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[发明专利]半导体器件-CN202310252816.2在审
发明人： 金铉埈;金河沇;赵哲珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底、衬底上的下电极、覆盖下电极的介电层、以及覆盖介电层的上电极。介电层包括与下电极接触的第一区域、与上电极接触的第二区域、以及在第一区域和第二区域之间的第三区域。第三区域包括第一插入层，第一插入层包括第一氧化物和第二氧化物，第一氧化物包括具有第一价的第一金属，第二氧化物包括具有第二价的第二金属，第二价与第一价不同。介电层的厚度为约#imgabs0#至约#imgabs1#第一插入层的厚度为约#imgabs2#至约#imgabs3#第二金属与介电层中的总元素的比率为约5at％至约15at％。
半导体器件

[发明专利]防止莫尔可见性的图案结构和使用该图案结构的显示装置-CN201811091535.9有效
发明人：赵恩亨;具本原;金铉埈;金海成;元正渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10K59/10 文献下载
摘要：提供了一种用于防止莫尔图案变得可见的图案结构，以及使用该图案结构的显示装置。图案结构包括：第一元件图案，包括以第一间距规则排列的多个第一元件；第二元件图案，包括以第二间距规则排列的多个第二元件，第二元件图案设置在第一元件图案上；以及填充层，被配置为填充多个第二元件中的相邻第二元件之间的间隙。第二元件的透射率和填充层的透射率之间的差异为约5％或更小，因此，可以防止由于第一元件图案与第二元件图案的交叠而产生的莫尔图案变得可见。
防止莫尔可见图案结构使用显示装置

[发明专利]电子装置和电子装置的操作方法-CN202180073756.7在审
发明人：河宪晙;金胜年;严俊煊;李镇喆;金炫秀;金铉埈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F3/00 文献下载
摘要：一种根据本文件中公开的示例性实施例的电子装置可以包括：显示器；通信电路；至少一个相机；存储器；以及处理器，所述处理器可操作地连接到所述显示器、所述通信电路、所述至少一个相机和所述存储器。根据示例性实施例，所述存储器可以包括指令，所述指令在被运行时使所述处理器：通过所述显示器来提供增强现实(AR)环境或虚拟现实(VR)环境；通过所述通信电路连接到一个或更多个外部电子装置；通过所述显示器来显示所述一个或更多个外部电子装置；基于输入界面切换事件，在所述一个或更多个显示的外部电子装置当中指定第一外部电子装置；以及通过使用所指定的第一外部电子装置，在所述AR环境或所述VR环境中控制所述电子装置的操作。
电子装置操作方法

[发明专利]电容器和包括电容器的DRAM器件-CN202211657948.5在审
发明人：赵哲珍;辛瑜暻;郑昌和;金铉埈;林汉镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：描述了一种电容器。电容器包括：下电极；介电层结构，设置在下电极上；以及上电极，设置在介电层结构上。介电层结构包括第一介电层、接触第一介电层的第二介电层、以及接触第二介电层的第三介电层。第一介电层、第二介电层和第三介电层中的每一个包括具有晶体结构的材料。第二介电层包括具有铁电或反铁电特性的氧化物，并且第二介电层包括混合了至少两种不同晶相的材料。
电容器包括 dram 器件

[发明专利]微型半导体芯片转移装置及芯片提取装置-CN202211522373.6在审
发明人：金东均;刘珉哲;黄京旭;金铉埈;朴俊勇;洪硕佑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种微型半导体芯片转移装置，包括：湿芯片供应模块，被配置为将多个微型半导体芯片和液体供应到转移基板上；芯片对准模块，包括吸收器，该吸收器被配置为在吸收液体的同时沿着转移基板的表面移动；以及芯片提取模块，被配置为从吸收器提取保留在吸收器中的微型半导体芯片。
微型半导体芯片转移装置提取

[发明专利]颜色转换结构、显示装置以及制造它们的方法-CN202211627492.8在审
发明人：黄京旭;金铉埈;朴俊勇;洪硕佑;黄俊式 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：提供了颜色转换结构、显示装置以及制造它们的方法。颜色转换结构包括：堤结构，包括凹槽；颜色转换层，容纳在凹槽中；以及覆盖层，提供在颜色转换层上。
颜色转换结构显示装置以及制造它们方法

[发明专利]芯片传送装置和芯片过滤装置-CN202211432888.7在审
发明人：金东均;金铉埈;朴俊勇;洪硕佑;黄京旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开提供了芯片传送装置和芯片过滤装置。该芯片传送装置包括：芯片存储模块，在其中存储包括多个微型半导体芯片和杂质的悬浮液；芯片过滤模块，从悬浮液分离包括多个微型半导体芯片的第一悬浮液和包括杂质的第二悬浮液；以及芯片供应模块，配置为将第一悬浮液供应到传送基板上，使得第一悬浮液从芯片过滤模块引入，并且多个微型半导体芯片在传送基板上是可流动的。
芯片传送装置过滤

[发明专利]器件转移基板、器件转移结构和显示装置-CN202210898505.9在审
发明人： 金铉埈;金东均;朴俊勇;洪硕佑;黄京旭;黄俊式 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种器件转移基板以及包括该器件转移基板的器件转移结构和显示装置。该器件转移基板包括多个凹槽，其中所述多个凹槽中的每个包括具有第一图形的形状的第一区域和具有第二图形的形状的第二区域，其中第一区域的一部分与第二区域的一部分部分地重叠以形成重叠区域，其中重叠区域在与穿过第一图形的中心和第二图形的中心的直线交叉的方向上的最大宽度小于第一图形的直径或对角线长度并且小于第二图形的直径或对角线长度。
器件转移结构显示装置

[发明专利]光路控制构件及包括其的显示装置-CN201980050091.0有效
发明人： 金铉埈;赵显东;朴光昊;全成坤;孙东友 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：根据实施例的光路控制构件包括：基底基板；树脂层，设置在基底基板上并且包括彼此间隔开的多个雕刻部；以及多个图案部，设置在多个雕刻部的内部并且彼此间隔开，其中，每个图案部包括第一遮光层和设置在第一遮光层上的第二遮光层，第一遮光层的高度大于第二遮光层的高度，并且每个图案部的总高度小于或等于雕刻部的总高度，并且大于或等于雕刻部的高度的93％。
控制构件包括显示装置

[发明专利]发光器件、包括其的显示装置以及制造其的方法-CN202210895487.9在审
发明人： 金铉埈;洪硕佑;黄京旭;金东均;朴俊勇;黄俊式 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提供了一种发光器件、包括该发光器件的显示装置以及制造该发光器件的方法。该发光器件包括：发光单元，包括布置在上表面上以彼此分开的第一电极和第二电极；延伸层，发光单元嵌入在该延伸层中并且该延伸层具有比发光单元的宽度大的宽度；以及第一电极焊盘和第二电极焊盘，第一电极焊盘和第二电极焊盘布置在延伸层的上表面上以彼此分开并且分别电连接到第一电极和第二电极。
发光器件包括显示装置以及制造方法

[发明专利]微半导体芯片转移基板和制造显示装置的方法-CN202211287021.7在审
发明人：黄京旭;黄俊式;金东均;金东湖;金铉埈;朴俊勇;洪硕佑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：提供了一种微半导体芯片转移基板，该微半导体芯片转移基板包括基础基板、提供在基础基板上沿彼此平行的方向延伸并彼此间隔开的导轨、以及在导轨之间提供在基础基板中并配置为容纳微半导体芯片的多个凹槽。
半导体芯片转移制造显示装置方法

[发明专利]半导体发光器件、包括其的显示装置和制造其的方法-CN202210661382.7在审
发明人：洪硕佑;金铉埈;金东均;金东湖;朴俊勇;黄京旭;黄俊式 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：提供了一种半导体发光器件、包括其的显示装置和制造其的方法。该半导体发光器件包括：半导体结构，包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；侧延伸结构，与半导体结构的侧壁相邻设置；第一电极，具有延伸穿过第二半导体层和发光层并电连接到第一半导体层的第一部分、以及在侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分；以及第二电极，具有电连接到第二半导体层的第一部分、以及在侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分。
半导体发光器件包括显示装置制造方法

[发明专利]半导体器件转移结构、显示装置和制造显示装置的方法-CN202211195921.9在审
发明人：金东均;金铉埈;洪硕佑;黄京旭;黄俊式 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供了半导体器件转移结构、显示装置和制造该显示装置的方法。该半导体器件转移结构包括：基板；对准层，提供在基板上并包括陷阱，该陷阱被配置为安置半导体器件；以及转移层，提供在对准层上并包括凹槽。
半导体器件转移结构显示装置制造方法

[发明专利]制造电容器的方法和制造半导体装置的方法-CN202211159014.9在审
发明人：赵哲珍;金铉埈;辛瑜暻;徐锺汎;郑昌和 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：提供了制造电容器的方法和制造半导体装置的方法。所述制造电容器的方法包括：在反应空间中在半导体基底上形成下电极。在下电极上形成均质氧化物层。在均质氧化物层上形成介电层。在介电层上形成上电极。均质氧化物层的形成步骤包括将均质氧化物层形成循环执行至少一次。均质氧化物层形成循环包括供应氧化剂、清除氧化剂和泵出反应空间。
制造电容器方法半导体装置

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201910312232.3有效
发明人：文瑄敏;金洙焕;金铉埈;朴成律;朴瑛琳;蒋在完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开提供了集成电路器件及其制造方法。在集成电路器件的电容器中，电介质结构包括通过氧化电极的表面获得的结晶诱导膜以及形成在结晶诱导膜上的电介质膜，以减少电介质膜中产生的缺陷密度，改善泄漏电流，并减小等效氧化物厚度。
集成电路器件及其制造方法

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