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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有下摆的裤子用的纸样、根据该纸样实施的具有下摆的裤子的制造方法、通过该制造方法制造的具有下摆的裤子-CN202280007093.3在审
发明人：安威守人;里健一 -专利权人：株式会社DSP
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： A41D1/06 文献下载
摘要：本发明提供一种在胯下的部分没有缝痕、实施缝合的部分少的简单的一片制成的具有下摆的裤子用的纸样。本发明的具有下摆的裤子用的纸样的特征在于，由大致矩形的右侧筒形成部(2)、将右侧筒形成部的纸样上下反转而成的大致矩形的左侧筒形成部(3)、胯下部分(4)构成，胯下部分由：与右侧筒形成部的右前身片的下摆部分连接并将该部分设为等腰中的一边的等腰三角形、和与等腰三角形共通底边且与左侧筒形成部的左后身片的下摆部分连接并将该部分设为等腰中的一边的等腰三角形组合形成的四边形构成。通过使用采用该结构的纸样，能够简单地制造具有下摆的类型的从半裤到长裤。
具有下摆裤子纸样根据实施制造方法通过

[发明专利]光电转换元件及光电转换模块-CN201680074846.7有效
发明人：山本晃永;中村重幸;永野辉昌;里健一 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种光电转换元件，其具备：多个像素(10)，其形成于共用的半导体基板(30)，且分别包含雪崩光电二极管；第1配线(21)，其形成于上述半导体基板上，与上述多个像素(10)中所含的两个以上的第1像素(11)电连接，且将来自上述两个以上的第1像素(11)的输出电流一并提取；以及第2配线(22)，其形成于上述半导体基板(30)上，与上述多个像素(10)中所含的两个以上的第2像素(12)电连接，且将来自上述两个以上的第2像素(12)的输出电流一并提取；且上述第1像素(11)的受光面积大于上述第2像素(12)的受光面积。
光电转换元件模块

[发明专利]光检测装置-CN201580077830.7有效
发明人：镰仓正吾;山田隆太;里健一 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的半导体基板(1N)具有：配置有多个像素的第一区域(RS1)，及从主面(1Na)与主面(1Nb)相对的方向观察、以被第一区域(RS1)包围的方式位于第一区域(RS1)的内侧的第二区域(RS2)。在半导体基板(1N)的第二区域(RS2)形成有贯通半导体基板(1N)的贯通孔(TH)。配置于半导体基板(1N)的主面(1Na)侧且与多个像素电性连接的电极(E3)，与配置于搭载基板(20)的主面(20a)侧的电极(E5)经由插通于贯通孔(TH)的接合引线(W1)而连接。
检测装置

[发明专利]检测器、PET装置和X射线CT装置-CN201480009663.8有效
发明人：藤井义磨郎;永野辉昌;山村和久;里健一;土屋龙太郎 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明的检测器的各个半导体芯片具备：半导体基板，其具有多个光检测部；绝缘层，其形成在半导体基板的表面上；共用电极，其配置在绝缘层上；读出配线，其将各个光检测部的降压电阻与共用电极电连接；以及贯通电极，其从共用电极经由半导体基板的贯通孔而延伸至半导体基板的背面。
半导体基板共用电极绝缘层检测器光检测部半导体芯片读出配线贯通电极降压电阻电连接贯通孔背面延伸配置

[发明专利]光检测器-CN201480068840.X有效
发明人：永野辉昌;里健一;土屋龙太郎 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：在本发明的光检测器中，规定半导体区域(14)的外缘的边界线(BY)由信号读出配线(E3)覆盖，在半导体区域(14)与信号读出配线(E3)之间构成电容器。载流子的高频成分(峰值成分)经由电容器，快速提取至外部，通过信号读出配线(E3)覆盖边界线(BY)，使半导体的边界线附近的电位稳定，输出信号稳定。
检测器

[发明专利]光电二极管阵列-CN201380054725.2有效
发明人：山本晃永;永野辉昌;山村和久;里健一;土屋龙太郎 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种高时间分辨率的光电二极管阵列。受光区域包含多个光检测部(10)，各个光检测部(10)具备：第1导电型的第1半导体区域(12)；第2导电型的第2半导体区域(13、14)，其与第1半导体区域(12)构成pn结；第1接触电极(3A)，其与第2半导体区域接触；第2接触电极(4A)，其具备与第1接触电极(3A)不同的材料，配置在重叠于第1接触电极(3A)的位置，并与第1接触电极接触；以及电阻层(4B)，其与第2接触电极(4A)连续。
光电二极管阵列

[发明专利]光电二极管阵列、基准电压决定方法及推荐动作电压决定方法-CN201180072092.9有效
发明人： 里健一;镰仓正吾;中村重幸;太田刚;平柳通人;铃木裕树;足立俊介 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供光电二极管阵列、基准电压决定方法及推荐动作电压决定方法。对光电二极管阵列施加反偏电压，该光电二极管阵列具备：以盖格模式动作的多个雪崩光电二极管；及相对于各雪崩光电二极管串联连接的降压电阻。使施加的反偏电压变化而测定电流，并将所测定的电流的变化中的拐点处的反偏电压作为基准电压而决定。将对所决定的基准电压加上规定的值而得到的电压作为推荐动作电压而决定。
光电二极管阵列基准电压决定方法推荐动作

[发明专利]光电二极管阵列-CN201180052213.3有效
发明人： 里健一;山村和久;大须贺慎二 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：光电二极管阵列（10）包含：淬灭电阻（7），与各个雪崩光电二极管（APD）串联连接；外周配线（WL），包围形成有多个雪崩光电二极管（APD）的区域；及多个中继配线（8），电连接于外周配线（WL），且分别连接外周配线（WL）的至少2个部位之间。各个雪崩光电二极管（APD）的阳极及阴极的一方经由淬灭电阻（7）而电连接于中继配线（8）的任意一个，各个雪崩光电二极管（APD）的阳极及阴极的另一方电连接于设置于半导体基板的其它的电极（6）。
光电二极管阵列

[发明专利]光电二极管阵列-CN200780025307.5有效
发明人：山村和久;里健一 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2007-07-03 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：光电二极管阵列(1)，由使被检测光入射的多个光检测通道(10)形成于具有n型半导体层(12)的n型的基板(2)而形成。光电二极管阵列(1)具备：在基板(2)的n型半导体层(12)上形成的p^-型半导体层(13)、设在每个光检测通道(10)且一端部连接于信号导线(3)的电阻(4)、以及在多个光检测通道(10)之间形成的n型分离部(20)。p^-型半导体层(13)在与基板(2)的界面构成pn结，对应于光检测通道，具有使因被检测光的入射而产生的载流子雪崩倍增的多个倍增区域(AM)。形成分离部(20)，使得p^-型半导体层(13)的各倍增区域(AM)对应于各光检测通道(10)而形成。
光电二极管阵列

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