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[发明专利]一种密闭型系统级光电模块封装方式和工艺-CN201811176859.2有效
发明人：冯光建;刘长春;丁祥祥;王永河;马飞;程明芳;郭丽丽;郁发新 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种密闭型系统级光电模块封装方式和工艺，包括如下步骤：101）底座处理步骤、102）盖板处理步骤、103）封装步骤；本发明提供批量制作，成本较之前的封装方式大大降低的一种密闭型系统级光电模块封装方式和工艺。
一种密闭系统光电模块封装方式工艺

[发明专利]提高二维电子气的GaN器件结构的制备方法-CN202010274326.9有效
发明人： 郁发新;莫炯炯;刘家瑞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高二维电子气的GaN器件结构的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底，在所述衬底的上方形成沟道层；在所述沟道层的上方形成第一势垒层；将所述沟道层分为第一区域和第二区域，去除所述第一区域上方的所述第一势垒层；在所述第一区域的上方形成第二势垒层。本发明通过去除沟道层上方的第一势垒层并代以第二势垒层，提高了沟道层的二维电子气密度；通过对沟道层进行表面处理并二次外延生长第二势垒层，减少了因刻蚀损伤及异质材料原位生长所产生的界面缺陷，提升了器件性能。
提高二维电子 gan 器件结构制备方法

[发明专利]一种硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺-CN202010947095.3在审
发明人：郭西;郁发新;冯光建;黄雷;高群;顾毛毛 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，包括以下步骤：(a)、在第一硅片上沉积第一绝缘层和第一金属层；(b)、在第一金属层上设置第一凸起和第二凸起，设置第一互联柱，将第一凸起和第二凸起去除，得到第二硅片；(c)、在第二硅片上覆盖光刻胶，将第一互联柱上的光刻胶去除，硬烤成膜形成第一介质胶层；(d)、去除第一介质胶层和第一互联柱的不平整；(e)、沉积第一种子层，在第一种子层上形成第三凸起，沉积第二金属层，去除第一种子层和第三凸起，得到传输线结构。本发明的硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，采用光刻胶作为介质，传输线结构采用精度较高的光刻工艺，提升了结构的精准程度和电学性能。
一种光刻介质横向传输线结构制作工艺

[发明专利]低时延高频单向旋转的CORDIC算法装置及算法-CN201810615253.8有效
发明人：胡卿莉;莫炯炯;王志宇;刘家瑞;陈华;郁发新 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G06F7/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种低时延高频单向旋转的CORDIC算法装置及算法。先通过用[0,π/4]替代全象限，能压缩一半的查找表来节省资源；然后将查表法和单向旋转迭代运算结合使用；最后通过一次单向的加法树合并迭代来获得结果。跟其他算法相比，单向旋转能最大程度上节省资源，减少功耗，而合并迭代通过加法树并行运算来实现，能满足高频下的时序要求和有效缩短时延。通过仿真验证发现本发明相对传统的CORDIC算法的整体性能有了明显的改善，缩短了时延，减少了资源消耗，提高了工作的最高频率，更适用于高频的场景，也减少了综合器综合的压力，有利于获得最优的结构和最小的面积。
低时延高频单向旋转 cordic 算法装置

[发明专利]基于数控延时占空比校准的参考时钟倍频器电路及方法-CN201910083226.5有效
发明人：陈嘉豪;李浩明;王腾佳;郁发新;王志宇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H03L7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于数控延时占空比校准的参考时钟倍频器电路及方法。外供时钟信号分别进入缓冲器、数字状态机模块、占空比检测模块，缓冲器输出信号进入占空比调节模块，占空比调节模块的第一输出信号分两路分别进入延时模块和异或门，延时模块的输出信号也进入异或门，异或门输出二倍频信号，占空比调节模块的第二输出信号受到占空比检测模块监控，占空比检测模块比较当前占空比与50%的大小关系，输出占空比指示信号Duty_data到数字状态机模块，数字状态机模块根据Duty_data输入信号执行占空比校准方法，并将该方法的输出控制字调节控制字和抖动控制字输出至占空比调节模块形成环路。该电路相较于传统模拟占空比调节电路具有面积小、功耗低、对应用需求适配性好的特点。
基于数控延时校准参考时钟倍频器电路方法

[发明专利]一种用于PDF文档保护和分发跟踪的信息快速嵌入和提取的方法-CN201811613481.8有效
发明人：陆哲明;归加琪;郁发新;罗雪雪 -专利权人：杭州基尔区块链科技有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G06F21/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于PDF文档保护和分发跟踪的信息快速嵌入和提取的方法，包括第一PDF文档、第一重嵌入信息和分发跟踪嵌入信息，第一重嵌入信息对第一PDF文档处理后形成版权保护文档；分发跟踪嵌入信息包括多重嵌入信息，其对版权保护文档进行信息嵌入，形成多重嵌入，确认分发跟踪发送者和购买者；通过嵌入方法和提取方法分别对第一PDF文档进行正向和反向处理处理，即提取方法是嵌入方法的逆处理；本发明提供一种简单快速有效的多重信息隐藏的一种用于PDF文档保护和分发跟踪的信息快速嵌入和提取的方法。
一种用于 pdf 文档保护分发跟踪信息快速嵌入提取方法

[发明专利]一种相控阵多波束射频接收组件-CN201910711918.X有效
发明人：唐嘉浩;康宏毅;周琪;王志宇;张兵;郁发新 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种相控阵多波束射频接收组件，包括：接收射频信号的第一射频同轴连接器；将射频信号放大的射频板；将放大后的射频信号并合成波束的射频多层混压板；接收射频多层混压板输出的波束的第二射频同轴连接器。本发明具有在高集成度板材同时接收多个波束进行合成处理的特点，多个波束间射频走线的交叉引入同轴微带线垂直互联结构，在射频板内层分层传输，保证了多波束可同时接收处理，且保证接收波束微波性能良好且互不干扰影响。该结构对相控阵TR组件的高度集成化和组件多波束实现具有重要的应用价值。
一种相控阵波束射频接收组件

[发明专利]基于石墨烯覆盖层的氮化镓器件结构及其制备方法-CN202010274353.6有效
发明人： 郁发新;莫炯炯;王志宇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于石墨烯覆盖层的氮化镓器件结构及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，形成包括氮化镓层及铟铝氮势垒层的外延结构，覆盖石墨烯薄膜，形成源极电极、漏极电极、介质钝化层及栅极结构。本发明采用石墨烯薄膜覆盖铟铝氮势垒层表面，有利于解决器件表面缺陷导致隧穿漏电及电流崩塌效应的问题，石墨烯薄膜作为器件的散热层，基于简便的方式提高散热效果，直接形成在铟铝氮势垒层上，从而直接在石墨烯薄膜上制备电极，欧姆接触电阻得到有效降低。铟铝氮势垒层/氮化镓层器件在工作时，工作发热导致的温度升高会时铟铝氮材料中缺陷增多，导致栅极至铟铝氮势垒层的缺陷辅助隧穿漏电增大，通过覆盖石墨烯薄膜减弱了栅极隧穿电流。
基于石墨覆盖层氮化器件结构及其制备方法

[发明专利]一种侧面散热型密闭射频芯片封装工艺-CN201811176825.3有效
发明人：冯光建;王永河;马飞;程明芳;郭丽丽;郑赞赞;陈雪平;郁发新 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种侧面散热型密闭射频芯片封装工艺，包括如下步骤：101）载体上刻蚀步骤、102）制作RDL和焊盘步骤、103）制作空腔步骤、104）底座上制作凹坑步骤、105）底座上制作TSV步骤、106）底座上制作散热铜柱步骤、107）封装步骤；本发明提供了具有良好的散热作用的一种侧面散热型密闭射频芯片封装工艺。
一种侧面散热密闭射频芯片封装工艺

[发明专利]一种基于柔性电路板的密闭型射频芯片封装工艺-CN201811176921.8有效
发明人：陈雪平;冯光建;刘长春;丁祥祥;王永河;马飞;程明芳;郁发新 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于柔性线路板的密闭型射频芯片封装工艺，包括如下步骤：101）制作柔性线路板步骤、102）互联焊盘处理步骤、103）盖板处理步骤、104）密封步骤；本发明提供制作系统级封装结构成本低，集成度高，减少了射频芯片工作时的相互干扰的一种基于柔性线路板的密闭型射频芯片封装工艺。
一种基于柔性电路板密闭射频芯片封装工艺

[发明专利]流水线ADC的孔径偏斜校准电路及方法-CN202010683978.8有效
发明人：刘家瑞;沈玉鹏;郁发新 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种流水线ADC的孔径偏斜校准电路及方法，包括：依次级联的多级流水级ADC，包括对输入信号做量化处理输出数字位的子模数转换单元及将数字位与输入信号相减得到残差并放大的增益数模转换单元；孔径偏斜检测校准模块，基于各级流水级ADC输出的数字位统计第一级流水级ADC的输出残差的溢出，并产生对应的反馈补偿值；延迟模块，基于反馈补偿值调整采样时钟信号的延迟时间，以通过控制采样时钟相位来补偿孔径误差。本发明基于数字检测孔径误差并结合模拟延时补偿的孔径误差，适用于多种架构的高速采样前端设计；仅在模拟部分引入可控延时模块，具有设计方法简单、实现代价小和高稳定性的优点。
流水线 adc 孔径偏斜校准电路方法

[发明专利]桥式GaN器件及其制备方法-CN202010659813.7有效
发明人：莫炯炯;郁发新;陈华 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种桥式GaN器件及其制备方法，制备包括：提供具有缓冲结构和外延结构的半导体基底，在外延结构上形成钝化层，制备源极电极和漏极电极，制备栅极沟槽，形成桥式栅极结构。本发明通过堆叠多个二维电子气通道来增加晶体管的功率密度；通过桥式栅极结构的设计，基于埋入外延结构中的栅极，通过经由横向栅极电场调制二维电子气的宽度来控制漏极电流，减轻了源自电子速度调制的跨导的滚降，降低了跨导的峰值，实现了跨导变化的平坦化，提高了器件的线性度；本发明基于悬空桥式栅极结构的设计，消除了表面的高电场区域，解决了由此造成的电流衰减、崩塌效应，接触顶栅的缺乏还消除了栅漏极端的垂直电场，大大抑制了反压电效应并提高了可靠性。
桥式 gan 器件及其制备方法

[发明专利]一种具有电磁屏蔽功能的射频模块制作工艺-CN201811176852.0有效
发明人：冯光建;郭丽丽;郑赞赞;陈雪平;刘长春;丁祥祥;王永河;郁发新 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电磁屏蔽功能的射频模块制作工艺，包括如下步骤：101）盖板处理步骤、102）底座处理步骤、103）封装步骤；本发明提供具有良好电磁屏蔽的效果的一种具有电磁屏蔽功能的射频模块制作工艺。
一种具有电磁屏蔽功能射频模块制作工艺

[发明专利]一种三维堆叠系统级封装工艺-CN201811176969.9有效
发明人：冯光建;刘长春;丁祥祥;王永河;马飞;程明芳;郭丽丽;郁发新 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维堆叠系统级封装工艺，包括如下步骤：101）制作柔性线路板步骤、102）功能芯片处理步骤、103）封装步骤；本发明提供制作系统级封装结构成本低，集成度高，散热性好的一种三维堆叠系统级封装工艺。
一种三维堆叠系统封装工艺

[发明专利]基于区块链的数据处理方法、装置和系统-CN201910038142.X有效
发明人： 郁发新;陆哲明;周旻;罗雪雪;王焱 -专利权人：杭州基尔区块链科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于区块链的数据处理方法、装置和系统。其中，该方法包括：获取项目申报过程中每个申报阶段对应的申报数据；根据每个申报阶段对应的共识规则构造区块链，其中，区块链包括一条主链和多条从链，每个申报阶段具有对应的从链；基于点对点的网络结构将每个申报阶段对应的申报数据存储在区块链中，并对存储在区块链中的申报数据进行管理。本发明解决了现有的科研申报项目平台在申报项目过程中，存在申报过程不透明、暗箱操作的技术问题。
基于区块数据处理方法装置系统