310083229.5在审
发明人： 钟玉煌;潘华;张海涛 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基激光器外延结构，该外延结构包括由下到上依次层叠的GaN衬底、第一N型发光层、P型欧姆接触层、第二N型发光层和电子供给层。与现有技术相比，本发明可以通过NPN结构层实现双向发光层，减少内损耗，从而提升激光器的激光功率，获得高光效的GaN激光器件。
一种 gan 激光器外延结构

[发明专利]一种基于ScAlMgO4-CN202310090268.8在审
发明人： 钟玉煌;张海涛;刘良宏;潘华 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ScAlMgO4衬底的GaN外延结构，该外延结构包括依次层叠的ScAlMgO4衬底，缓冲层，GaN 3D岛状生长层，GaN 2D层状生长层和HT‑GaN生长层，其特点在于：在GaN 2D层状生长层和HT‑GaN生长层之间具有GaN 3D粗糙/GaN 2D恢复超晶格生长层和AlN插入层，AlN插入层与HT‑GaN生长层接触。与改进前相比，本发明改进后的GaN外延结构可进一步降低ScAlMgO4衬底上外延生长GaN薄膜的缺陷密度，氮化镓的XRD(002)和(102)的半峰宽可进一步降至180arcsec以下。
一种基于 scalmgo base sub

[发明专利]一种用于降低位错密度的多孔氮化镓基板制备方法-CN202211544596.2在审
发明人：蒲小东;张海涛;王素素;方国栋;刘良宏;钟玉煌;庞博 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明涉及第三代半导体GaN自支撑衬底材料制备技术领域，且公开了一种用于降低位错密度的多孔氮化镓基板制备方法。本发明是以激光剥离得到GaN籽晶基板，而后用激光打点分解GaN基板生长面的方法处理得到具有周期点阵多孔的氮化镓薄层，而后用HVPE来生长高质量的氮化物厚膜。利用HVPE生长速率快，特别是横向生长合并速度快的优势，可以填充足够深度的多孔3D缓冲层，使位错在较低生长厚度时就出现了侧向抵消和湮灭，从而进一步降低GaN厚膜生长的位错密度，缓解了在生长氮化镓厚膜过程中所出现的裂纹和晶格翘曲等问题，同时也克服了依靠掩膜、光刻、刻蚀等工艺制作多孔基板，生长厚膜过程中的高成本、工序复杂及重复稳定性差的问题。
一种用于降低密度多孔氮化镓基板制备方法

[实用新型]一种基于ScAlMgO4-CN202220974186.0有效
发明人： 钟玉煌;张海涛;许彬;潘华;陆羽;蒲小东;王素素 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于ScAlMgO4衬底的GaN外延结构，其包括依次层叠的ScAlMgO4衬底，缓冲层，GaN 3D岛状生长层，GaN 2D层状生长层和HT‑GaN生长层。与现有技术相比，本实用新型可明显降低GaN薄膜的缺陷密度，获得高质量的GaN外延结构，且制作过程简单易操作。
一种基于 scalmgo base sub

[实用新型]一种基于ScAlMgO4-CN202220946742.3有效
发明人： 钟玉煌;张海涛;许彬;潘华;陆羽;蒲小东;王素素 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于ScAlMgO4衬底的GaN基HEMT器件外延结构，该GaN基HEMT器件外延结构包括依次层叠的ScAlMgO4衬底，i‑AlxGa1‑xN/i‑GaN超晶格层，i‑GaN层，i‑AlN层，i‑AlyGa1‑yN层，以及GaN或p型GaN层。与现有技术相比，本实用新型可以有效降低GaN薄膜缺陷密度，得到大尺寸高质量GaN HEMT器件。
一种基于 scalmgo base sub

[发明专利]一种基于ScAlMgO4-CN202210441781.2在审
发明人： 钟玉煌;张海涛;许彬;潘华;陆羽;蒲小东;王素素 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ScAlMgO4衬底的GaN外延结构，其包括依次层叠的ScAlMgO4衬底，缓冲层，GaN 3D岛状生长层，GaN 2D层状生长层和HT‑GaN生长层。与现有技术相比，本发明可明显降低GaN薄膜的缺陷密度，获得高质量的GaN外延结构，且制作过程简单易操作。
一种基于 scalmgo base sub

[发明专利]一种基于ScAlMgO4-CN202210431166.3在审
发明人： 钟玉煌;张海涛;许彬;潘华;陆羽;蒲小东;王素素 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ScAlMgO4衬底的GaN基HEMT器件外延结构，该GaN基HEMT器件外延结构包括依次层叠的ScAlMgO4衬底，i‑AlxGa1‑xN/i‑GaN超晶格层，i‑GaN层，i‑AlN层，i‑AlyGa1‑yN层，以及GaN或p型GaN层。与现有技术相比，本发明可以有效降低GaN薄膜缺陷密度，得到大尺寸高质量GaN HEMT器件。
一种基于 scalmgo base sub

[发明专利]一种GaN基SBD倒装芯片的制备方法-CN201811408375.6有效
发明人：谢志坚;黄慧诗;田媛;钟玉煌;闫晓密;王书宇 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司;江苏新广联光电股份有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明属于SBD技术领域，提供一种GaN基SBD倒装芯片的制备方法，包括如下步骤：制作AlGaN/GaN异质结外延层‑制作图形化的AlGaN层‑形成欧姆电极‑形成肖特基电极‑制作AlN绝缘介质层‑制作焊盘电极；本发明的SBD倒装芯片采用蓝宝石衬底，可降低芯片的制作成本，采用高热导率的AlN薄膜层作为绝缘层，大幅度改善了因蓝宝石衬底导热系数较低导致倒装SBD芯片的系统热阻过高的问题，满足大功率的应用需求。
一种 gan sbd 倒装芯片制备方法

[发明专利]一种氮化镓基红光外延片结构及制备方法-CN201711052308.0有效
发明人：姜红苓;钟玉煌;田淑芬 -专利权人：江苏新广联半导体有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基红光外延片结构及制备方法，包括蓝宝石衬底、缓冲层、N型层、有源区发光层和P型层，在蓝宝石衬底上依次覆盖有缓冲层、N型层、有源区发光层和P型层，其特征在于：所述有源区发光层包含若干对MQW阱层和垒层，且MQW阱层和垒层分别为In_yGa_1‑yN量子阱阱层和GaN垒层，其中，y的范围为0.1~0.3；本发明是以GaN基结构来生长红光外延片，其结构简单、原材料安全、工艺容易实现，安全可靠，有利于降低对人体的伤害和环境的污染。
一种氮化红光外延结构制备方法

[发明专利]具有电磁波防护结构的GaN基半导体器件的外延结构及制作方法-CN201610951064.9在审
发明人：张帆;钟玉煌;吴永胜 -专利权人：江苏新广联半导体有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电磁波防护结构的GaN基半导体器件的外延结构及制作方法，包括衬底和外延层，所述外延层设置在衬底上，所述外延层从下到上依次为N型GaN层、量子阱和P型GaN层，其特征在于在衬底和外延层之间设置有防护层，所述防护层为III‑V族元素组成的化合物，不同化合物为不同防护层，不同防护层之间交替设置；本发明通过在衬底和外延层之间设置防护层结构，且采用III‑V族化合物作为防护层，该防护层结构能有效隔离电磁波对GaN基半导体器件核心结构的辐射，防止GaN基半导体器件被破坏。
具有电磁波防护结构 gan 半导体器件外延制作方法

[实用新型]具有低漏电高发光效率的外延生长结构-CN201420009213.6有效
发明人： 钟玉煌;郭明灿;冯雪瑞 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种外延生长结构，尤其是一种具有低漏电高发光效率的外延生长结构，属于半导体外延生长的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述具有低漏电高发光效率的外延生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构；所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层，所述有源层上生长有电子溢出阻挡层，所述电子溢出阻挡层上生长有P型化合物半导体材料层。本实用新型结构紧凑，发光效率高，低漏电且具有更强的抗击大电流能力，进一步降低了成本，更适合大尺寸外延片的生长，工艺方便，安全可靠。
具有漏电发光效率外延生长结构

[实用新型]可提高发光效率的外延PGaN层生长结构-CN201420021683.4有效
发明人：郭文平;钟玉煌;姜红苓 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型的外延P型GaN层生长结构，尤其是一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，属于半导体外延结构的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层；所述有源层上生长有电子溢出阻挡层；所述电子溢出阻挡层上生长P型化合物半导体材料层，所述P型化合物半导体材料层内生长有P型InGaN-GaN超晶格层。本实用新型结构紧凑，能显著提高发光效率，工艺方便，安全可靠。
提高发光效率外延 pgan 生长结构

1
2
下一页»
尾页
共 22 条