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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法-CN200810009914.9无效
发明人： 金元柱;具俊谟;金锡必;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性存储装置及其制造方法，在该非易失性存储装置中，沟道长度有效地增加并且高集成度是可能的。在该非易失性存储装置中，半导体装置可包括：有源区，通过器件隔离膜限定，有源区可包括至少一个突起部分；成对的控制栅电极，可以覆盖至少一个突起部分的两个侧表面，并可彼此分隔开；成对的电荷存储层，可以位于至少一个突起部分的两个侧表面和成对的控制栅电极之间。
非易失性存储装置及其制造方法

[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法-CN200810003982.4无效
发明人： 金元柱;朴允童;具俊谟;金锡必;李太熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储装置及其操作方法，示例实施例的非易失性存储装置能够具有提高的集成度和可靠性。示例实施例的非易失性存储装置可包括：第一控制栅极，在半导体基底上；第一电荷存储层，可位于半导体基底和第一控制栅极之间；源区，可限定在位于第一控制栅极的一侧的半导体基底中；第一辅助栅极，可位于第一控制栅极的另一侧，并可凹陷到半导体基底中第一漏区，可限定在位于第一辅助栅极的与第一控制栅极相对的一侧的半导体基底中；位线，可连接到第一漏区。
非易失性存储装置及其操作方法

[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法和制造方法-CN200810003978.8无效
发明人： 金元柱;朴允童;具俊谟;金锡必;李太熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了利用氧化物类复合半导体的高度集成的非易失性存储装置以及操作和制造非易失性存储装置的方法。该非易失性存储装置可包括：一个或多个氧化物类复合半导体层；多个辅助栅极，可被布置为与一个或多个氧化物类复合半导体层绝缘；多个控制栅极，可位于多个辅助栅极中的相邻的成对的辅助栅极之间，并与多个辅助栅极位于不同的水平面上，多个控制栅极可与一个或多个氧化物类复合半导体层绝缘；多个电荷存储层，可置于一个或多个氧化物类复合半导体层与多个控制栅极之间。
非易失性存储装置及其操作方法制造方法

[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法-CN200710301183.0无效
发明人：宋承桓;金锡必;朴允童;金元柱;具俊谟;赵庆来;玄在雄;边成宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：示例实施例涉及一种包括鳍型沟道区的半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括半导体基底、半导体柱和接触塞。半导体基底包括用作有源区的至少一对鳍。半导体柱可以置于鳍的部分之间以连接鳍。接触塞可以设置(或形成)在半导体柱上，并且电连接鳍的顶表面。
半导体装置制造方法

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法-CN200710199197.6无效
发明人：玄在雄;朴奎灿;朴允童;金元柱;陈暎究;金锡必;赵庆来;李政勋;宋承桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种高度集成的非易失性存储器装置和一种操作该非易失性存储器装置的方法。该非易失性存储器装置包括半导体层。多个上控制栅电极布置在半导体层的上方。多个下控制栅电极布置在半导体层的下方，多个上控制栅电极和多个下控制栅电极交替地设置。多个上电荷存储层置于半导体层和上控制栅电极之间。多个下电荷存储层置于半导体层和下控制栅电极之间。
非易失性存储器装置及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置及其制造方法-CN200710187399.9有效
发明人： 金元柱;金锡必;朴允童;具俊谟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性存储器装置及其制造方法。在该非易失性存储器装置中，至少一个第一传导类型的第一半导体层可相互分隔开地形成在基底的部分上。多个第一阻抗变化存储层可接触至少一个第一半导体层的每个的第一侧壁。多个第二传导类型的第二半导体层可置于至少一个第一半导体层的每个的第一侧壁和多个第一阻抗变化存储层之间，第二传导类型与第一传导类型相反。多个位线电极可连接到多个第一阻抗变化存储层的每个。
非易失性存储器装置及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器装置及其制造方法-CN200710182351.9无效
发明人： 金元柱;朴允童;具俊谟;金锡必 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-18 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了非易失性存储器装置的示例实施例及其制造方法。该非易失性存储器装置可包括：控制栅极，布置在半导体基底上；栅极绝缘层，置于半导体基底和控制栅极之间；存储节点层，置于栅极绝缘层和控制栅极之间；阻挡绝缘层，置于存储节点层和控制栅极之间；第一掺杂剂掺杂区，沿着控制栅极的第一边；第二掺杂剂掺杂区，沿着控制栅极的第二边。第一掺杂剂掺杂区可以与第二掺杂剂掺杂区交替地形成。以不同的形式表述为，第二掺杂剂掺杂区中的每个可布置在控制栅极的第二边上的与第一掺杂剂掺杂区中的一个相邻的区域中。
非易失性存储器装置及其制造方法

[发明专利]具有一对鳍的半导体器件及其制造方法-CN200710166997.8无效
发明人：金锡必;朴允童;李钟振;金元柱;具俊谟;宋承桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-11-14 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：示例性实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。根据示例性实施例的半导体器件可以具有减小的读取操作期间的干扰，并且可以具有减小的短沟道效应。该半导体器件可以包括半导体基底，该半导体基底具有体和从所述体突出的一对鳍。在所述一对鳍的内侧壁的上部上可以形成内部间隔绝缘层，从而减小进入所述一对鳍之间的区域的入口。栅电极可以覆盖所述一对鳍的外侧壁的一部分，并且可以延伸越过内部间隔绝缘层，从而在所述一对鳍之间限定空隙。可以在栅电极和所述一对鳍之间设置栅极绝缘层。
具有一对半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有旁路晶体管的非易失性存储器件及其操作方法-CN200610172133.2无效
发明人： 金元柱;金锡必;玄在雄;朴允童;具俊谟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：提供了一种能够同时克服NAND型闪存器件和NOR型闪存器件的缺点的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括与一个串连接并与该串相交第一和第二位线。第一和第二存储晶体管被包括在第一和第二位线之间的串中并分别包括控制栅极和存储节点。第一旁路晶体管被包括在第一位线和第一存储晶体管之间的串中并包括第一旁路栅极。第二旁路晶体管被包括在第二存储晶体管和第二位线之间的串中并包括第二旁路栅极。第三旁路晶体管被包括在第一和第二存储晶体管之间的串中并包括第三旁路栅极。第三位线被连接到第三旁路晶体管的沟道上。以及，字线被共同连接到第一和第二存储晶体管中每一个的控制栅极上。
具有旁路晶体管非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]非易失性存储装置及其操作和制造方法-CN200610171720.X无效
发明人： 金元柱;金锡必;朴允童;具俊谟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种可以增加集成度的非易失性存储装置及其操作和制造方法，其特征在于：在非易失性存储装置中，在半导体基底上形成多个第一存储节点膜和多个第一控制栅极。多个第二存储节点膜和多个第二控制栅极凹入半导体基底内以便布置在两个相邻的第一控制栅极之间并且在多个第一控制栅极的底部的下面。在半导体基底上界定多个位线区以便顺序延伸跨过多个第一控制栅极和多个第二控制栅极。
非易失性存储装置及其操作制造方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN200610165952.4无效
发明人： 金元柱;金锡必;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-11 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种允许高集成度的非易失性存储器件及其制造方法。所述非易失性存储器件包括多个第一控制栅电极，各个第一控制栅电极形成得凹入半导体基底内。多个第二控制栅电极以这样的方式形成，使得各个第二控制栅电极设置在多个第一控制栅电极的两个相邻的部分之间。所述多个第二控制栅电极形成于半导体基底上，在多个第一控制栅电极上方。多个第一存储节点膜分别设置在半导体基底和多个第一控制栅电极之间。多个第二存储节点膜分别设置在所述半导体基底和所述多个第二控制栅电极之间。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]具有相对于鳍以一角度延伸的控制栅极的非易失存储器-CN200610165948.8无效
发明人： 金元柱;朴允童;李政勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-11 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面，提供了一种非易失存储器，其包括：半导体衬底，包括体和从体向上突出并彼此分开的成对的鳍；控制栅极，覆盖成对的鳍的至少部分外侧表面并相对于成对的鳍以一角度延伸跨过鳍的顶部；成对的栅极绝缘层，夹置在控制栅极和成对的鳍之间；成对的存储节点层，夹置在成对的栅极绝缘层和至少部分控制栅极之间。
具有相对于角度延伸控制栅极非易失存储器

[发明专利]线型半导体器件及其制造方法-CN200610163107.3无效
发明人：金锡必;朴允童;金元柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种高性能线型半导体器件及其制造的经济方法。该线型半导体器件包括半导体衬底、至少一个半导体线、公共栅极电极和栅极绝缘层。该半导体衬底包括体、突出于该体之上的一对支承柱、以及突出于该体之上并具有连接到该支承柱对的端部的至少一个鳍。该至少一个半导体线形成为与所述至少一个鳍分隔开且具有连接到所述支承柱对的端部。该公共栅极电极形成为包围所述至少一个半导体线的表面。该栅极绝缘层置于所述至少一个半导体线与所述公共栅极电极之间。
线型半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN200610132099.6无效
发明人：朴允童;金锡必;金元柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-10-24 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体存储器装置及其制造方法。该半导体存储器装置包括衬底；至少成对的翼，从该半导体衬底凸起，相互面对且其间存在间隙；绝缘层，形成于该成对的翼之间；存储节点，其形成于该成对的翼与部分绝缘层的表面上；以及栅电极，其形成于该存储节点上。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]非易失存储器件及其制造方法-CN200710085478.9无效
发明人：朴允童;金元柱;具俊谟;金锡必;玄在雄;李政勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-03-07 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种不易受读干扰且具有改善的短沟道效应的非易失存储器件及其制造方法。该非易失存储器件可以包括具有主体和鳍对的半导体衬底。桥绝缘层可以非电连接鳍对的上部分以在所述鳍对之间界定空缺，其中所述鳍对的外表面是不面对所述空缺的鳍对的表面，且所述鳍对的内表面是面对所述空缺的鳍对的表面。该非易失存储器件还可以包括至少一个控制栅电极，覆盖所述鳍对的外表面的至少一部分，在所述桥绝缘层上方延伸，且从所述半导体衬底隔离。至少一对栅绝缘层可以位于所述控制栅电极和所述鳍对之间，且至少一对存储节点可以位于所述至少一对栅绝缘层和至少一个控制栅电极之间。
非易失存储器件及其制造方法

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