专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种应急防护处置网-CN202310843261.9在审
  • 陈嘉恒;王磊;郭晨光;沈箫;张登科 - 西安天元航空技术服务有限公司
  • 2023-07-11 - 2023-09-05 - B64D45/00
  • 本发明涉及飞机技术领域,具体涉及一种应急防护处置网;包括舱门、连接组件、第一连接杆、第二连接杆和防护网,防护网分别与第一连接杆和第二连接杆固定连接,防护组件包括两个限位钩、两个限位套、两个限位弧块、两根抵持弹簧和两个拉杆,两个限位钩均与舱门固定连接,两个限位套均与舱门固定连接,第一连接杆均与两个限位钩相适配,第二连接杆均与两个限位套相适配,两个限位弧块分别与对应的凹槽相适配,每根抵持弹簧的两端分别与对应的限位套和限位弧块固定连接,每根拉杆分别与对应的限位弧块固定连接,并分别贯穿对应的开口槽,通过上述结构的设置,实现了提高舱门处的安全性,保护了人员安全。
  • 一种应急防护处置
  • [发明专利]硫系玻璃压型控制系统-CN202210790179.X有效
  • 尹士平;请求不公布姓名;龙群桦;郭晨光;黄芳芳 - 安徽光智科技有限公司
  • 2022-07-05 - 2023-09-01 - G05B19/05
  • 提供一种硫系玻璃压型控制系统,其包括HMI、PLC、第一RS485串行通信接口、第二RS485串行通信接口、各工位的底板加热智能温控仪、模具测温仪、数显氮气流量计;HMI经由第一RS485串行通信接口连接于PLC;HMI经由第二RS485串行通信接口连接于各工位的底板加热智能温控仪、模具测温仪、数显氮气流量计;HMI远程操控对应工位的加热模具的底板、底板加热智能温控仪、模具测温仪、数显氮气流量计、冲压缸的启停,实时动态地显示各工位的模具的温度、加热模具的底板的温度、氮气的流量,在自动模式下依硫系玻璃压型工艺流程路线执行硫系玻璃压型操作,如出现未按照自动模式下的工艺流程路线的误操作,则拒绝执行;由此,提高智能控制。
  • 玻璃控制系统
  • [发明专利]一种P型低位错锗单晶制备工艺-CN202210203200.1有效
  • 黄治成;郭晨光;包炤东 - 安徽光智科技有限公司
  • 2022-03-03 - 2023-08-18 - C30B29/08
  • 本发明属于单晶生长技术领域,公开了一种P型低位错锗单晶的制备工艺,具体包括:原料酸法腐蚀、引细颈、放肩、转肩、等径生长、收尾退火、降温冷却,该工艺在放肩阶段保持温度恒定不变,分两个阶段线性降低晶体生长速度,第一阶段:在3~3.5h内,把生长速度从2.0~2.5mm/min降到0.5~1.0mm/min;第二阶段:在5~5.5h内,把生长速度从0.5~1.0mm/min降到0.2~0.25mm/min。本发明在原有的CZ工艺基础上对放肩工艺进行改进,可生长出低位错密度的P型锗单晶,为以后实现零位错、低缺陷太阳能级P型锗单晶打下坚实的基础。
  • 一种低位错锗单晶制备工艺
  • [发明专利]难熔金属三维异形件及增材制造方法-CN202310442143.7在审
  • 张百成;张茂航;李星宇;郭晨光;蔡嘉伟;赵琛;张雨薇;曲选辉 - 北京科技大学
  • 2023-04-23 - 2023-08-15 - B22F9/24
  • 本发明涉及难熔金属增材制造技术领域,提供了一种难熔金属三维异形件及增材制造方法,所述方法包括:前驱体制备、增材制造浆料制备、增材制造和热处理。本发明采用难熔金属的氧化物前驱体为湿化学法合成的纳米粉体,可还原出纳米难熔金属粉体,经过打印和热处理后,可获得致密的难熔金属三维异型件。本发明在无压条件下即可烧结出致密金属件,保证了难熔金属的优异性能;在脱脂阶段不会分解放出气体,结合两步脱脂法,可以完全避免裂纹和孔隙的引入;各类金属盐制备可制备不同的金属氧化物,在相同的工序下即可获得相应的金属构件;能够生产非薄壁件,具有工业化应用的潜力。
  • 金属三维异形制造方法
  • [发明专利]一种二氧化碳激光反射镜及其制备方法-CN202310223328.9在审
  • 戴辉;尹士平;郭晨光 - 安徽光智科技有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-07-11 - G02B5/08
  • 本发明提供一种二氧化碳激光反射镜,该激光反射镜包括基底,依次设于基底上的镍铬合金镀层、金属银层、一组以上交替设置的硫化锌和锗层,以及碳化硼层。该二氧化碳激光反射镜通过各镀层材料以及镀层厚度的配合,使得其在保证8‑12μm的长波长区间的高反射率的同时整体厚度极低,产品硬度高、耐磨性好、激光损伤阈值高、使用寿命长,激光功率高,且膜层的生产连续性好,无需进行多种工艺和生产场所的切换,可以在蒸镀机中实现所有膜层的沉积,因而生产流程简单、生产成本低、良率和生产效率高,适于进行大规模生产应用。
  • 一种二氧化碳激光反射及其制备方法
  • [实用新型]安瓿瓶焊封装置-CN202320302862.4有效
  • 何世杰;孙林;吕新杨;王骏闻;郭晨光;方艺静;田茂清 - 安徽光智科技有限公司
  • 2023-02-21 - 2023-06-30 - C03B23/18
  • 本实用新型公开了一种安瓿瓶焊封装置,包括:用于支撑安瓿瓶的支撑平台;用于对所述安瓿瓶的支管进行焊接的焊枪结构,所述焊枪结构包括能够沿所述支管的周向均匀分布的多个枪嘴;与所述支撑平台连接的支撑柱,所述焊枪结构设置于所述支撑柱上。本实用新型提供的安瓿瓶焊封装置,焊枪结构设置于支撑柱上,使得焊枪结构能够与支撑平台上的安瓿瓶相对设置,避免了手拿焊枪对安瓿瓶的支管进行焊接的操作,从而降低人为操作失误的几率,降低了焊接的风险;并且,焊枪结构包括能够沿支管的周向均匀分布的多个枪嘴,使得支管沿周向均匀受热,避免点受热快速融化而产生的凹陷破损,提高了支管焊接的均匀性,进而降低经济损失。
  • 安瓿瓶焊封装置
  • [发明专利]类金刚石薄膜制备方法-CN202310222342.7在审
  • 戴辉;尹士平;郭晨光 - 安徽光智科技有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-06-23 - C23C16/26
  • 一种类金刚石薄膜制备方法包括步骤:将陪镀片置于射频等离子增强化学气象沉积设备的腔体内部的阴极工件盘上;将腔体抽真空,阴极工件盘加热;通入丁烷、氩气、锗烷/硅烷,以体积总量计,丁烷占65%‑75%,氩气占5%‑15%,锗烷/硅烷占20%‑30%,开启射频电源,通过射频电源使混合气体离子化并化学反应以在陪镀片的表面上沉积膜厚大于0但在200nm以下的膜,该膜为软膜;软膜制备完成后,通入丁烷和氩气的混合气,以体积总量计,丁烷占85%‑95%,氩气占5%‑15%,开启射频电源,通过射频电源使混合气离子化并化学反应以在软膜的表面上沉积膜厚为200nm‑800nm的膜,该膜为硬膜,陪镀片上的软膜和硬膜构成类金刚石薄膜。能够降低整体类金刚石薄膜的应力,能够制备整体膜厚更厚的类金刚石薄膜。
  • 金刚石薄膜制备方法
  • [发明专利]蒸发制备碳化硼薄膜的方法-CN202310223326.X在审
  • 戴辉;刘克武;尹士平;郭晨光 - 安徽光智科技有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-06-06 - C23C14/24
  • 本发明属于真空镀膜领域,公开了一种蒸发制备碳化硼薄膜的方法。包括以下步骤:将硼粉置于蒸发镀膜机坩埚内,将清洗、干燥后的基片放到蒸发镀膜机中坩埚的上方;将蒸发镀膜机抽真空,开启电子枪以高能电子束对硼粉进行融化、蒸发,同时离子源开启,离子源使用重惰性气体和碳源气体的混合气体,气体经辉光放电产生重惰性气体离子、碳离子,经电离后高能量的碳离子和蒸发出来的硼反应生成碳化硼薄膜。本发明方法可以在低温下制备出碳化硼薄膜,避免了化学气象沉积法需要高温镀制带来的局限性。同时可以应用在蒸镀机中实现红外增透膜与碳化硼保护膜连续完成。
  • 蒸发制备碳化薄膜方法
  • [发明专利]总线激励仿真模型-CN202111339590.7在审
  • 郭晨光 - 上海合见工业软件集团有限公司
  • 2021-11-12 - 2023-05-16 - G06F30/20
  • 本发明涉及一种总线激励仿真模型,当执行总线激励仿真时,实现:步骤C1、获取激励数据配置信息和硬件协议配置信息;步骤C2、根据激励数据配置信息和预先配置的寄存器配置信息按照预设的激励数据传输数据结构生成激励数据流;步骤C3、根据硬件协议配置信息在总线激励模型中生成对应的硬件协议结构体;步骤C4、根据目标输出接口的类型将硬件协议结构体附载到激励数据流上,生成数据流;步骤C5、通过目标输出接口将所述数据流输出至目标硬件,解析数据流,基于目标输出接口类型将对应的硬件协议配置信息和激励数据配置信息耦合后执行对应的总线激励仿真操作。本发明能够支持任意激励数据和硬件协议,能够灵活配置,具有通用性。
  • 总线激励仿真模型
  • [发明专利]总线激励仿真系统-CN202111339594.5在审
  • 郭晨光 - 上海合见工业软件集团有限公司
  • 2021-11-12 - 2023-05-16 - G06F30/20
  • 本发明涉及一种总线激励仿真系统,实现:步骤S1、分别对每一总线激励模型执行仿真前配置操作,全部完成仿真前配置操作时,执行步骤S2;步骤S2、将每一总线激励模型对应的激励数据配置信息、硬件协议配置信息和寄存器配置信息输入所述总线激励模型生成数据流,传输所述数据流,当全部收到回复信息时,执行步骤S3;步骤S3、对每一总线激励模型执行仿真结束后配置操作,所述仿真结束后配置操作包括寄存器配置操作和从内存数据导出数据操作,当全部完成仿真结束后配置操作时,结束流程。本发明能够模拟多主机间的同步配置功能、支持任意激励数据和硬件协议,构造和寄存器配置相关复杂激励场景。
  • 总线激励仿真系统
  • [发明专利]支持多仿真器的命令处理系统-CN202310110271.1在审
  • 郭晨光;罗文涛 - 上海合见工业软件集团有限公司
  • 2023-02-13 - 2023-05-09 - G06F30/398
  • 本发明涉及芯片技术领域,尤其涉及一种支持多仿真器的命令处理系统,实现步骤S1、根据预设的配置文件结构生成配置文件;步骤S2、解析配置文件,将目标仿真器标识对应的插件确定为目标插件,根据目标插件对应的配置选项映射表将软件代码配置信息和/或硬件代码配置信息填入目标插件对应的待补充选项中;步骤S3、生成命令行选项配置信息;步骤S4、解析命令行选项配置信息,根据任务类型从目标插件中选择对应的命令集,作为目标命令集,将任务类型对应的命令行配置信息填入目标插件对应的待补充选项,生成目标执行命令集;步骤S5、执行目标执行命令集,实现目标任务。本发明提高了系统级仿真的效率,降低了系统级仿真。
  • 支持仿真器命令处理系统

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