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[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN202011581820.6有效
发明人：白航空;竹文坤;邱慧;冯金波;郑在纹;何嵘;李宸;任俨;林丹;杨帆;乐昊飏 -专利权人：绵阳惠科光电科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：将玻璃基板加入去离子水中，超声清洗，风刀吹干；通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面沉积金属薄膜，并进行图案化处理，得到栅电极；通过等离子体增强化学气相沉积法镀膜工艺在栅电极表面沉积二氧化硅，即绝缘层；在绝缘层上依次制备铟镓锌氧化物薄膜层Ⅰ、氧化铟薄膜层和铟镓锌氧化物薄膜层Ⅱ，并进行图案化处理，得到有源层；通过磁控溅射工艺在绝缘层及有源层上沉积金属层，并通过对金属层进行图案化处理，得到分别接触有源层两侧的源电极和漏电极；本发明有源层的三层结构可以有效减少有源层的缺陷，从而显著的提高了晶体管的迁移率和电流开关比。
一种薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]一种铟镓锌氧基多层结构薄膜晶体管的制备方法-CN202011581331.0有效
发明人：冯金波;竹文坤;邱慧;白航空;郑在纹;何嵘;李宸;任俨;林丹;杨帆;乐昊飏 -专利权人：绵阳惠科光电科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓锌氧基多层结构薄膜晶体管的制备方法，包括：将玻璃基板加入去离子水中，超声清洗，风刀吹干；通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面沉积金属薄膜，并进行图案化处理，得到栅电极；通过等离子体增强化学气相沉积法镀膜工艺在栅电极表面沉积二氧化硅，即绝缘层；在绝缘层上依次制备铟镓锌氧化物薄膜层Ⅰ、氧化铟薄膜层和铟镓锌氧化物薄膜层Ⅱ，并进行图案化处理，得到有源层；通过磁控溅射工艺在绝缘层及有源层上沉积金属层，并通过对金属层进行图案化处理，得到分别接触有源层两侧的源电极和漏电极；本发明采用三层结构可以有效减少有源层的缺陷，从而显著的提高了晶体管的迁移率和电流开关比。
一种铟镓锌氧基多结构薄膜晶体管制备方法

[发明专利]阵列基板及显示面板-CN202110533073.7有效
发明人：邬可荣;郑在纹;康报虹 -专利权人：长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括：TFT器件层；像素定义层，像素定义层设置于TFT器件层非开口区域的非过孔区域，非开口区域包括过孔区域以及非过孔区域；阻隔墙，阻隔墙设置于过孔区域处，其中，阻隔墙呈倒梯形；有机发光二极管层，有机发光二极管层设置于阻隔墙上端、以及过孔区域的部分辅助电极上端；阴极，阴极设置于过孔区域的部分辅助电极上端。本发明可以改善阴极电压分布不均，以提高显示面板亮度均一性。
阵列显示面板

[发明专利]阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板-CN202110531297.4有效
发明人：邬可荣;郑在纹;袁海江 -专利权人：长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板，阵列基板制备方法包括：在基板的第一表面的非开口区域沉积无机薄膜，其中，第一表面为基板中背向基底的表面，无机薄膜为无机薄膜或者氮化硅薄膜；在无机薄膜上形成像素定义层，并去除非开口区域中的过孔区域处的像素定义层；通过湿法刻蚀工艺蚀刻过孔区域处的无机薄膜，以使无机薄膜在像素定义层边缘发生侧向侵蚀现象；蒸镀有机发光二极管层；在蒸镀形成有机发光二极管层后，蒸镀阵列基板的阴极。本发明通过工艺将有机发光二极管的阴极与辅助电级接触，实现了辅助阴极，可以改善阴极电压分布不均，以提高显示面板亮度均一性。
阵列制备方法显示面板

[发明专利]一种显示面板、显示器及显示面板修复方法-CN202110878359.9在审
发明人：邬可荣;郑在纹;李源规;康报虹 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及面板技术，公开了一种显示面板、显示器及显示面板修复方法，其中，显示面板包括：至少2条相互隔离的数据线、数据信号驱动设备、覆盖于数据线表面的绝缘层以及覆盖于绝缘层表面的导电层，所有的数据线均与数据信号驱动设备电连接，导电层上具有修复线，修复线在数据线所在平面上的投影与所有的数据线均相交；显示器采用了上述显示面板；显示面板的修复方法，采用上述显示面板，通过修复线使断开的数据线的断开部分与另一条数据线连通，并由另一条数据线向断开部分输入数据信号。本发明公开的显示面板、显示器及显示面板修复方法，可对发生断路的数据线进行修复，提高制程良率。
一种显示面板显示器修复方法

[发明专利]一种用于收发片端口的控制方法及装置-CN201810154685.3有效
发明人：赵启江;郑在纹;尹盛焕;刘远鹏;罗庆平 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C03B35/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于收发片端口的控制方法及装置，该方法包括：初始启动所有端口并设定为投入属性；端口接收装载有玻璃基板的卡匣并依次向加热设备中投入玻璃基板；当任一端口投入玻璃基板结束时，检测当前所有端口的属性，判断是否有端口处于装载属性并处于空闲状态；若没有端口处于装载属性并处于空闲状态，则将该端口切换为装载属性；若有端口处于装载属性并处于空闲状态，则对当前端口更换卡匣。本申请所述用于收发片端口的控制方法及装置能够实现玻璃基板的连续投入和产出，进而提高设备稼动率和产能。
一种用于收发端口控制方法装置

[发明专利]外部补偿像素电路及显示面板-CN202110597218.X在审
发明人：邬可荣;李源规;郑在纹;郑浩旋 -专利权人：长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明公开了一种外部补偿像素电路及显示面板，所述电路包括信号输入模块、发光控制模块、储能电容、发光器件及驱动电流采样模块；信号输入模块通过储能电容与驱动电流采样模块以及发光器件连接，信号输入模块与发光控制模块的受控端连接，发光控制模块还与发光器件连接，发光控制模块用于根据接收到的脉宽调制信号调整发光器件的灰阶；驱动电流采样模块用于采集发光器件的驱动电流，以供驱动芯片通过驱动电流调整信号电压以进行外部补偿。本发明能够在发光器件显示中低灰阶时仍保持一定的驱动电流，以使驱动芯片能够根据驱动电流调整信号电压的大小以实现外部补偿，还能够保障外部补偿的补偿精度。
外部补偿像素电路显示面板

[发明专利]一种IGZO阵列基板的制备方法-CN202011387678.1有效
发明人：冯金波;邱慧;郑在纹;竹文坤;何嵘;李宸;任俨;林丹;杨帆;乐昊飏 -专利权人：绵阳惠科光电科技有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGZO阵列基板的制备方法，包括：将玻璃基板依次加入丙酮、去离子水和乙醇中，超声清洗，风刀吹干；通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面沉积金属薄膜，并进行图案化处理，得到栅电极；通过旋涂的方法在栅电极表面制备有机绝缘层，然后进行热退火，得到绝缘层；通过磁控溅射方法在绝缘层上制备铟镓锌氧化物半导体薄膜，并进行图案化处理，得到有源层；通过磁控溅射工艺在绝缘层及有源层上沉积金属层，并通过对金属层进行图案化处理，得到分别接触有源层两侧的源电极和漏电极；本发明制备的IGZO靶材的致密度高，采用该IGZO靶材制备的铟镓锌氧化物半导体薄膜作为有源层，可以显著提高薄膜晶体管的器件性能。
一种 igzo 阵列制备方法

[发明专利]一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管器件的制备方法-CN202011302452.7有效
发明人：冯金波;邱慧;郑在纹;竹文坤;何嵘;李宸;任俨;林丹;杨帆;乐昊飏 -专利权人：绵阳惠科光电科技有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管器件的制备方法，包括：将玻璃基板依次加入清洗液和去离子水中，分别超声清洗，风刀吹干；通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面沉积金属薄膜，并进行图案化处理，得到栅电极；通过等离子体增强化学气相沉积法镀膜工艺在栅电极表面沉积二氧化硅，即绝缘层；在绝缘层上制备铟镓锌氧化物半导体薄膜，并进行图案化处理，得到有源层；通过磁控溅射工艺在绝缘层及有源层上沉积金属层，并通过对金属层进行图案化处理，得到分别接触有源层两侧的源电极和漏电极。本发明制备工艺简单、可控，成本低，光电性能优良。
一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管器件制备方法

[发明专利]一种On-Cell触控显示面板、制作方法及显示装置-CN201810003145.5有效
发明人： 郑在纹;姜美存 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供一种On‑Cell触控显示面板、制作方法及显示装置，包括：阵列基板；与所述阵列基板对盒的彩膜基板；在所述彩膜基板远离阵列基板的表面上形成的第一ITO层，其中所述第一ITO层为结晶化状态；以及在所述第一ITO层上形成的第二ITO层。在彩膜制作工艺和对盒工艺前在靠近彩膜基板的衬底玻璃上形成一层ITO层，从而避免了衬底玻璃在后续彩膜制作工艺和对盒工艺中被划伤、污染，从而使在对盒工艺后形成的ITO层与衬底玻璃之间的粘附力降低，导致产品不良率提高；并且，在先形成的ITO层能够在对盒工艺完成后形成为结晶化状态，使得其耐化学性增强，电阻降低；同时，在先形成的ITO层能够与在后形成的ITO层形成互补和支撑。
一种 on cell 显示面板制作方法显示装置

[发明专利]用于曲面显示面板的对置基板、曲面显示面板及曲面显示装置-CN201710156155.8有效
发明人： 郑在纹;杜宏伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种用于曲面显示面板的对置基板、曲面显示面板以及曲面显示装置。一种用于曲面显示面板的对置基板包括：弯曲的第一基板；形成在所述第一基板上并沿平行于所述第一基板的曲边的方向延伸的条状黑矩阵；以及形成在所述第一基板的与所述曲面显示面板的像素所在的区域相对应的区域内的阻挡部，以便阻碍所述曲面显示面板的液晶层中的气泡的移动。
用于曲面显示面板置基板显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路-CN201710251930.8有效
发明人： 郑在纹 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路，包括：有源层、源极和漏极，源极覆盖有源层的部分区域，漏极覆盖有源层的部分区域，有源层包括：主体图形和位于主体图形周围的斜坡图形，主体图形上未被源极和漏极覆盖的部分为第一导电图形，斜坡图形上对应源极和漏极之间的部分为第二导电图形，第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极和漏极的最短路径的长度。本发明的技术方案通过将第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极和漏极的最短路径的长度，可使得第二导电图形对应的阈值电压大于第一导电图形的阈值电压，从而可有效提升薄膜晶体管的工作稳定性。
薄膜晶体管制备方法栅极驱动电路

[发明专利]薄膜晶体管及制造方法、阵列基板行驱动电路和显示装置-CN201680000573.1有效
发明人： 郑在纹;樊超;金东珍;崔镕各 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请公开一种薄膜晶体管，其包括：基板；有源层，其设置在基板上，包括第一半导体区域、第二半导体区域和多个半导体桥，每个半导体桥均与第一半导体区域和第二半导体区域连接，多个半导体桥彼此隔开，有源层由包括M1O_aN_b的材料制成，其中M1是单金属或多种金属的组合，a＞0且b≥0；刻蚀阻挡层，其设置在有源层的远离所述基板的一侧，第一半导体区域包括第一非重叠部分，第一非重叠部分在基板上的投影位于所述刻蚀阻挡层在基板上的投影以外，第二半导体区域包括第二非重叠部分，第二非重叠部分在基板上的投影位于刻蚀阻挡层在基板上的投影以外；第一电极，其位于第一非重叠部分的远离所述基板的一侧；和第二电极，其位于第二非重叠部分的远离所述基板的一侧。
薄膜晶体管制造方法阵列基板行驱动电路显示装置

[发明专利]一种薄膜晶体管制作方法和阵列基板制作方法-CN201610595166.1在审
发明人：王孝林;梅文淋;许卓;金熙哲;金在光;崔镕各;郑在纹 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种薄膜晶体管制作方法和阵列基板制作方法，其中，该薄膜晶体管制作方法包括在衬底基板上形成栅极图形、有源层图形和源漏极的图形的流程，包括：形成有源层薄膜；在有源层薄膜上形成刻蚀阻挡层的图形；在刻蚀阻挡层的图形上形成源漏极的图形；以刻蚀阻挡层的图形、源漏极的图形为掩膜对有源层薄膜刻蚀形成有源层图形。本发明实施例在形成有源层时不使用掩膜板，在形成源漏极时共用一个掩膜板，同时连续刻蚀。本发明实施例不使用半透掩膜板，减少了一次形成有源层的掩膜工艺，简化了工艺流程。
一种薄膜晶体管制作方法阵列

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示器件-CN201310753220.7有效
发明人： 郑在纹;崔仁哲;崔星花 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器件，该薄膜晶体管包括有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，所述有源层包括：被所述刻蚀阻挡层覆盖的覆盖部和未被所述刻蚀阻挡层覆盖的、位于所述源电极和漏电极区域的接触部，位于所述源电极区域和/或漏电极区域的接触部包括在所述刻蚀阻挡层的纵向方向上的侧翼部。本发明可以减小刻蚀阻挡层结构的薄膜晶体管的沟道长度。
薄膜晶体管及其制备方法显示器件

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