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[发明专利]一种增强弧源、以及弧电流激发的气体离子源、金属离子源和电子源-CN201810162922.0有效
发明人： 郎文昌 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强弧源、以及弧电流激发的气体离子源、金属离子源和电子源，其技术方案主要包括：水冷外筒体，设置于外筒体内一端的金属阴极弧靶，外筒体的另一端为出射口，设置于金属阴极弧靶与出射口之间的可开闭的多种挡板，通过挡板机构可选择性的进行粒子输出，外筒体上设置有进气口，所述的外筒体相对于阳极和阴极金属弧靶之间区域的外壁上设有多种形式的外磁体。本发明通过挡板机构可选择性的进行粒子输出，利用阳极与磁场交互作用提高电子的自由程，从而能够与工作气体以及金属原子产生更多的碰撞，进而提高离化效率和离子产率，将所需粒子进行引出，达到高效离化的效果。
一种增强以及电流激发气体离子源金属电子

[发明专利]曲面磁控溅射阴极、闭合磁场涂层磁控溅射设备及其应用方法-CN201810160010.X有效
发明人： 郎文昌 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种曲面磁控溅射阴极、闭合磁场涂层磁控溅射设备及其应用方法，该磁控溅射阴极包括曲面靶、水冷套、电极、绝缘套、屏蔽组件、磁靴、磁靴转动、支撑固定机构，绝缘套对阴极组件进行电位绝缘，屏蔽组件为放电过程中的悬浮电位组件，磁靴转动可实现磁靴的滑动，提高靶材的利用率，曲面靶靶材是由多组表面可复合非金属的金属基片瓦拼接并通过螺栓固定在由不锈钢管表面焊接水冷管的水冷套上，通过电极接通负电压进行磁控溅射辉光放电，受阴极形状限制，辉光放电中的电子发生汇聚产生空心阴极效应，即提高了溅射速率，又增强了粒子的离化率。本发明可在高真空下磁控溅射产生大束流高离化率的粒子，获得优质的涂层。
曲面磁控溅射阴极闭合磁场涂层设备及其应用方法

[发明专利]带有复合磁场的类金刚石涂层制备装置及其应用-CN201810159747.X有效
发明人： 郎文昌;李洁;高斌 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有复合磁场的类金刚石涂层制备装置及其应用，该类金刚石涂层主要是通过利用装配有可旋转的磁芯的中心阳极或纵向电磁线圈，以及正八角机上装配的八组工艺组件形成的闭合磁场，所形成复合磁场下的等离子体制备类金刚石涂层，八组有磁场控制的工艺组件形成闭合的环形磁场，中心阳极的可旋转磁芯上装配有八道磁靴，可与相对应的工艺组件形成横向磁场，纵向线圈在接通电流后可在真空室内形成纵向磁场，两种或三种磁场的相互作用可在真空腔体内形成复杂的复合磁场，可增加电子的自由程，提高粒子的离化率，从而增加碳粒子的活性，获得高质量的类金刚石涂层。
带有复合磁场金刚石涂层制备装置及其应用

[发明专利]一种多模式调制弧源装置-CN202010412933.7有效
发明人： 郎文昌;朱豪威;胡晓忠 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明属于电弧离子镀技术关键部件阴极弧源装备领域，具体是指一种多模式调制弧源装置，包括弧头组件、引弧组件、安装板，弧头组件与引弧组件均固定在安装板上；弧头组件与安装板之间设有绝缘密封组件，弧头组件与安装板之间形成密封腔室；弧头组件包括阴极座、阴极盖，阴极座、阴极盖可拆卸安装组成阴极组件；阴极座远离阴极盖的一侧表面上设有靶材安装部，靶材安装部内连接有靶材；阴极座与阴极盖之间设有水冷内腔；阴极座及阴极盖上可分别装配不同模式的永磁体组，可有效控制靶面的磁场强度，提升弧光放电过程中弧斑的运动速度，从而可以有效的降低弧光放电过程中的大颗粒。
一种模式调制装置

[发明专利]一种预测石墨烯在硬质合金表面生长的方法-CN202211229415.7在审
发明人：李多生;丁业章;叶寅;徐锋;郎文昌;刘俊红;赵楠;谢非桐;姜苏航;温鑫 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明一种预测石墨烯在硬质合金表面生长的方法基于MD理论，通过使用LAMMPS模拟计算碳原子在硬质合金表面的自组装及石墨烯生长过程，在不同的沉积温度和沉积速率下，预测石墨烯在硬质合金表面的生长状况，得出高质量石墨烯的模拟条件，为化学气相沉积制备石墨烯提供预测。本发明通过预测石墨烯在硬质合金表明生长的状况，在不同的沉积温度和沉积速率下沉积石墨烯，比较其石墨烯基本单元和RMS，获得质量高的石墨烯层，进而指导实际CVD生产石墨烯的能源消耗，缩短实验周期。
一种预测石墨硬质合金表面生长方法

[发明专利]一种中心进气的调制电弧离子镀装置-CN202010736213.6有效
发明人： 郎文昌;刘伟;陈智杰;黄志宏 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明属于涉及电弧离子镀技术关键部件阴极弧源装备领域，具体涉及一种中心进气的调制脉冲电弧离子镀装置，包括阴极盖和阴极座，所述阴极盖和阴极座相连接形成阴极组件，所述阴极座远离阴极盖的一侧表面上设有靶材安装部，所述靶材安装部上连接有靶材，所述靶材中心处设有第一通孔，所述阴极座上设有连通第一通孔的第二通孔，所述阴极盖上设有连通第二通孔的第三通孔，所述第一通孔、第二通孔、第三通孔形成进气管路。本发明采用中心通气实现工艺气体从靶材中心进入，增大沉积化合物相的能量，优化涂层结构，降低弧光放电的熔池大小，抑制大颗粒的产生。
一种中心调制电弧离子镀装置

[发明专利]一种多磁场集成阴极弧源-CN202010737079.1有效
发明人： 郎文昌;胡晓忠;刘伟 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明属于真空镀膜技术关键部件阴极弧源技术装备领域，具体涉及一种多磁场集成阴极弧源，包括阴极组件、阳极组件，所述阳极组件套设在阴极组件外且之间绝缘设置；所述阳极组件中设有第一磁极；所述阴极组件一端固定有靶材，所述阴极组件内设有第一空腔，所述第一空腔内设有第二磁极安装座，所述第二磁极安装座在第一空腔内可沿靶材轴向方向位移，所述第二磁极安装座上设有第二磁极；所述阴极组件远离靶材的一端设有电磁线圈。本发明通过利用阳极组件中的第一磁极和阴极组件内的可调节距离的第二磁极及电磁线圈相互作用，可在靶材表面形成较高的水平分量磁场强度，从而有利于弧光放电过程中增加电子的运动行程，提升等离子体的浓度及强度。
一种磁场集成阴极

[发明专利]一种聚酰胺涂层浆料、制备方法及制备打印用聚酰胺涂层织物的工艺-CN202210804080.0在审
发明人：陈智杰;王向红;郎文昌;戚栋明 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： D06N3/12 文献下载
摘要：一种聚酰胺涂层浆料、制备方法及制备打印用聚酰胺涂层织物的工艺，聚酰胺涂层浆料，其特征在于包括有溶质、溶剂和功能助剂，其中所述的溶质包括有聚酰胺6、聚乙烯醇缩丁醛、月桂醇聚氧丙烯醚、尿素和聚N‑异丙基丙烯酰胺；所述的溶剂为乙醇；所述的功能助剂包括氯化钙和亲油性纳米硅溶胶。本发明的有益效果是：本发明提供的设计并制备了一种适用性广、制备过程绿色污染、步骤简单的用于精准喷绘的聚酰胺涂层浆料，开发了浆料对应的涂层涂覆制备工艺。本发明的聚酰胺涂层浆料，通过在聚酰胺6中混入聚乙烯醇缩丁醛、月桂醇聚氧丙烯醚、尿素和聚N‑异丙基丙烯酰胺，改变了涂层的表面结构和亲油性，使得涂层对油墨的吸附性和渗透性大大提高，进而可以实现高精度的喷绘。
一种聚酰胺涂层浆料制备方法打印织物工艺

[实用新型]直线矩形电磁复合机械过滤弧装置及沉积镀膜装置-CN202123161206.7有效
发明人： 郎文昌;张振华;章珂;林琪澳;张祖航 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本实用新型属于真空离子镀膜技术领域，具体涉及一种直线矩形电磁复合机械过滤弧装置及沉积镀膜装置，包括具有矩形状空腔的离子镀壳体，矩形状空腔一端封闭且另一端为开口，封闭一端固定有阴极弧源组件，设有开口的一端为离子出口；矩形状空腔在阴极弧源组件与离子出口之间设有复合机械挡板，复合机械挡板与离子镀壳体内壁之间设有供沉积离子运动的通道；离子镀壳体上固定有双电磁线圈组。本实用新型提供的直线矩形电磁复合机械过滤弧装置，阴极弧源组件蒸发出的待沉积离子在双电磁线圈的作用下偏转并且在工件上的负偏压的吸引下沉积到工件上，而未离化的分子、原子及大颗粒则沉积到中间的机械挡板上，沉积速率将大幅度提升。
直线矩形电磁复合机械过滤装置沉积镀膜

[发明专利]一种采用增强辉光放电复合调制强流脉冲电弧制备的ta-C涂层及制备方法-CN202010736219.3有效
发明人： 郎文昌 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明属于真空镀膜涂层制备领域，具体涉及一种采用增强辉光放电复合调制强流脉冲电弧制备的ta‑C涂层及制备方法。采用增强辉光放电沉积纯金属作或化合物层为基础层，并通过利用脉冲弧源在调制脉冲高偏压下形成注入层，同时形成ta‑C膜的形核点，促进ta‑C的形核结晶，可有效提升基体与涂层之间的结合力；同时在强流脉冲弧源及调制线圈的作用下的弧光放电中辅助以增强辉光放电技术提供的纯金属作为掺杂金属同时沉积在ta‑C层中，掺杂金属与碳形成碳化物相，并以纳米晶颗粒的形式镶嵌在非晶碳网络结构中，而形成的纳米复合结构中存在大量的纳米晶界，内应力可以通过晶界的扩散或滑移得到释放，可有效提高ta‑C层的结合力。
一种采用增强辉光放电复合调制脉冲电弧制备 ta 涂层方法

[发明专利]一种通过调制强流脉冲电弧制备氧化铝涂层的方法-CN202010736244.1有效
发明人： 郎文昌 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明属于表面涂层制备技术，具体涉及一种通过调制强流脉冲电弧制备氧化铝涂层的方法，包括以下步骤：功能层的形成，功能层为沉积氧化铝形成的单层或沉积氮氧化铝形成的单层或氮化物与氧化铝交替沉积的多层复合涂层；氧化铝或氮氧化铝为通过调制强流脉冲弧放电沉积形成；调制强流脉冲弧是采用直流基值电流叠加低频率大束流脉冲电流作为放电电源进行弧光放电。利用脉冲弧放电技术中的低基值电流来实现稳定的弧光放电，以及瞬间极大的峰值电流来避免靶面放电过程中的氧化层的堆积毒化，提高氧的离化率，充分形成氧化物涂层，使弧斑布满整个靶面，减少弧光放电过程中的大颗粒的产生，提高粒子的离化率，获得优质高性能的氧化铝涂层。
一种通过调制脉冲电弧制备氧化铝涂层方法

[发明专利]一种通过调制强流脉冲电弧制备ta-C涂层的方法-CN202010737107.X有效
发明人： 郎文昌;黄志宏;陈智杰 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及真空镀膜涂层制备领域，具体涉及一种通过调制强流脉冲电弧制备ta‑C涂层的方法，包括以下步骤：（1）形成基础层：通过调制电磁驱动的电弧放电沉积金属层或金属与C和/或N的化合物，即为基础层；（2）形成ta‑C层：通过调制强流脉冲电弧形成无氢四面体非晶碳层的类金刚石涂层，即为ta‑C层。调制线圈与电弧离子镀阴极上的磁体相互作用，可有效驱动石墨靶材弧斑，从而实现石墨靶全靶面运动，提升靶材利用率；脉冲强流可改善靶面的瞬间磁场强度，提升弧斑运动速度，同时较小的稳弧电流及瞬间强流可有效减少大颗粒的产生，从而在基材表面制备高硬耐磨的高SP3含量的类金刚石涂层。
一种通过调制脉冲电弧制备 ta 涂层方法

[实用新型]一种离子注入设备的高效离化离子发生装置-CN202220099802.2有效
发明人： 郎文昌;钱琦嘉;蒋慧珍;郭景燕;林振宇;陈盛旭;赵涣波;刘艳杰 -专利权人：温州瑞明工业股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种离子注入设备的高效离化离子发生装置，属于离子注入技术领域，其包括设有磁控溅射离子发生腔室壳体、曲面靶材与溅射电源，其中反应腔室内依次设有溅射区、磁场导向区与离子引出组件，所述离子引出组件对立一侧设有电子发生装置，曲面靶材对称固定在发生腔室壳体的两侧内壁上，磁控溅射离子发生腔室壳体的两侧外壁上对应曲面靶材设有磁控线圈；本实用新型通过在磁控溅射离子发生腔室壳体内壁设置一组对称的曲面靶材，既能大大减少沉积区域的颗粒数量，同时不影响沉积速度，又增加了金属离子与靶材接触面积，极大的提高了粒子的离化率，可获得优质涂层。
一种离子注入设备高效发生装置

[发明专利]一种电磁复合机械过滤的离子注入方法-CN202210216601.0在审
发明人：王向红;李士本;郎文昌 -专利权人：上海电子信息职业技术学院
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明提供一种电磁复合机械过滤的离子注入方法，属于离子注入技术领域，本发明中阴极弧源组件会产生金属离子以及一些颗粒，其中金属离子在电磁线圈组形成的磁场作用下运动轨迹发生偏移，之后由离子引出组件牵引通过离子出口，而其中的不带电的粒子沿其本身的速度方向向前移动，沉积在挡板组件上，提升离化效率；同时由离子引出组件形成正离子束，经过质量分析装置进一步地筛选出所需的离子，再由加速管进行加速导入聚焦系统将离子聚集成直径为数毫米的离子束，之后通过偏转扫描系统对工作靶室内存放的工件进行离子注入；另外，直筒方形状空腔的离子溅射壳体的体积大，路程短，沉积速率将大幅度提升。
一种电磁复合机械过滤离子注入方法

[实用新型]一种具有磁控溅射组件的离子注入设备-CN202220077369.2有效
发明人： 郎文昌;蒋慧珍;张慧;刘艳杰;赵涣波;陈盛旭;林振宇;任肖炜 -专利权人：温州瑞明工业股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有磁控溅射组件的离子注入设备，属于离子注入技术领域，其包括设有反应腔室的磁控溅射离子发生腔室壳体、金属靶材、与金属靶材电连接的溅射电源，所述反应腔室内设有溅射区，其一侧设有电子发生装置，另一侧设有离子引出组件，所述金属靶材设有两个，所述金属靶材固定在所述溅射区中的磁控溅射离子发生腔室壳体的两侧内壁上且两个相对设置，所述磁控溅射离子发生腔室壳体的两侧外壁上对应金属靶材设有磁控线圈，所述反应腔室靠近离子引出组件一端依次设有质量分析装置、加速管与工艺室，所述工艺室有扫描盘，本实用新型通过双重筛选大大减少注入区域的颗粒数量，同时不影响注入速度，而且结构布局合理。
一种具有磁控溅射组件离子注入设备

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