专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种靶材底柱与底柱接头-CN201320090934.X有效
  • 郎文昌 - 温州职业技术学院
  • 2013-02-28 - 2013-07-17 - C23C14/34
  • 本实用新型涉及表面防护涂层制备领域,具体地说是一种用于离子镀枪的靶材底柱与底柱接头。靶材底柱的外侧设置靶材底柱绝缘套,靶材底柱的内侧设置永磁体或导磁环和冷却水进水管道,永磁体或导磁环设置于冷却水进水管道的外侧;靶材底柱的一端与冷却水通道底座连接,冷却水进水管道伸至冷却水通道底座中,与冷却水通道底座的进水口相通,冷却水通道底座与靶材底柱之间的通道与出水口相通;靶材底柱的另一端与靶材底柱连接管连接。本实用新型结构简易紧凑有效,可自由设置冷却水套的长度,自由调节靶材在真空室内的位置,操作简便、靶材更换容易、位置可调性好、便于整机设计及满足工业生产对真空室内等离子体分布的各种需求。
  • 一种靶材底柱接头
  • [实用新型]一种二极旋转耦合磁场辅助准扩散弧冷阴极离子镀装置-CN201220586800.2有效
  • 郎文昌;高斌 - 温州职业技术学院
  • 2012-11-08 - 2013-05-22 - C23C14/32
  • 本实用新型涉及薄膜与涂层制备技术领域,具体为一种二极旋转耦合磁场辅助准扩散弧冷阴极离子镀装置。该装置设有弧源头与控制磁场组,弧源头包括靶材、靶材底座、靶材底座屏蔽罩、靶材底盘、引弧装置和永久磁体装置,控制磁场组包括法兰套、法兰套绝缘套、二极径向旋转磁场发生装置、轴向聚焦导引磁场发生装置、同轴聚焦磁场磁轭和法兰套屏蔽罩,弧源头通过靶材底盘与法兰套底部进行连接,形成整体弧源结构,通过法兰套前部的法兰盘与炉体进行连接。在一定磁场强度和旋转频率综合作用下,使得弧斑在整个靶面分布,降低弧斑的功率密度,实现准扩散弧状态,减少大颗粒的发射,通过轴向聚焦导引磁场,将净化的高密度等离子体抽出,提高其传输效率。
  • 一种二极旋转耦合磁场辅助扩散阴极离子镀装置
  • [实用新型]一种多型复合磁场可选紧凑旋转磁场辅助离子镀弧源装置-CN201220586798.9有效
  • 郎文昌 - 温州职业技术学院
  • 2012-11-08 - 2013-05-22 - C23C14/34
  • 本实用新型涉及薄膜与涂层制备技术领域,具体地说是一种多型复合磁场可选紧凑旋转磁场辅助离子镀弧源装置,解决现有技术中大颗粒、靶材刻蚀与涂层均匀性差、沉积效率低等问题。该离子镀弧源装置采用特种多功能多结构适应型离子镀枪配合结构优化的水冷法兰套作为整体弧源结构,离子镀枪的靶材底座后设有轴向辅助磁场装置,法兰套的外侧设有二极旋转横向磁场发生装置、聚焦导引磁场装置。通过三套磁场装置的耦合作用形成二极旋转横向磁场为主的其他磁场耦合的多型复合磁场。本实用新型既满足靶面附近的旋转磁场状态,改善弧斑放电形式,降低功率密度、减少大颗粒发射,又保证等离子体传输空间的磁场分布,提高等离子体的传输效率和传输均匀性。
  • 一种复合磁场可选紧凑旋转辅助离子镀装置
  • [实用新型]一种简易可调节的多用途多结构适应型离子镀枪装置-CN201220574489.X有效
  • 郎文昌 - 温州职业技术学院
  • 2012-11-02 - 2013-05-22 - C23C14/32
  • 本实用新型涉及表面防护涂层制备领域,具体地说是一种简易可调节的多用途多结构适应型离子镀枪装置。本实用新型靶材安装在靶材底座上,通过靶材底座冷却铜板间接冷却;靶材底座内部通过冷却通道隔板形成上下冷却水通道;靶材底座安装在细长型的靶材底柱上,电磁线圈围套在靶材底座后的靶材底柱周围;靶材底柱底部安装冷却水通道底座,与冷却水管相连接;电源接头端子安装在靶材底柱上;离子镀枪底盘通过绝缘套与靶材底柱安装,离子镀枪装置通过离子镀枪底盘的安装孔与真空室连接安装。本实用新型用以改善传统电弧离子镀弧源结构复杂、适应性差、功能单一、难以实现特殊镀膜需求、操作复杂、靶材更换难度大、位置可调性差、等离子体空缺区域大的缺点。
  • 一种简易调节多用途结构适应离子镀装置
  • [实用新型]一种高效动态耦合磁控弧源装置-CN201220572749.X有效
  • 郎文昌;王向红;李明霞;高斌;吴百中 - 温州职业技术学院
  • 2012-11-02 - 2013-05-22 - C23C14/32
  • 本实用新型涉及表面防护领域,具体地说是一种改善电弧离子镀沉积工艺的高效动态耦合磁控弧源装置。该装置的轴对称磁场发生装置放置于靶材后面,由放置于靶材后面的高导磁率磁轭及与磁轭同轴放置的电磁线圈组成,或者由单个或两个以上永久磁体配合磁轭组成;聚焦导引磁场发生装置由电磁线圈组成,放置于靶材前面,与靶材同轴放置,装置的中心与靶面平齐或略高于靶面;本实用新型通过两组磁场发生装置配合使用,在靶面上形成动态分布的耦合磁场,达到改善弧斑的放电形式和工作稳定性,控制弧斑的运动轨迹,提高靶材刻蚀均匀性和靶材利用率,减少靶材大颗粒的发射,提高等离子体传输效率,用以制备高质量的薄膜的目的。
  • 一种高效动态耦合磁控弧源装置
  • [发明专利]一种结构紧凑的特种多功能离子镀枪-CN201210430934.X有效
  • 郎文昌 - 温州职业技术学院
  • 2012-11-02 - 2013-03-06 - C23C14/32
  • 本发明涉及表面防护涂层制备领域,具体地说是一种结构紧凑的特种多功能离子镀枪。本发明靶材安装在靶材底座上,通过靶材底座冷却铜板间接冷却;靶材底座内部通过冷却通道隔板形成上下冷却水通道;靶材底座安装在细长型的靶材底柱上,电磁线圈围套在靶材底座后的靶材底柱周围;靶材底柱底部安装冷却水通道底座,与冷却水管相连接;电源接头端子安装在靶材底柱上;离子镀枪底盘通过绝缘套与靶材底柱安装,离子镀枪装置通过离子镀枪底盘的安装孔与真空室连接安装。本发明用以改善传统电弧离子镀弧源结构复杂、适应性差、功能单一、难以实现特殊镀膜需求、操作复杂、靶材更换难度大、位置可调性差、等离子体空缺区域大的缺点。
  • 一种结构紧凑特种多功能离子镀
  • [发明专利]多模式交变耦合磁场辅助电弧离子镀沉积弧源设备-CN201210431983.5有效
  • 郎文昌;王向红;李明霞 - 温州职业技术学院
  • 2012-11-02 - 2013-03-06 - C23C14/32
  • 本发明涉及表面防护领域,具体地说是一种改善电弧离子镀沉积工艺的多模式交变耦合磁场辅助电弧离子镀沉积弧源设备。该设备的轴对称磁场发生装置放置于靶材后面,由放置于靶材后面的高导磁率磁轭及与磁轭同轴放置的电磁线圈组成,或者由单个或两个以上永久磁体配合磁轭组成;聚焦导引磁场发生装置由电磁线圈组成,放置于靶材前面,与靶材同轴放置,装置的中心与靶面平齐或略高于靶面;本发明通过两组磁场发生装置配合使用,在靶面上形成动态分布的耦合磁场,达到改善弧斑的放电形式和工作稳定性,控制弧斑的运动轨迹,提高靶材刻蚀均匀性和靶材利用率,减少靶材大颗粒的发射,提高等离子体传输效率,用以制备高质量的薄膜的目的。
  • 模式耦合磁场辅助电弧离子镀沉积设备
  • [发明专利]一种多结构耦合磁场适应型旋转弧离子镀装置-CN201210444627.7有效
  • 郎文昌;王向红;李明霞 - 温州职业技术学院
  • 2012-11-08 - 2013-02-20 - C23C14/35
  • 本发明涉及薄膜与涂层制备技术领域,具体地说是一种多结构耦合磁场适应型旋转弧离子镀装置,解决现有技术中大颗粒、靶材刻蚀与涂层均匀性差、沉积效率低等问题。该旋转弧离子镀装置采用特种多功能多结构适应型离子镀枪配合结构优化的水冷法兰套作为整体弧源结构,离子镀枪的靶材底座后设有轴向辅助磁场装置,法兰套的外侧设有二极旋转横向磁场发生装置、聚焦导引磁场装置。通过三套磁场装置的耦合作用形成二极旋转横向磁场为主的其他磁场耦合的多型复合磁场。本发明既满足靶面附近的旋转磁场状态,改善弧斑放电形式,降低功率密度、减少大颗粒发射,又保证等离子体传输空间的磁场分布,提高等离子体的传输效率和传输均匀性。
  • 一种结构耦合磁场适应旋转离子镀装置
  • [发明专利]一种紧凑高效的准扩散弧冷阴极弧源-CN201210444314.1有效
  • 郎文昌 - 温州职业技术学院
  • 2012-11-08 - 2013-02-20 - C23C14/32
  • 本发明涉及薄膜与涂层制备技术领域,具体为一种紧凑高效的准扩散弧冷阴极弧源。准扩散弧冷阴极弧源由弧源头与控制磁场组组成,弧源头包括靶材、靶材底座、靶材底座屏蔽罩、靶材底盘、引弧装置和永久磁体装置,控制磁场组包括法兰套、法兰套绝缘套、二极径向旋转磁场发生装置、轴向聚焦导引磁场发生装置、同轴聚焦磁场磁轭和法兰套屏蔽罩,弧源头通过靶材底盘与法兰套底部进行连接,形成整体弧源结构,通过法兰套前部的法兰盘与炉体进行连接。在一定磁场强度和旋转频率综合作用下,使得弧斑在整个靶面分布,降低弧斑的功率密度,实现准扩散弧状态,减少大颗粒的发射,同时通过轴向聚焦导引磁场,将净化的高密度等离子体抽出,提高其传输效率。
  • 一种紧凑高效扩散阴极
  • [发明专利]一种多层薄膜的沉积方法-CN201010191763.0有效
  • 赵彦辉;肖金泉;郎文昌;于宝海;华伟刚;高立军 - 中国科学院金属研究所
  • 2010-06-04 - 2011-06-15 - C23C14/54
  • 本发明属于金属材料表面沉积超硬多层涂层技术领域,具体为一种钛/氮化钛多层薄膜的沉积方法,解决了普通电弧离子镀沉积多层薄膜时单元层厚度波动较大的问题。该方法包括如下步骤:(1)通过交替通入气体,精确控制气体流量和时间;(2)采用电弧离子镀技术在工件表面沉积金属/金属氮化物多层薄膜。采用气体质量流量控制器实现多路气体氩气和氮气的交替通入,且实现气体流量和气体交替通入时间的精确控制,设定气体流量值及对应的沉积时间,可实现60层多层薄膜的沉积。本发明所涉及的气体流量交替控制技术可以保证多层涂层的单元层厚度和质量得到有效控制,大大提高了多层薄膜单元层厚度的控制精度,可以有效改善多层薄膜的性能。
  • 一种多层薄膜沉积方法
  • [实用新型]一种多层薄膜的沉积装置-CN201020215457.1无效
  • 赵彦辉;肖金泉;郎文昌;于宝海;华伟刚 - 中国科学院金属研究所
  • 2010-06-04 - 2011-01-19 - C23C14/54
  • 本实用新型属于金属材料表面沉积超硬多层涂层技术领域,具体为一种钛/氮化钛多层薄膜的沉积装置。它是在同一个真空室中,通过交替通入不同气体,开启电弧蒸发源沉积超硬多层薄膜,可以实现多层薄膜厚度的精确控制。在该沉积装置通入氩气和氮气的管路上接有气体质量流量控制器、时间继电器和气体质量流量显示仪,气体质量流量控制器连接时间继电器,时间继电器连接气体质量流量显示仪。本实用新型解决了电弧离子镀沉积多层薄膜时采用手动控制气体流量而导致的多层中各单元层厚度不均匀的问题,采用气体质量流量控制器来实现氩气、氮气等多路气体的交替通入,从而保证单元层厚度的精确控制,以使沉积的超硬多层薄膜达到提高硬度和耐磨性的要求。
  • 一种多层薄膜沉积装置
  • [发明专利]一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺-CN200710158829.4无效
  • 肖金泉;郎文昌;孙超;宫骏;杜昊;赵彦辉;闻立时 - 中国科学院金属研究所
  • 2007-12-12 - 2009-02-11 - C23C14/32
  • 本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种磁场增强的电弧离子镀沉积工艺,用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性,减少靶材大颗粒的发射,提高靶材刻蚀均匀性。本发明电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套放置于靶材后面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积。本发明通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场,解决了传统工艺等离子在传输空间分布的不均匀性,提高了薄膜的沉积速率和沉积均匀性。同时可以减少靶材颗粒的发射和薄膜中大颗粒的含量,提高薄膜质量,拓展了制备工艺参数的范围,为制备不同性能的薄膜提供条件。
  • 一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺
  • [发明专利]旋转磁控电弧离子镀弧源-CN200810010719.8无效
  • 闻立时;郎文昌;孙超;宫骏;赵彦辉;肖金泉 - 中国科学院金属研究所
  • 2008-03-21 - 2009-02-11 - C23C14/32
  • 本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的旋转磁控电弧离子镀弧源。在靶材周围空间设有旋转磁场发生装置,旋转磁场发生装置为采用相差一定均匀角度、相互连接在一起的几个磁极均匀布在同一圆周上,磁极数量为4n或者3n,n≥1,形成一个整体的电磁回路骨架,励磁线圈套在磁极上或者嵌在相邻磁极之间的槽隙内,采用相位差90°的两相或者相位差120°的三相励磁顺序供电,在磁极包围的空间内产生可调旋转磁场。本发明通过可调速调幅的旋转磁场控制弧斑的运动,可以改善弧斑的放电形式和工作稳定性,提高靶材刻蚀均匀性和靶材利用率,减少靶材大颗粒的发射,用以制备高质量的薄膜以及功能薄膜,拓展电弧离子镀的应用范围。
  • 旋转电弧离子镀

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