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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]处理呼入呼叫的方法和支持该方法的电子设备-CN201980051989.X有效
发明人：朴晟媛;郑镇基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H04M1/72412 文献下载
摘要：提供一种电子设备。该电子设备包括：第一通信电路，与短距离通信设备通信；第二通信电路，接收呼入呼叫；显示器；以及处理器，与第一通信电路、第二通信电路和显示器可操作地连接并控制显示器。当经由第二通信电路接收到呼入呼叫时，处理器确定是否存在经由第一通信电路连接的短距离通信设备，并根据至少一个短距离通信设备是否与电子设备连接，来在显示器上显示与呼入呼叫相关联的第一呼叫接收对象或与短距离通信设备之一相关联的第二呼叫接收对象中的至少一个。
处理呼入呼叫方法支持电子设备

[外观设计]手机的动态图形用户界面-CN201930210001.2有效
发明人：李龙求;郑镇基;奉在辰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：手机的动态图形用户界面。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于运行程序和移动通信。;3．本外观设计产品的设计要点：在于手机的屏幕中显示的动态图形用户界面。;4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。;5．省略视图：本外观设计产品涉及图形用户界面，其设计要点在于图形用户界面，故省略后视图、左视图、右视图、俯视图及仰视图。;6．界面用途：该动态图形用户界面可从主视图的界面到界面变化状态图1‑6依次变化，以在收到来电时通过突出显示下部图标的方式让用户知道收到来电。
手机的动态图形用户界面

[外观设计]手机用动态图形用户界面-CN201930008178.4有效
发明人：李龙求;柳硕铉;郑镇基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：手机用动态图形用户界面。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于通讯等。3．本外观设计产品的设计要点：在于图形用户界面的内容。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：变化状态图3。5．省略视图：其它视图无设计要点，故省略。6．界面用途：当使用者打电话时，一个圆形更亮的颜色范围展开并逐渐充满整个屏幕。当整个屏幕被更亮的颜色范围充满后，屏幕颜色再次变暗。
外观设计动态图形用户界面整个屏幕省略手机图形用户界面变化状态屏幕颜色变暗打电话通讯图片

[外观设计]手机用动态图形用户界面-CN201830071154.9有效
发明人：李龙求;柳硕铉;郑镇基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：手机用动态图形用户界面。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于通讯等。3．本外观设计产品的设计要点：在于图形用户界面的内容。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1变化状态图3。5．省略视图：其它视图无设计要点，故省略。6．指定基本设计：设计1。7．界面用途：当使用者打电话时，一个圆形更亮的颜色范围展开并逐渐充满整个屏幕。当整个屏幕被更亮的颜色范围充满后，屏幕颜色再次变暗。
外观设计动态图形用户界面整个屏幕省略手机图形用户界面变化状态屏幕颜色变暗打电话通讯图片

[外观设计]移动电话的动态图形用户界面-CN201730090574.7有效
发明人：李龙求;郑镇基;朴世拉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称移动电话的动态图形用户界面。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于运行程序以及移动通信。3．本外观设计产品的设计要点在于移动电话的屏幕中显示的动态图形用户界面。4、界面用途设计1和设计2的界面均示出了用于运行示出图片的程序的动态图标。当用户点击界面中的动态图标时，可示出供用户选择的图片从而发送图片。5．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片设计2主视图。6．指定基本设计设计2。
移动电话动态图形用户界面

[外观设计]移动电话的动态图形用户界面-CN201730091505.8有效
发明人： 郑镇基;尹智惠;朴世拉;刘裁仁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称移动电话的动态图形用户界面。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于运行程序以及移动通信。3．本外观设计产品的设计要点在于移动电话的屏幕中显示的动态图形用户界面。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片主视图。5．界面用途当用户点击主视图中央的三角形图标时，将显示供用户选择进行发送的图片。
移动电话动态图形用户界面

[发明专利]形成掩埋位线的方法、具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法-CN201210223828.4有效
发明人：金裕松;郑镇基 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-07-02 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤刻蚀半导体衬底并且形成被多个沟槽彼此分开的多个本体；形成具有开口部的保护层以使本体中的每个的两个侧壁暴露出来；通过使本体经由开口部所暴露出的部分硅化来形成掩埋位线；以及形成电介质层以间隙填充沟槽并且限定相邻的掩埋位线之间的空气间隙。
形成掩埋方法具有半导体器件及其制造

[发明专利]在半导体器件中制造孔图案的方法-CN201210043324.4无效
发明人： 郑镇基;朴正熙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体器件中制造孔图案的方法，包括以下步骤：在刻蚀层之上形成第一有机层；在第一有机层之上形成第一无机层图案；利用第一无机层图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀第一有机层；在第一有机层之上形成第二有机层；在第二有机层之上形成第二无机层图案，其中第二无机层图案与第一无机层图案相交叉；利用第二无机层图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀第一有机层和第二有机层；以及利用被刻蚀的第一有机层和第二有机层作为刻蚀阻挡层来对刻蚀层进行刻蚀以形成孔图案。
半导体器件制造图案方法

[发明专利]制造非易失性存储器件的方法-CN200910148990.2有效
发明人：朴靖雨;郑镇基;洪权;朴基善 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-06-16 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供一种制造非易失性半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成第一硬掩模层；蚀刻第一硬掩模层和衬底以形成在第一方向上彼此平行延伸的多个隔离沟槽；在隔离沟槽中掩埋介电层以形成隔离层；在其中形成隔离层的所得结构上形成多个浮置栅极掩模图案，所述浮置栅极掩模图案在与第一方向交叉的第二方向上彼此平行延伸；通过使用浮置栅极掩模图案作为蚀刻阻挡来蚀刻第一硬掩模层，以形成多个岛形浮置栅电极沟槽；和在浮置栅电极沟槽中掩埋导电层以形成多个岛形浮置栅电极。
制造非易失性存储器方法

[发明专利]相变存储器件及其制造方法-CN200910132603.6无效
发明人： 郑镇基 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及相变存储器及其制造方法。一种相变存储器件包括下部电极以及共用所述下部电极的至少两个相变存储单元。另一种相变存储器件包括加热层，所述加热层具有较小的与相变材料层的接触面积以及较大的与PN二极管结构的接触面积。
相变存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810211691.4有效
发明人： 郑镇基 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-09-18 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述器件包括：柱状物图案、环绕柱状物图案的栅极绝缘层、和环绕栅极绝缘层并且连接相邻栅极绝缘层的导电层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200810131264.5无效
发明人： 郑镇基 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-08-05 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：在蚀刻目标层上形成偶数个第一硬掩模图案，在第一硬掩模图案的侧壁上形成牺牲图案和在牺牲图案的侧壁上形成第二硬掩模图案。第二硬掩模图案形成为在第一硬掩模图案之间具有第一间隔。通过使用第一和第二硬掩模图案对蚀刻目标层进行蚀刻。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200810135174.3无效
发明人： 郑镇基 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-08-13 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在形成有蚀刻目标层的衬底上以特定间隔来形成多个第一硬掩模图案；沿着形成有所述第一硬掩模图案的衬底的阶梯形成牺牲层；在该牺牲层上形成第二硬掩模层；蚀刻该第二硬掩模层的一部分以暴露该牺牲层且形成保留在所述第一硬掩模图案之间的第二硬掩模图案；移除所述第一硬掩模图案与所述第二硬掩模图案之间的牺牲层；和使用所述第一硬掩模图案以及所述第二硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述蚀刻目标层。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200710145691.4无效
发明人： 郑镇基 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在包括单元区域和周边区域的衬底上形成蚀刻目标层；在所述单元区域中的蚀刻目标层上形成具有第一部分和第二部分的第一掩模图案，以及在所述周边区域中的蚀刻目标层上形成具有第一部分和第二部分的第二掩模图案；在所述单元区域上形成光刻胶图案；修整所述第二掩模图案的第一部分；移除所述光刻胶图案以及第一掩模图案的第二部分和第二掩模图案的第二部分；蚀刻所述蚀刻目标层以在所述单元区域和所述周边区域中形成图案。
制造半导体器件方法

[发明专利]利用钨作为牺牲硬掩膜制造半导体器件的方法-CN200510073045.2有效
发明人：金光玉;曹允硕;文承灿;郑镇基;李圣权;宣俊劦;李东德;金镇雄;尹奎汉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-05-30 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用钨作为牺牲硬掩膜材料来制造半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：在蚀刻目标层上形成一个层；在该层上形成光刻胶图案；通过使用该光刻胶图案为蚀刻掩膜连同使用含有CHF₃气体的等离子体来蚀刻该层以形成牺牲硬掩膜；以及通过使用至少该牺牲硬掩膜作为蚀刻掩膜来蚀刻该蚀刻目标层，由此获得预定图案。
利用作为牺牲硬掩膜制造半导体器件方法

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