专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种LED检测装置和方法-CN201980002286.8有效
  • 钟光韦;伍凯义;杨然翔;江仁杰;沈佳辉 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2019-10-14 - 2022-12-20 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种LED检测装置和方法,该LED检测装置包括:检测电路板;弹性基板,所述弹性基板设置在所述检测电路板下端,所述弹性基板远离所述检测电路板的一面设置有检测电极,所述检测电极与所述检测电路板电连接,所述检测电极正对于待检测LED芯片的电极;以及可填充区,所述可填充区设置在所述检测电路板和所述弹性基板之间。本发明通过将所述可填充区进行填充后,以使所述检测电极与待检测电极接触,以判断当前检测位置的所述待检测LED芯片是否为电性不良芯片,从而能够筛选出电性不良的芯片。另外,本申请不需要机械式地移动探针位置,避免了LED芯片被探针戳伤,能够准确对准LED芯片电极进行通电并提高了LED芯片的检测速度。
  • 一种led检测装置方法
  • [发明专利]一种便于修复的LED显示器及其修复方法-CN202010192516.6有效
  • 江仁杰;钟光韦;伍凯义;杨然翔;沈佳辉 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2020-03-18 - 2022-10-21 - H01L27/15
  • 本发明涉及发光二极管技术领域,具体涉及一种便于修复的LED显示器及其修复方法,其包括:平坦化层和电路层,平坦化层的上表面设有第一、第二预备电极,该第一、第二预备电极分别与电路层中的薄膜晶体管和电源线接地端相连通;平坦化层中设有凹槽,凹槽内安装有二极管芯片,凹槽底部设有第一、第二接触电极,二极管芯片底部的两电极分别与第一、第二接触电极相连接,第一、第二接触电极通过布线分别与第一、第二预备电极相连接;二极管芯片顶部高度不超过凹槽槽口的高度。在本发明的LED显示器在需要对二极管芯片进行替换时,不需要再将二极管芯片从显示背板上拾出即可在原位置上键合新的二极管芯片;其极大地提高了生产效率。
  • 一种便于修复led显示器及其方法
  • [发明专利]转移系统和转移方法-CN202010997976.6有效
  • 张嘉修;钟光韦;江仁杰 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2020-09-21 - 2022-05-20 - H01L21/683
  • 本发明涉及一种转移系统和转移方法。转移系统用于转移芯片,包括临时基板和转移设备,临时基板具有相对的第一表面和第二表面,第二表面与第一表面之间具有第一夹角,第一夹角大于0°且小于90°;转移设备具有转移基板和设置在转移基板上的多个转移头,转移基板具有相对的第三表面和第四表面,且第四表面与第三表面之间具有第二夹角,第二夹角大于0°且小于90°,多个转移头间隔地位于第四表面转移头背离转移基板的一侧表面与第四表面平行。这样使得芯片更容易脱离该倾斜的表面,该临时基板可以降低芯片脱离临时基板的难度,并且,转移设备和临时基板更好地配合可以进一步简化转移过程。
  • 转移系统方法
  • [发明专利]一种巨量转移方法-CN202010163568.0有效
  • 江仁杰;钟光韦;伍凯义;杨然翔;沈佳辉 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2020-03-10 - 2022-03-25 - H01L21/677
  • 本发明涉及显示器制造领域,具体涉及一种巨量转移方法,其步骤包括,提供一生长基板,所述生长基板上有多个LED芯片;提供一临时基板,将所述LED芯片粘附于所述临时基板的所述胶合剂层上,剥离所述生长基板;在所述LED芯片上涂覆形成光刻胶层;曝光显影所述光刻胶层后形成多个凹槽,在所述光刻胶层上涂覆热塑性材料形成热塑性材料转移器,所述待转移的LED芯片粘附至所述热塑性材料转移器上,移除所述光刻胶层,将待转移的LED芯片与所述胶合剂层分离;将所述待转移LED芯片转移至显示背板,加热分离所述热塑性材料转移器,完成LED芯片的转移。无需设置转移头即可完成LED芯片的转移。
  • 一种巨量转移方法
  • [发明专利]一种自动扩膜的方法、存储介质及装置-CN201980002908.7有效
  • 江仁杰;钟光韦;伍凯义;杨然翔;沈佳辉 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2019-12-02 - 2021-11-02 - H01L33/00
  • 本发明提供一种自动扩膜的方法、存储介质及装置,其中,所述方法包括步骤:对扩张膜进行整膜拉伸,并实时监测所述扩张膜上的相邻LED晶元间距;当监测到所述扩张膜上的相邻LED晶元间距大于等于预设目标间距时,则停止整膜拉伸并在所述扩张膜上搜索是否存在使相邻LED晶元间距与预设目标间距的绝对差值大于所述预设误差阈值的局部区域;当所述扩张膜上存在所述局部区域时,则对所述局部区域进行局部拉伸,直至所述局部区域内的所有相邻LED晶元间距与所述预设目标间距的绝对差值均小于等于所述预设误差阈值,则停止局部拉伸。本发明可实现使扩张膜上所有相邻LED晶元间距均达到预设目标间距,使得扩张膜上的LED晶元间距均匀分布。
  • 一种自动方法存储介质装置
  • [发明专利]一种半导体真空处理设备及处理半导体的方法-CN201980002719.X有效
  • 伍凯义;钟光韦;杨然翔;江仁杰;沈佳辉 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2019-11-27 - 2021-11-02 - H01J37/32
  • 本发明公开了一种半导体真空处理设备及处理半导体的方法,所述设备包括工作腔体、设置在工作腔体上的气体输入部、设置在工作腔体内部的等离子产生部、设置在等离子产生部下方,位于工作腔体内部的载台、设置在所述载台下方,设置在工作腔体表面上的多个真空抽气孔,以及位于多个真空抽气孔上的多个运动挡板。通过多个运动挡板控制所述多个真空抽气孔的开合大小,以调节流入到所述待处理的半导体元件表面上的等离子体的流速,实现针对半导体上局部蚀刻或沉积不均匀的位置可调节相应位置的运动挡板的开合大小以改变半导体上局部的等离子体的流速变化,从而调整对半导体上局部的蚀刻或沉积的变化,最终获得半导体的蚀刻率或沉积率的局部均匀性。
  • 一种半导体真空处理设备方法
  • [发明专利]一种显示基板、制备方法及其相关转移方法-CN201980003337.9有效
  • 杨然翔;伍凯义;钟光韦;江仁杰;沈佳辉 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2019-12-25 - 2021-11-02 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种显示基板、制备方法及其相关转移方法,通过在基板上设置有与球状半导体芯片形状相匹配的装载槽,再将若干个球状半导体芯片通过滚动的方式滚动到装载槽内;当有球状半导体芯片未落入到装载槽内时通过使基板倾斜或震动,进而确保待转移的球状半导体芯片均落入至装载槽内,之后去除球状半导体芯片露出基板多余的部分,最后再通过在球状半导体芯片的横截面上设置第一电极、第二电极和钝化层,并将第一电极和第二电极分别与基板连接,最后完成显示基板制备,本发明提供的显示基板的制备方法,无需在转移半导体芯片时在显示基板上进行精准对位,即可实现快速精准将半导体转移到显示基板上,从而降低了技术复杂度,节约了技术成本。
  • 一种显示制备方法及其相关转移
  • [发明专利]一种LED阵列扩张检测装置及扩张方法-CN202010198082.0在审
  • 江仁杰;钟光韦;伍凯义;杨然翔;沈佳辉 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2020-03-19 - 2021-10-12 - H01L21/66
  • 本发明涉及LED显示器制造领域,具体一种LED阵列检测装置,其包括:承载膜,呈阵列排布的LED芯片粘附于所述承载膜上;拉伸设备,设置于所述承载膜的边缘,用于拉伸所述承载膜;金属薄片设置于LED阵列中同一行或列相邻的LED芯片侧面,相邻所述LED芯片相对应的侧面设置的两片所述金属薄片为一对;电压施加器,用于向相邻金属薄片施加电压;电容检测单元,分别连接成对的金属薄片,用于检测相邻金属薄片间的电容值;控制器,与所述电容检测器电连接,用于根据所述电容值计算对应LED芯片间距,LED芯片间距达到阈值时向拉伸设备发出拉伸或停止拉伸的信号。该装置可以准确测量LED芯片之间的间距。
  • 一种led阵列扩张检测装置方法
  • [发明专利]一种便于修复的LED显示器及其修复方法-CN202010183043.3在审
  • 江仁杰;钟光韦;伍凯义;杨然翔;沈佳辉 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2020-03-16 - 2021-09-17 - G09F9/33
  • 本发明涉及发光二极管技术领域,具体涉及一种便于修复的LED显示器及其修复方法,其包括:平坦化层,平坦化层的上表面设有第一、第二电极,发光二极管芯片,所述发光二极管芯片的正负电极别接有第一、第二延伸电极,第一、第二延伸电极分别与第一、第二电极相连接;设于平坦化层中的凹槽,凹槽设置于发光二极管芯片的正下方,且凹槽的体积大于发光二极管芯片的体积;凹槽内设有热塑性材料,第一、第二延伸电极设置于凹槽的槽口上,热塑性材料与第一、第二延伸电极相连接。在本发明的LED显示器在需要对发光二极管芯片进行替换时,不需要再将发光二极管芯片拾出即可在原位置上键合新的发光二极管芯片;其极大地提高了生产效率。
  • 一种便于修复led显示器及其方法
  • [发明专利]一种巨量转移装置及巨量转移方法-CN201980003336.4有效
  • 杨然翔;许时渊;伍凯义;钟光韦;沈佳辉;江仁杰 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2019-12-17 - 2021-08-24 - H01L21/67
  • 本发明公开了一种巨量转移装置及巨量转移方法,所述巨量转移装置上设置有多个通道,各个通道的第一开口设置在所述巨量转移装置的第一面,各个通道的第二开口设置在所述巨量转移装置的第二面,且各个通道之间的距离沿第一面到第二面的方向逐渐增大,本发明提供的巨量转移方法通过激光照射的方式使第一基板上的Micro‑LED掉落并通过第一开口进入巨量转移装置的通道,从通道的第二开口落入第二基板上的Micro‑LED待安装位置,实现了将Micro‑LED从第一基板上转移至第二基板上,且在第二基板上的间距大于在第一基板上的间距,巨量转移过程简单、成本低。
  • 一种巨量转移装置方法
  • [发明专利]一种微器件转移装置及方法-CN201980002742.9有效
  • 钟光韦;伍凯义;杨然翔;江仁杰;沈佳辉 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2019-11-26 - 2021-07-20 - H01L21/67
  • 本发明公开一种微器件转移装置及方法,其中,所述装置包括温控装置,设置在所述温控装置上的正负热膨胀材料层,所述正负热膨胀材料层远离所述温控装置的一侧设置有均匀排布的多个凸起转移头,所述凸起转移头远离所述正负热膨胀材料层的一侧涂覆有第一粘性高分子材料,所述凸起转移头通过所述第一粘性高分子材料粘合抓取微器件,所述温控装置通过对所述正负热膨胀材料层进行温控使得所述凸起转移头间距发生变化,抓取不同间距的微器件。本发明通过所述温控装置对所述正负热膨胀材料层进行温度控制,可改变位于所述正负热膨胀材料层上的凸起转移头间距,从而可实现将不同间距的微器件转移至所述微器件转移装置上。
  • 一种器件转移装置方法
  • [发明专利]一种显示器-CN202010048674.4在审
  • 江仁杰;钟光韦;伍凯义;杨然翔;沈佳辉 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2020-01-16 - 2021-07-16 - G09F9/33
  • 一种显示器,其包括背板,以及设置于背板上的多颗发出单一颜色光的发光二极管;准直透镜,所述准直透镜设置于每颗所述发光二极管的出光光路上,用于准直所述发光二极管的出光光束,形成准直光束;至少两层波导,所述波导层叠设置于所述准直光束的光路上;每层波导都包括:波长选择单元和耦出单元。本发明提供一种显示器,在显示器的背板上安装单颗发光二极管代替原有的RGB三色发光单元,大大地降低了micro‑led显示器巨量转移的工作量,以及显示器电路排布复杂度。
  • 一种显示器

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