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[发明专利]涡轮鼓风机永磁电机的提高电机效率的结构-CN202180003653.3在审
发明人：李丙学;金敏浩;李承泰 -专利权人：株式会社南元拓博
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H02K7/14 文献下载
摘要：本发明通过提出用于有效冷却用在涡轮鼓风机中的永磁电机的冷却结构，从而提供能够提高涡轮鼓风机永磁电机的电机效率的技术。设于涡轮鼓风机的电机壳上的多个外部气体流入口在密封环和定子的一侧之间形成在与密封环接近的位置，各自形成为具有相同直径的圆形的孔(hole)形状，在所述电机壳的外周面外围的同一同心圆上以均等间隔形成。
涡轮鼓风机永磁电机提高效率结构

[发明专利]激光接合装置、激光接合工具以及相关方法-CN202110620393.6在审
发明人：朴东铉;金敏浩;柳东秀;纳锡河;金钟荷;宋云锡;朱禹坤 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：激光接合装置、激光接合工具以及相关方法。在一个实例中，一种系统可以包括激光辅助接合(LAB)工具，所述工具包括级块(stage block)和面向所述级块的激光源。所述级块可被配置成支撑第一基板和与所述第一基板耦合的第一电子组件，所述第一电子组件包括第一互连件。所述激光源可被配置成朝向所述级块发射第一激光以在所述第一互连件上诱导第一热从而将所述第一互连件与所述第一基板接合。本文中也公开其它实例以及相关方法。
激光接合装置工具以及相关方法

[发明专利]在两个输入端间切换的切换结构、设备、系统和方法-CN201780080354.3在审
发明人：朱洋;金敏浩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：此处公开了一种在两个输入端间进行切换的切换结构。所述切换结构包括第一半导体开关、第一机械开关、第二机械开关以及控制器，其中，所述第二机械开关可以连接到主输入端或备输入端，所述控制器耦合至所述第一半导体开关、所述第一机械开关和所述第二机械开关；其中，所述控制器用于为所述第一半导体开关、所述第一机械开关和所述第二机械开关生成控制驱动信号，所述控制驱动信号用于：在零电压时断开所述第一机械开关，在零电流时将所述第二机械开关从所述主输入端切换到所述备输入端或从所述备输入端切换到所述主输入端；当所述第一机械开关断开时，将所述第二机械开关切换至所述备输入端或所述主输入端。
机械开关输入端主输入端半导体开关控制器断开控制驱动信号控制器耦合驱动信号生成控制零电流零电压

[实用新型]雷射辅助接合系统-CN201720311496.3有效
发明人：尹泰浩;钟梁奎;金敏浩;宋延锡;柳东洙;金钟荷 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：雷射辅助接合系统。一种雷射辅助接合系统，其包含射束过滤器，其操作以接收输入雷射辐射以及输出雷射辐射，同时以第一强度位准照射半导体晶粒的第一区域；以及以不同于该第一强度位准的第二强位准照射该半导体晶粒的第二区域。此揭露内容的各种特点提供例如在空间上及/或时间上强化或控制一半导体晶粒的雷射照射的系统，以改善该半导体晶粒至一基板的接合。
雷射辅助接合系统

[发明专利]雷射辅助接合系统及制造半导体装置的方法-CN201710193406.X在审
发明人：尹泰浩;钟梁奎;金敏浩;宋延锡;柳东洙;金钟荷 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：雷射辅助接合系统及制造半导体装置的方法。一种制造一半导体装置的方法，该方法包括将一半导体晶粒设置在一基板上；将雷射辐射透射穿过至少一射束过滤器，其中从至少该射束过滤器输出的雷射辐射同时利用在一第一强度位准的一第一平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第一区域；以及利用在一不同于该第一强度位准的第二强度位准的一第二平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第二区域作为非限制性的例子，此揭露内容的各种特点提供例如在空间上及/或时间上强化或控制一半导体晶粒的雷射照射的系统及方法，以改善该半导体晶粒至一基板的接合。
雷射辅助接合系统制造半导体装置方法

[发明专利]生长氮化物单晶体的方法和制造氮化物半导体器件的方法-CN201510202044.7在审
发明人：威廉·索拉里;金敏浩;李宪昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了生长氮化物单晶体的方法和制造氮化物半导体器件的方法。一种生长III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：在硅基底上形成缓冲层以及在缓冲层上生长III族氮化物晶体。通过其中提供III族金属源和氮源气体的金属有机化学气相沉积(MOCVD)来执行生长III族氮化物晶体的方法。氮源气体包括氢(H₂)以及包括氨(NH₃)和氮(N₂)中的至少一种。可在其中氢在氮源气体中的体积分数的范围为20％至40％并且硅基底的温度范围为950℃至1040℃的条件下执行生长III族氮化物晶体的操作的至少一部分阶段。
生长氮化物单晶体方法制造半导体器件

[实用新型]智能防排烟装置-CN201120503631.7有效
发明人：赵国运;白晓凡;关大巍;杨俊英;袁国斌;严晓光;马国英;金敏浩 -专利权人：赵国运;白晓凡
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： F24F7/007 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防排烟装置，特别是涉及一种智能防排烟装置。其结构如下：压力传感器（1）的输出端与控制主机（2）连接，控制主机（2）的输出端与通风窗开闭装置（3）和连接。本实用新型安装在建筑物中的楼梯间及走廊里正压送风，使该区域的空气压力高于火灾区域的空气压力、防止烟气的侵入形成正压，将烟气排挤在楼梯间及走廊之外，控制火灾的蔓延，同时压力还能达到国际标准。本实用新型有效的防止走廊内烟雾侵入，还能保证儿童、老弱者安全逃离火灾区域。
智能防排烟装置

[发明专利]永磁自主式振动设备及油井解堵、增产方法-CN200610113432.9无效
发明人：吴惠天;嵇世山;易难;金敏浩;曹建国;杜波罗夫斯基·尼古拉·安德烈耶维奇;库尔巴托夫·巴维尔·亚历山大罗维奇;别拉科夫·弗谢沃罗德·安那托利耶维奇 -专利权人：北京欧亚科地创新科技有限公司
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： E21B31/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种永磁自主式振动设备及利用该设备对油井进行解堵、增产的方法。本发明的设备包括一柱状定子和一位于定子内部的柱状动子，定子和动子之一包括沿纵向依次放置、相互间隔的永磁环，定子和动子的另一个包括沿纵向依次放置、相互间隔的铁磁环，所述动子具有中央安装孔或中央安装轴。本发明的方法是：将所述永磁自主式振动设备的定子和动子安装到采油设备上；通过抽油杆或光杆的往复运动，使动子和定子产生相对运动，使得动子和定子之间的作用力发生规律性的大小变化，从而产生一定频率的纵向振动，并通过与其相连的油井金属构件将该纵向振动传到井底及邻近的油层。本发明的设备及方法实施方便，成本低，能明显提高油田的生产效率。
永磁自主振动设备油井增产方法

[发明专利]油井低频声波振动解堵、增产设备及方法-CN200610113433.3无效
发明人：吴惠天;嵇世山;易难;金敏浩;曹建国;杜波罗夫斯基·尼古拉·安德烈耶维奇;库尔巴托夫·巴维尔·亚历山大罗维奇;别拉科夫·弗谢沃罗德·安那托利耶维奇 -专利权人：北京欧亚科地创新科技有限公司
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： E21B31/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种油井低频声波振动解堵、增产设备及方法。本发明的设备包括柱状的壳体、置于壳体之内的电磁铁及穿过电磁铁中心的带永磁的动子，壳体上具有连接所述电磁铁的电接头，动子至少一端通过弹簧与其相对的壳体一端间接相连，动子与弹簧之间设有动子弹簧挡片，弹簧与壳体端部之间设有壳体弹簧挡片。本发明的方法是将一个或多个油井低频声波振动解堵、增产设备可拆卸的安装连接到光杆或/和采油三通上后，使所述设备产生纵向振动，并通过与其相连光杆和采油三通以及其他油井金属构件将该纵向振动传到井底及邻近的油层。本发明的油井低频声波振动解堵、增产设备及方法实施方便，不需要油井停产就可以解堵、增产，能明显提高油田的生产效率。
油井低频声波振动增产设备方法

[实用新型]油井低频声波振动解堵、增产设备-CN200620133930.5无效
发明人：吴惠天;嵇世山;易难;金敏浩;曹建国;杜波罗夫斯基·尼古拉·安德烈耶维奇;库尔巴托夫·巴维尔·亚历山大罗维奇;别拉科夫·弗谢沃罗德·安那托利耶维奇 -专利权人：北京欧亚科地创新科技有限公司
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： E21B31/107 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种油井低频声波振动解堵、增产设备。本实用新型的设备包括柱状的壳体、置于壳体之内的电磁铁及穿过电磁铁中心的带永磁的动子，壳体上具有连接所述电磁铁的电接头，动子至少一端通过弹簧与其相对的壳体一端间接相连，动子与弹簧之间设有动子弹簧挡片，弹簧与壳体端部之间设有壳体弹簧挡片。本实用新型的油井低频声波振动解堵、增产设备实施方便，不需要油井停产就可以解堵、增产，能明显提高油田的生产效率。
油井低频声波振动增产设备

[实用新型]永磁自主式振动解堵、增产设备-CN200620133931.X无效
发明人：吴惠天;嵇世山;易难;金敏浩;曹建国;杜波罗夫斯基·尼古拉·安德烈耶维奇;库尔巴托夫·巴维尔·亚历山大罗维奇;别拉科夫·弗谢沃罗德·安那托利耶维奇 -专利权人：北京欧亚科地创新科技有限公司
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： E21B31/107 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种永磁自主式振动解堵、增产设备。本实用新型的设备包括一柱状定子和一位于定子内部的柱状动子，定子和动子之一包括沿纵向依次放置、相互间隔的永磁环，定子和动子的另一个包括沿纵向依次放置、相互间隔的铁磁环，所述动子具有中央安装孔或中央安装轴。本实用新型的设备实施方便，成本低，能明显提高油田的生产效率。
永磁自主振动增产设备

[发明专利]面光源装置及其制造方法和制造设备-CN200610087021.7有效
发明人：朴得一;柳忠烨;赵淳天;金敏浩;金湘默;赵黹韵;徐玉斌;周成秀 -专利权人：株式会社LS科技;株式会社TOPAZLCD
申请日： 2003-05-08 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： F21V8/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种将光导图案成型到光导板的面光源装置制造设备，包括一个要输入有关所要成型的光导图案数据的图案设计系统、一个控制系统接入到图案设计系统并传输与成型到光导板上的每个图案的坐标值相匹配位置信号、一个移动头可根据接收到的来自控制系统的位置信号沿垂直和水平方向进行机械移动、一个激光系统可根据与移动头移动同步的脉冲信号发射激光束、一个镜头允许激光束从激光系统输出通过移动头而聚焦在光导板激光束扫描面上、一个翘曲预防装置预防光导板由于激光束局部加热而发生翘曲，以及一个吸收和散射预防装置预防光导图案成型到光导板上时产生烟尘。
光源装置及其制造方法设备

[发明专利]白光发射装置-CN200610002964.5无效
发明人： 金敏浩;闵庚瀷;小池正好 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物发光装置，该发光装置包括第一和第二导电型氮化物层以及多个发射不同波长的光的活性区。该活性区依次形成在该第一和第二导电型氮化物层之间。该活性区包括至少一个具有多个第一量子阻挡层和量子势阱层的第一活性区，以及发射波长大于该第一活性区的波长的光的第二活性区。该第二活性区具有多个第二量子阻挡层和至少一个形成在多个第二量子阻挡层之间的不连续的量子势阱结构。不连续的量子势阱结构包括多个量子点或量子晶体。
白光发射装置

[发明专利]白光发射器件-CN200610083100.0有效
发明人： 金敏浩;小池正好;闵庚瀷;赵明洙 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2006-05-31 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及使用晶片结合或金属结合的单片白光发射器件。在本发明中，设置了导电底座衬底。第一发光体通过金属层结合到导电底座衬底上。在第一发光体中，由底到顶依次层叠了p型氮化物半导体层、第一有源层、n型氮化物半导体层、和导电衬底。另外，第二发光体形成在导电衬底的部分区域上。在第二发光体中，由底到顶依次层叠了p型基于AlGaInP的半导体层、有源层和n型基于AlGaInP的半导体层。另外，p电极形成在导电底座衬底的底面上，以及n电极形成在n型基于AlGaInP的半导体层的上表面上。
白光发射器件

[发明专利]用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置-CN200510105377.4无效
发明人：李秀敏;小池正好;金澈圭;张成焕;金敏浩 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法和装置。该方法包括：将预备衬底放置在反应室中所安装的基座上；在预备衬底上生长氮化物单晶层；以及进行激光束照射，以在将预备衬底放入反应室的条件下，将氮化物单晶层与预备衬底分离。
用于制造基于氮化衬底方法装置

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