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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光学多层结构体、制备该光学多层结构体的方法及包括该光学多层结构体的窗覆盖膜-CN202310384002.4在审
发明人：韩圭晳;金喆禹;李韶英;崔祯珉;金信佑 -专利权人： SK新技术株式会社;爱思开高新信息电子材料株式会社
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种在基材层上包括硬涂层、低反射粘合增强层和疏水层的光学多层结构体，根据一个具体实施方案的光学多层结构体包括在基材层上层叠硬涂层、包含硅氧烷基化合物的低反射粘合增强层以及包含含氟原子的烷氧基硅烷基化合物的疏水层的结构，从而同时具有高耐磨性和高水接触角。
光学多层结构制备方法包括覆盖

[发明专利]刻蚀用组合物、刻蚀绝缘体的方法和制造半导体器件的方法以及新型化合物-CN202010482104.6有效
发明人： 金喆禹;宣旻暻;沈由那;郭宰熏;金荣汎;李宗昊;赵珍耿 -专利权人： SK新技术株式会社;SK株式会社
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：一种蚀刻组合物，其包括磷酸、磷酸酐、由以下式1表示的化合物、以及除式1表示的化合物之外的包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物，[式1]其中，在式1中，A为n价基团，其中n为1‑6的整数，L为直接键或亚烃基，Y选自NR1、O、PR2和S，其中R1‑R2独立地为氢、卤素、取代或未取代的烃基或非烃基，X和Z独立地选自N、O、P和S，并且Ra‑Rc独立地为未共享的电子对、氢或取代或未取代的烃基。
刻蚀组合绝缘体方法制造半导体器件以及新型化合物

[发明专利]底部抗反射涂层形成用聚合物和包含其的底部抗反射涂层形成用组合物-CN201880049505.3有效
发明人：郑旼镐;金喆禹;咸珍守;金仙珠;朴明俊;李濫揆;李慧秀 -专利权人： SK新技术株式会社;爱思开致新株式会社
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物和包含其的底部抗反射涂层形成用组合物。更具体地，本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物，其能够减轻光刻胶层的基板上的曝光光和照射光的反射，所述光刻胶层在制造半导体设备的光刻工艺中涂布在基板上；以及包含所述底部抗反射涂层形成用聚合物的底部抗反射涂层形成用组合物。
底部反射涂层形成聚合物包含组合

[发明专利]制备高纯度四羧酸二酐的方法-CN202210534213.7在审
发明人： 金喆禹;李韶英;金钟灿 -专利权人： SK新技术株式会社;爱思开高新信息电子材料株式会社
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C07D493/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备四羧酸二酐的方法，本发明的一个方面提供的制备四羧酸二酐的方法可以通过降低催化剂的使用量来抑制颜色杂质的形成，因此适用于光学，并且在没有单独的提纯工艺的情况下，可以在经济的工艺条件下在相对短的时间内制备高纯度四羧酸二酐，因此是有效的。
制备纯度羧酸方法

[发明专利]新型二氮杂螺环化合物及其用途-CN202210413396.7在审
发明人： 金喆禹;郭孝信;李韶英 -专利权人： SK新技术株式会社;爱思开高新信息电子材料株式会社
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C07D487/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型二氮杂螺环化合物及其用途，本发明的新型二氮杂螺环化合物可以非常有用地用作制备具有优异的光学特性的聚酰亚胺膜的单体。
新型二氮杂螺环化及其用途

[发明专利]蚀刻剂组合物、蚀刻绝缘膜的方法、制造半导体器件的方法和硅烷化合物-CN201910422918.8有效
发明人： 金喆禹;沈由那;李光国;金荣汎;赵珍耿 -专利权人： SK新技术株式会社;SK株式会社
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：一种蚀刻剂组合物，其包括由以下化学式1表示的硅烷化合物：[化学式1]其中R1‑R6独立地为氢、卤素、取代或未取代的C1‑C20烃基、苯基、C1‑C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三C1‑C20烷基甲硅烷基、磷酰基或氰基，L为直接键或C1‑C3亚烃基，A为n价基团，n为1‑4的整数。
蚀刻组合绝缘方法制造半导体器件硅烷化合物

[发明专利]蚀刻剂组合物和硅烷化合物-CN201910433994.9有效
发明人： 金喆禹;李帝豪;咸珍守;郭宰熏;李宗昊 -专利权人： SK新技术株式会社;SK 株式会社
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：一种蚀刻剂组合物，其包括磷酸和由以下化学式1表示的硅烷化合物：[化学式1]其中A为n价基团，L为C1‑C5亚烃基，R1‑R3独立地为氢、羟基、烃基或烷氧基，其中R1‑R3各自存在或通过杂元素相互连接，n为2‑5的整数。
蚀刻组合硅烷化合物

[发明专利]用于蚀刻组合物的添加剂、其制备方法和包含其的蚀刻组合物-CN201911017313.7有效
发明人： 金喆禹;沈由那;李帝豪;郭宰熏;金荣汎;赵珍耿 -专利权人： SK新技术株式会社;SK株式会社
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有高选择比的蚀刻组合物及其制备方法，所述蚀刻组合物能够选择性地去除氮化物膜并使氧化物膜的蚀刻速率最小化。本发明还提供了一种通过使磷酸酐与下式1表示的硅烷化合物反应而制备的蚀刻组合物添加剂，所述蚀刻组合物添加剂的制备方法和包含所述蚀刻组合物添加剂的蚀刻组合物：[式1]
用于蚀刻组合添加剂制备方法包含

[发明专利]蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法-CN201911016141.1有效
发明人： 金喆禹;沈由那;李光国;郭宰熏;金荣汎;李宗昊;赵珍耿 -专利权人： SK新技术株式会社;SK株式会社
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括磷酸、磷酸酐、下式1表示的硅烷化合物和水：[式1]其中，R1‑R6独立地为氢、卤素、取代的或未取代的C1‑C20烃基、C1‑C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三(C1‑C20‑烷基)甲硅烷基、磷酰基或氰基。L为直接键或者C1‑C3亚烃基，A为n价基团，n为1‑4的整数。
蚀刻组合用于半导体器件绝缘方法以及制备

[发明专利]用于锂二次电池的电解液和包括其的锂二次电池-CN201810136745.9有效
发明人：朴大仁;金镇诚;金喆禹;李光国 -专利权人： SK新技术株式会社
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01M10/0567 文献下载
摘要：本发明提供一种用于锂二次电池的电解液和包括其的锂二次电池，其中，本发明的用于锂二次电池的电解液可提高DC‑IR特性和电池储存特性，并且可以改善高温稳定性、低温特性和寿命特性，从而有效地用于制造二次电池。
用于二次电池电解液包括

[发明专利]半导体封装件-CN202110701841.5在审
发明人： 金喆禹;郑阳圭;南秀铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：基底，包括布线；半导体芯片结构，位于基底上，并且电连接到布线；底部填充树脂，位于基底与半导体芯片结构之间的空间中；以及加强件，在基底上围绕半导体芯片结构，其中，加强件包括具有腔的导电框架和位于腔中的绝缘填料。
半导体封装

[发明专利]半导体封装-CN202110257151.5在审
发明人：柳孝昌;金喆禹;柳周铉;李相贤;崔允硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种半导体封装，包括：第一基板；在第一基板上彼此间隔开的第一芯片结构和第二芯片结构，在第一芯片结构和第二芯片结构之间限定有间隙区域；以及覆盖第一芯片结构、第二芯片结构和第一基板的散热构件，该散热构件在该散热构件的内顶表面中包括第一沟槽，其中，第一沟槽与间隙区域竖直地重叠并且宽度大于间隙区域的宽度，并且其中第一沟槽至少与第一芯片结构的顶表面的一部分或第二芯片结构的顶表面的一部分竖直地重叠。
半导体封装

[发明专利]半导体封装-CN202110270222.5在审
发明人： 金喆禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装，该半导体封装包括封装基板、在封装基板上的半导体芯片以及在封装基板和半导体芯片之间的多个底部填充物。封装基板包括形成在封装基板中的沟槽和分别在沟槽的两侧的多个坝。在半导体封装的其中封装基板提供基础参考水平的剖视图中，所述多个坝的顶表面可以位于比半导体芯片的底表面低的水平处。
半导体封装

[发明专利]锂二次电池用电解质和含有其的锂二次电池-CN202110179039.4在审
发明人：金镇诚;金喆禹;吴承娟;李光国;李成日 -专利权人： SK新技术株式会社
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明提供锂二次电池用电解质和含有其的锂二次电池。本发明的二次电池用电解质具有优异的高温稳定性、优异的低温放电容量和优异的生命周期特性。
二次电池用电含有

[发明专利]蚀刻组合物、使用蚀刻组合物蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法-CN202010827110.0在审
发明人： 金喆禹;李光国;郭宰熏;金荣汎;辛姃河;李宗昊;赵珍耿 -专利权人： SK新技术株式会社;爱思开新材料有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻组合物、使用蚀刻组合物蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法。一种蚀刻组合物，其包含：磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物以及由下式1表示的有机磷酸酯：[式1]其中，R1至R3独立地为氢或者取代或未取代的烃基基团，并且R1至R3的至少一个为取代或未取代的烃基基团。
蚀刻组合使用半导体器件绝缘方法以及制备

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