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[发明专利]采用钝化界面间隙的电阻变化元件及其制造方法-CN202180068052.0在审
发明人：马克·拉姆斯贝伊;托马斯·鲁克斯;山口达也;野泽秀二;佐藤渚 -专利权人：日本瑞翁株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种制造电阻变化元件的方法。该方法可以包括在衬底之上形成叠层。所述叠层可以包括导电材料、电阻变化材料、第一表面和与第一表面相对的第二表面。该方法还可以包括在叠层之上沉积第一材料，使得第一材料与叠层的第一表面和第二表面中的至少一个直接接触。该方法还可以包括在沉积第一材料之后，在第一材料之上形成第二材料并通过第二材料蒸发第一材料的部分，以在第二材料与叠层的第一表面和第二表面中的至少一个之间产生间隙。
采用钝化界面间隙电阻变化元件及其制造方法

[发明专利]成膜装置和温度控制方法-CN201910912532.5有效
发明人： 野泽秀二;山口达也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和温度控制方法。一种成膜装置，通过蒸镀聚合在被处理基板形成聚合物的膜，所述成膜装置具备载置台、载置台加热器、顶板加热器、控制装置。载置台设置于收容被处理基板的处理容器内，用于载置被处理基板。载置台加热器设置于载置台内，对被载置于载置台上的被处理基板进行加热。顶板加热器设置于与载置台相向的处理容器的顶板。控制装置对载置台加热器和顶板加热器的温度进行控制。另外，控制装置通过以第一温度单位控制载置台加热器的温度来以第一温度单位控制被处理基板的温度。另外，控制装置通过以第二温度单位控制顶板加热器的温度来通过经由顶板放射的辐射热以比第一温度单位更精细的温度单位控制被处理基板的温度。
装置温度控制方法

[发明专利]成膜装置、成膜方法以及存储介质-CN201810206185.X有效
发明人：藤川诚;新纳礼二;桥本浩幸;山口达也;野泽秀二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置、成膜方法以及存储介质。能够在纵型的反应容器内对被棚架状地保持的多个基板进行成膜处理时分别控制基板的中心部的膜厚和周缘部的膜厚。具备：成膜气体喷出部，设置在反应容器内的基板的保持区域的后方，用于喷出所述成膜气体；排气口，设置在基板的保持区域的前方，用于排出成膜气体；旋转机构，用于使基板保持器具绕纵轴进行旋转；以及加热部，将反应容器内加热至比从成膜气体喷出部喷出的成膜气体的温度低的温度。在成膜气体喷出部中，第一喷出口和第二喷出口各自朝向不同的方向开口，使得从第一喷出口喷出的成膜气体与反应容器内的气体降温用构件碰撞而降温，从第二喷出口喷出的成膜气体不与气体降温用构件碰撞。
装置方法以及存储介质

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置-CN201810194164.0有效
发明人：山口达也;新纳礼二;桥本浩幸;野泽秀二;藤川诚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置。在使用掩模来对基板进行离子注入、在离子注入后去除掩模时防止对基板的损伤，进行如下工序：向基板(W)的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1掩模用的膜(21)的工序；以层叠于第1掩模用的膜(21)上的方式形成第2掩模用的无机膜(22)的工序；在第1掩模用的膜(21)和所述第2掩模用的无机膜(22)形成图案、对基板(W)的表面进行离子注入的工序；在进行了离子注入之后去除第2掩模用的无机膜(22)的工序；在进行了离子注入之后对基板(W)进行加热而使所述聚合物解聚来去除第1掩模用的膜(21)的工序。
半导体装置制造方法处理以及真空

[发明专利]半导体装置的制造方法和真空处理装置-CN201810214317.3有效
发明人：山口达也;新纳礼二;桥本浩幸;野泽秀二;藤川诚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法和真空处理装置。提供一种能够在形成于基板的膜形成微细的图案、谋求半导体装置的微细化的技术。进行如下工序：向基板的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1膜(12)的工序；接下来对所述第1膜(12)进行蚀刻而形成图案(17)的工序；接下来对所述基板进行加热而使所述聚合物解聚、并且向该基板供给与所述聚合用的原料进行反应而产生生成物的反应气体、以对所述第1膜(12)进行置换的方式形成由与该第1膜的材质不同的材质构成的第2膜(18)的工序。
半导体装置制造方法真空处理

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN202010744041.7有效
发明人： 野泽秀二;山口达也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法，能够提高形成于基板的有机膜的膜厚度的均匀性。通过气相沉积聚合在基板上进行聚合物的有机膜的成膜的成膜装置具备处理容器、气体供给部、浓度分布控制部以及温度分布控制部。处理容器收容基板。气体供给部向处理容器内供给第一单体的气体和第二单体的气体。浓度分布控制部控制处理容器内的气体的流动，以使包含第一单体的气体和第二单体的气体的混合气体的在基板上的浓度成为预先决定的分布。温度分布控制部控制基板的温度分布，以使基板的与混合气体的浓度高的区域对应的区域的温度比基板的与混合气体的浓度低的区域对应的区域的温度高。
装置方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202010152660.7在审
发明人： 野泽秀二;山口达也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在进行有机膜的相对于基板的形成和该有机膜的表面部的去除时，提高生产率。基板处理装置构成为包括：处理容器，其在内部形成真空环境；载置部，其用于在所述处理容器内载置基板；成膜气体供给部，其向载置于所述载置部的所述基板供给用于成膜有机膜的成膜气体；以及加热部，其以与所述基板非接触的方式加热载置于所述载置部的该基板，而去除所述有机膜的表面部。
处理装置方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202010120010.4在审
发明人： 野泽秀二;山口达也;李善佶 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法。[课题]削减导体装置的制造工序。[解决方案]半导体装置的制造方法包括：第1层叠工序、第2层叠工序和脱离工序。第1层叠工序中，在形成有凹部的基板上层叠聚合物膜，所述聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲键的聚合物的膜。第2层叠工序中，在至少凹部的底部和侧壁由聚合物膜所覆盖的状态下，在基板上层叠封固膜。脱离工序中，将基板加热至第1温度，从而使聚合物膜解聚，使封固膜的下层的聚合物膜借助封固膜而脱离。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体存储器的制造方法-CN201911093989.4在审
发明人：李善佶;山口达也;野泽秀二;佐藤渚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明提供半导体存储器的制造方法。抑制形成孔时的对层叠体产生的损伤和孔内的残渣。在第1蚀刻工序中，在第1层叠工序中，在层叠于基板上的第1层叠体形成第1孔。在第1埋入工序中，在第1孔内埋入由有机材料构成的第1牺牲材料。在第2层叠工序中，向在凹部形成工序中形成于第1层叠体的第1孔的上部的凹部内层叠氧化膜。在第1去除工序中，通过以第2温度对第1层叠体进行退火从而去除第1牺牲材料。在第2埋入工序中，在凹部内的氧化膜上埋入第2牺牲材料。在第3层叠工序中，在第1层叠体和第2牺牲材料上层叠第2层叠体。在第2蚀刻工序中，在第2层叠体的与第1孔相对应的位置形成第2孔。在第2去除工序中，去除氧化膜和第2牺牲材料。
半导体存储器制造方法

[发明专利]器件的制造方法-CN201911113621.X在审
发明人：李善佶;山口达也;佐藤渚;野泽秀二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种器件的制造方法。在具有凹部的被处理体的处理中，保护凹部，并且减少凹部内的残渣。器件的制造方法包含：准备工序、埋入工序、层叠工序、第1去除工序、处理工序以及第2去除工序。在准备工序中，准备具有凹部的被处理体。在埋入工序中，在凹部内埋入由能够热分解的有机材料形成的牺牲材料。在层叠工序中，在埋入凹部内的牺牲材料上层叠临时密封膜。在第1去除工序中，通过以第1温度对被处理体进行退火从而使牺牲材料热分解，而经由临时密封膜使凹部内的牺牲材料去除。在处理工序中，在由临时密封膜覆盖了凹部的状态下，对被处理体的除凹部以外的部分施加规定的处理。在第2去除工序中，去除临时密封膜。
器件制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201910893160.6在审
发明人： 野泽秀二;山口达也;佐藤渚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法。在半导体装置内形成所期望的形状和大小的空隙。半导体装置的制造方法包括第1层叠工序、调整工序、第2层叠工序、以及加热工序。在第1层叠工序中，在设于基板上且含有第1材料的多个构造物的周围层叠聚合物膜，该聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲键的聚合物的膜。在调整工序中，调整聚合物膜的形状。在第2层叠工序中，以覆盖聚合物膜的方式在聚合物膜之上层叠临时密封膜。在加热工序中，通过加热聚合物膜，聚合物解聚成多种单体，解聚而成的多种单体经由临时密封膜脱离。
半导体装置制造方法

[发明专利]基板处理装置-CN201910842127.0在审
发明人： 野泽秀二;饭塚洋二;山口达也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置抑制附着于排气路径的沉积物。所述基板处理装置具备处理室、第一气体供给部、排气装置、第一排气管以及能量供给装置。处理室收容被处理基板。第一气体供给部通过向处理室内供给包含第一单体的气体和包含通过与第一单体发生聚合反应来形成聚合物的第二单体的气体，来在被处理基板形成聚合物的膜。排气装置对处理室内的气体进行排气。第一排气管将处理室与排气装置连接。能量供给装置向在第一排气管内流动的气体供给能量，由此使从处理室排出的气体中包含的第一单体和第二单体中的至少任一方的未反应成分低分子化。
处理装置

[发明专利]半导体装置的制造方法和基板处理装置-CN201910445691.9在审
发明人：山口达也;野泽秀二;佐藤渚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法和基板处理装置。本发明提供一种能确保层间绝缘膜的机械强度的技术。本公开的一方式的半导体装置的制造方法包括如下工序：填埋工序、氧化膜形成工序和脱离工序。填埋工序中，以具有脲键的聚合物填埋形成于基板上的孔隙。氧化膜形成工序中，在前述基板上形成氧化膜。脱离工序中，使前述聚合物解聚，由此使解聚后的前述聚合物通过前述氧化膜而从前述孔隙脱离。
聚合物填埋氧化膜形成工序半导体装置氧化膜解聚脱离基板处理装置层间绝缘膜前述基板基板脲键制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201811234403.7在审
发明人：山口达也;新纳礼二;野泽秀二;藤川诚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，在使用牺牲膜来制造半导体装置时，可以容易地调节牺牲膜的形状、膜量，且有助于工序的简化。将聚合用的原料供给至基板的表面，形成由具有脲键的聚合物(聚脲膜8)构成的牺牲膜。作为成膜方法的一个例子，可以使用异氰酸酯和胺并通过共聚来生成，例如，在真空气氛下将两种原料以气体状态交替供给至基板。通过对牺牲膜进行加热，一部分发生解聚而形成单体，并通过冷却来进行聚合。因此，可以改变牺牲膜的截面形状，可以使高度差基板上的牺牲膜的高度差部分平坦化，或者由凹部内形成有空隙的状态变成嵌入有聚脲的状态。而且可以通过解聚来调节(降低)牺牲膜的膜厚。
牺牲膜半导体装置基板高度差解聚聚合制造交替供给截面形状气体状态异氰酸酯原料供给真空气氛聚合物聚脲膜平坦化共聚凹部成膜聚脲膜厚膜量脲键加热嵌入冷却

[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置-CN200710088374.3有效
发明人：小笠原幸辅;齐藤进;野泽秀二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-16 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置，能够自动判定基板的种类，自动选择与所判定基板类别对应的终点检测设定，由此，能够在不限定基板类别的情况下进行正确的终点检测。预先求得与多种晶片类别对应而设定的晶片类别数据与光学数据的相关关系，在等离子体处理晶片时，利用相关关系，从开始等离子体处理时得到的光学数据算出晶片类别数据(S221、S222)，基于算出的晶片类别数据判定晶片类别(S223)，从存储在数据存储单元中的各终点检测设定数据中选择与所判定晶片类别对应的终点检测设定数据(S224)，基于所选择的终点检测设定数据进行等离子体处理的终点检测。
等离子体处理方法装置

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