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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于人工神经网络生成的方法和电子装置-CN202210985003.X在审
发明人： 金世峻;徐仁静;朴洪君;咸炖憙;金尚骏 -专利权人：三星电子株式会社;哈佛大学
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G06N3/02 文献下载
摘要：公开了用于人工神经网络生成的方法和电子装置。所述方法包括：基于第一生物神经元的动作电位(AP)与第二生物神经元的突触后电位(PSP)之间的激发时间差来执行对与第一生物神经元和第二生物神经元对应的第一存储器的第一电导值的调整；基于第二生物神经元的PSP调整激发时间差；和通过将第一生物神经元的AP与第二生物神经元的PSP之间的另一激发时间差控制为与第一生物神经元和第二生物神经元对应的第一存储器的第二电导值的调整后的激发时间差来执行另一调整。
用于人工神经网络生成方法电子装置

[发明专利]半导体器件及其编程方法-CN201410429712.5有效
发明人： 金世峻;卓在日;朴景焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：电耦接的多个存储器单元，成大体垂直的构型，从半导体衬底起在基本垂直的方向上延伸；外围电路，被配置成编程所述存储器单元；以及控制电路，被配置成：编程从所述多个存储器单元中选出的存储器单元以将电荷俘获在选中的存储器单元中，以及向外围电路发出至少一个命令以管理俘获电荷的至少一部分在与选中的存储器单元相邻的存储器单元之间的分散。
半导体器件及其编程方法

[发明专利]纯化达依泊汀α的方法-CN201480065236.1有效
发明人：李允庭;金炅嬅;杨裕喜;柳贞敏;金世峻;文智铉;吴厚根;李东亿;李元祯;李政缘;李庭旼;崔恩荣;河敬植 -专利权人： CJ医药健康株式会社
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C07K1/18 文献下载
摘要：本发明涉及通过从具有多种含量的唾液酸的达依泊汀α结构同种型的混合物只选择性地分离具有高含量唾液酸的结构同种型而纯化达依泊汀α的方法。由于本发明的方法是纯化达依泊汀α的新方法，达依泊汀α可以方便且简单地产生，所以根据本发明，当大量生产达依泊汀α时，由于工艺效率的提高而显著地增加生产率以及产生高纯度达依泊汀α是可能的。
纯化达依泊汀方法

[发明专利]半导体器件及其操作方法-CN201410384266.0有效
发明人：文庆植;李煕烈;金世峻 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：半导体器件包括：CAM块，其包括具有相对半导体衬底垂直配置的多个垂直存储串，其中，多个垂直存储串中的每个与多个字线电耦接，以及多个字线中的每个与多个CAM单元电耦接；外围电路，其被配置成对选自多个CAM单元的CAM单元编程；以及控制电路，其被配置成将至少一个命令发送至外围电路以将编程电压同时地施加至第n字线、第n‑1字线和第n+1字线，来对与第n‑1字线、第n字线和第n+1字线电耦接的CAM单元同时编程，其中，第n‑1字线和第n+1字线与第n字线相邻，且选中的CAM单元与第n字线电耦接。
半导体器件及其操作方法

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN201210125455.7有效
发明人：徐顺玉;李相范;金世峻 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，包括：多个存储块，所述多个存储块被形成于包括源极区的衬底之上并由缝隙彼此隔开；多个位线，所述多个位线耦接到存储块的串并被设置在存储块之上；以及形成于缝隙内的源极接触线，所述源极接触线分别耦接到源极区并被设置在与多个位线交叉的方向上。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN200710123041.X无效
发明人：朴景焕;崔殷硕;金世峻;刘泫昇 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，其包括在其中形成结的半导体衬底，以及顺序堆叠在所述半导体衬底上方的隧道绝缘层、电荷储存层、阻挡层和栅极电极图案。所述阻挡层具有阻挡绝缘层被高介电层包围的结构。
半导体存储器件及其制造方法

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