“郑文杰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1133个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310402343.X在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，包括衬底及依次沉积于衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、n型AlGaN层、准备层、有源层、电子阻挡层、p型AlGaN层和p型接触层，准备层包括依次沉积于n型AlGaN层上的第一准备子层、第二准备子层、超晶格准备子层及第三准备子层；第一准备子层为SiC层，第二准备子层为n型AlN层，超晶格准备子层包括周期性依次交替设置的n型AlaGa1‑aN垒层及AlmInnGa1‑m‑nN阱层，第三准备子层为n型AlbGa1‑bN层，0＜a＜0.5，0＜m＜0.2，0＜n＜0.1，0＜b＜0.5。
一种高光效发光二极管外延及其制备方法

[实用新型]螺杆式水蒸气增压机组-CN202223435500.7有效
发明人：魏国东;王乐民;郑文杰;戴佳秋;王小伟;李观铭;施颖斌 -专利权人：浙江柯茂节能环保工程设备有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： F04C29/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种螺杆式水蒸气增压机组，其包括螺杆式水蒸气压缩机、气压罐、喷水泵和第一阀门，所述螺杆式水蒸气压缩机具有喷水口，所述喷水泵连接于所述气压罐并与所述气压罐相连通，所述第一阀门的两端分别连接于所述气压罐和所述喷水口并与所述气压罐和所述螺杆式水蒸气压缩机相连通。本实用新型的螺杆式水蒸气增压机组，喷水方式为喷水泵为气压罐补水，通过气压罐为螺杆式水蒸气压缩机喷水。相比于直接用喷水泵喷水方式，一方面可以通过减少喷水泵的运行时间来降低喷水泵耗功；另一方面利用气压罐可以更好适应喷水流量变化。同时，螺杆式水蒸气压缩机通过压缩过程喷水，可以精准控制排气温度。
螺杆水蒸气增压机组

[发明专利]深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED-CN202310173554.0有效
发明人： 郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED，所述深紫外LED外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；所述P型接触层包括依次层叠于所述P型AlGaN层上的Mg掺杂BaAlbGa1‑a‑bN层、BxAlyGa1‑x‑yN纳米团簇层/Mg掺杂BxAlyGa1‑x‑yN层超晶格层。本发明提供的深紫外LED外延片能够提高深紫外LED外延片的光提取效率。
深紫 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种多量子阱发光层、发光二极管及其制备方法-CN202310378783.6在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;程金连;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种多量子阱发光层、发光二极管及其制备方法，方法包括获取一衬底；在衬底上依次生长N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、以及P型半导体层；其中，生长多量子阱发光层的方法包括在低温应力释放层上依次周期性交替生长Ga极性渐变阱前保护层、Ga极性阱层、Ga极性渐变阱后保护层、以及混合极性垒层；其中，生长混合极性垒层的方法包括在Ga极性渐变阱后保护层上依次周期性交替生长Ga极性垒层与N极性垒层。本申请通过交替层叠的Ga极性渐变阱前保护层、Ga极性阱层、Ga极性渐变阱后保护层及混合极性垒层，减小量子阱中受压应力形成的电场大小，致使量子阱能带倾斜和弯曲程度减轻，提高发光效率。
一种多量发光发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310064258.7在审
发明人：高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;程金连;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域，所述发光二极管外延片包括衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、缺陷屏蔽层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层及P型GaN层，所述缺陷屏蔽层包括依次层叠于所述缓冲层之上的第一GaN层、MgxN(1‑x)层、第二GaN层、ByGa(1‑y)N层，本发明能够解决现有技术中利用缓冲层技术及两步生长法改善底层晶格失配和热失配的效果有限，影响发光效率的技术问题。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310165842.1在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、插入层、电子阻挡层、P型GaN层；所述插入层包括AlN层和超晶格层，所述超晶格层包括依次层叠的P‑AlN层、P‑InN层和P‑GaN层，其周期数≥2。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]进入省电模式的方法、系统和计算机存储介质-CN202111305493.6在审
发明人： 郑文杰 -专利权人：辉达公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06F1/3234 文献下载
摘要：一种进入省电模式的方法、系统和计算机存储介质，该方法包括：获取使硬件加速器进入省电模式的指令；通过所述硬件加速器与非易失性高速存储设备之间的直连通道，将所述硬件加速器的内存中的数据复制到所述非易失性高速存储设备；停止向所述硬件加速器供电，以进入所述省电模式。本申请能够在不强制关闭或暂停应用程序的前提下进入省电模式，提高了用户体验。
进入模式方法系统计算机存储介质

[发明专利]螺杆式水蒸气增压机组-CN202211637550.5在审
发明人：魏国东;王乐民;郑文杰;戴佳秋;王小伟;李观铭;施颖斌 -专利权人：浙江柯茂节能环保工程设备有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： F04C29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种螺杆式水蒸气增压机组，其包括螺杆式水蒸气压缩机、气压罐、喷水泵和第一阀门，所述螺杆式水蒸气压缩机具有喷水口，所述喷水泵连接于所述气压罐并与所述气压罐相连通，所述第一阀门的两端分别连接于所述气压罐和所述喷水口并与所述气压罐和所述螺杆式水蒸气压缩机相连通。本发明的螺杆式水蒸气增压机组，喷水方式为喷水泵为气压罐补水，通过气压罐为螺杆式水蒸气压缩机喷水。相比于直接用喷水泵喷水方式，一方面可以通过减少喷水泵的运行时间来降低喷水泵耗功；另一方面利用气压罐可以更好适应喷水流量变化。同时，螺杆式水蒸气压缩机通过压缩过程喷水，可以精准控制排气温度。
螺杆水蒸气增压机组

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法-CN202310166110.4有效
发明人：高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;程金连;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及半导体技术领域，该外延片包括衬底及层叠于衬底之上的缓冲层，该外延片还包括：依次层叠于缓冲层之上的非Si掺GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、极性势垒调变层、电子阻挡层与P‑GaN层；其中，极性势垒调变层包括第一调变子层与第二调变子层，第一调变子层为层叠于多量子阱层之上的Ga极性面GaN层，第二调变子层为层叠于第一调变子层之上的N极性面InXN1‑X层，电子阻挡层为N极性面AlyGa1‑yN层。本发明解决了现有技术中多量子阱层末垒P型GaN区域的空穴不容易注入至多量子阱层中，降低了发光二极管外延片发光效率的技术问题。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种实现水稻杂种优势固定的方法-CN202010014813.1有效
发明人：赵炳然;吕启明;张秀丽;毛毕刚;唐丽;黄志远;郑文杰 -专利权人：湖南杂交水稻研究中心
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C12N15/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现水稻杂种优势固定的方法，将OsMADS13启动子与水稻BBM1基因编码序列连接，构建表达盒A；构建水稻合子胚发育关键基因OsMPK6双靶点CRISPR/Cas9敲除表达盒B；将表达盒A和B整合到同一表达载体上，并通过农杆菌介导法转化到杂交水稻种子中得到T0代植株；T0代植株进行自交得到自交种子。本发明利用水稻珠心组织特异表达启动子，将水稻成胚关键基因在杂交水稻珠心组织中特异表达，诱导珠心组织体细胞形成不定胚；将水稻合子胚发育关键基因敲除，破坏水稻有性生殖过程；最后通过杂交水稻自交，形成以体细胞不定胚方式固定水稻杂种优势的种子，可以大大提高杂交水稻配组效率，无需年年制种。
一种实现水稻杂种优势固定方法

[发明专利]显卡显示接口的供电方法、显卡和电子设备-CN202111288867.8在审
发明人： 郑文杰;陈思恩;苏波;陈铭楷;李志 -专利权人：辉达公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：一种显卡显示接口的供电方法、显卡和电子设备，该方法包括：检测显卡的显示接口是否被外部设备插入；当检测到所述显示接口被所述外部设备插入时，控制所述显卡的供电电源软启动，以避免所述供电电源的电压快速下降，从而避免导致所述显卡的图形处理单元挂起宕机。根据本申请实施例的显卡显示接口的供电方法、显卡和电子设备能够在检测到显卡的显示接口被外部设备插入时，控制显卡的供电电源软启动，使得供电电源以小电流为插入的外部设备中的电容缓慢地充电，能够避免供电电源的电压快速下降，从而能够避免显卡的图形处理单元因供电电源电压快速下降而挂起宕机。
显卡显示接口供电方法电子设备

[发明专利]基于硅衬底的LED外延片及其制备方法、LED-CN202310227642.4有效
发明人： 郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅衬底的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。LED外延片包括硅衬底，设于硅衬底背面的调节层，依次设于硅衬底正面的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；其中，调节层为NiZnSe层。实施本发明，可提升基于硅衬底的LED外延片的成品率以及其发光效率。
基于衬底 led 外延及其制备方法

[发明专利]操作请求处理方法、装置、电子设备和存储介质-CN202310118782.8在审
发明人： 郑文杰 -专利权人：北京天融信网络安全技术有限公司;北京天融信科技有限公司;北京天融信软件有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06F21/62 文献下载
摘要：本申请提供操作请求处理方法、装置、电子设备和存储介质。该方法应用于设置于客户端和服务器之间的审计系统，该方法包括：获取数据库操作请求；确定数据库操作请求的目标数据操作类型，以及数据库操作请求所针对的目标操作对象的ProtoBuf序列号；通过目标数据操作类型查询预设映射表，以确定与ProtoBuf序列号对应的目标操作对象；根据目标数据操作类型和目标操作对象，生成操作日志。因此该方法能够用于对数据库操作请求进行处理，以得到该数据库操作请求的目标数据操作类型和目标操作对象，并生成操作日志。
操作请求处理方法装置电子设备存储介质

[发明专利]紫外发光二极管及其制备方法-CN202310171948.2在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;程金连;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光二极管及其制备方法，所述紫外发光二极管包括衬底及依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、有源区发光层、电子阻挡层、P型半导体层和P型接触层，以及设于所述N型半导体层上的N电极和设于所述P型接触层上的P电极；所述P型接触层包括依次层叠于所述P型半导体层上的多孔AlxGa(1‑x)N层和P型GaN层。本发明提供的紫外发光二极管在兼顾良好的P型欧姆接触的同时，可减少P型材料的面内全反射及吸光损耗，有利于提高紫外发光二极管的光提取效率。
紫外发光二极管及其制备方法

[发明专利]深紫外LED外延片及其制备方法、LED-CN202310094924.1有效
发明人： 郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光器件领域。其中，深紫外LED外延片包括衬底和依次设于衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；多量子阱层包括多个交替层叠的量子阱层、第一阶梯应力补偿层和量子垒层；第一阶梯应力补偿层包括依次层叠的第一N极性AlInGaN层、第二N极性AlInGaN层、第一AlN层和第一N极性AlGaN层；第一N极性AlInGaN层掺杂元素为Mg，第二N极性AlInGaN层的掺杂元素为Mg和Si，且Mg的掺杂浓度＞Si的掺杂浓度。实施本发明，可有效提升外延片的发光效率。
深紫 led 外延及其制备方法