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[发明专利]EDA仿真任务动态资源调度方法、装置、终端及介质-CN202311204519.7在审
发明人：陈浩南;陈华;周旻;郁发新 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F9/48 文献下载
摘要：本申请提供EDA仿真任务动态资源调度方法、装置、终端及介质，本申请通过资源波动预测以及相应的资源动态调整两方面实现对EDA仿真任务更合理的资源分配，从而提高系统的资源利用率，解决了原系统的计算资源利用率在较长时间段偏低的技术问题（只有50%上下，且波动范围较大），本发明优化了资源动态调度方法，计算资源利用率较高，保持在85%以上且波动幅度较小。
eda 仿真任务动态资源调度方法装置终端介质

[发明专利]一种相控阵天线、天线封装结构及其制作方法-CN202310786581.5在审
发明人：陈轶伦;应迪科;叶康龙;周琪;王志宇;郁发新 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相控阵天线、天线封装结构及其制作方法，所述天线封装结构包括上层PCB板、金属盖板、下层PCB板及BGA球栅阵列，上层PCB板包括多个天线辐射单元、同轴馈电柱、射频连接链路、金属屏蔽腔、MMIC芯片及第一焊盘；金属盖板覆盖金属屏蔽腔开口，以实现MMIC芯片的金属屏蔽；下层PCB板中的第二焊盘分别与功分网络结构及波控数据分发网络电连接；BGA球栅阵列中的多个焊球分别与第一焊盘及第二焊盘电连接，以实现上层PCB板与下层PCB板相级联。本发明通过上层PCB板与下层PCB板分体设计减少了天线封装结构的各结构间进行加工时的层叠数量及压合次数，在保证所述天线封装结构的良率的同时降低了生产成本。
一种相控阵天线封装结构及其制作方法

[发明专利]一种低相噪多核压控振荡器版图结构及振荡器结构-CN202310897037.8有效
发明人： 郁发新;刘家瑞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种低相噪多核压控振荡器版图结构及振荡器结构，包括：每一压控振荡器区域均与相邻的压控振荡器区域平行，每一所述压控振荡器区域包括两个参数一致的压控振荡器；各压控振荡器区域的上端中心点及下端中心点与供电轨线的连接线均与对应的供电轨线垂直，或者每一路供电轨线的几何中心点均与压控振荡器区域几何中心点重合。通过设置压控振荡器区域使每对压控振荡器的谐振频率偏离较远，避免各压控振荡器对之间相互磁耦而引起品质因数下降，甚至导致压控振荡器难以起振，极大地提高了压控振荡器的可靠性。考虑了供电轨线到压控振荡器的耦合影响，避免由供电耦合引入的杂散或振荡模糊，最大限度地实现了压控振荡器的低相噪性能。
一种低相噪多核压控振荡器版图结构振荡器

[发明专利]高速高线性数模转换器编码方法、系统、终端及介质-CN202310913678.8有效
发明人： 郁发新;刘家瑞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03M7/04 文献下载
摘要：本申请提供高速高线性数模转换器编码方法、系统、终端及介质，本发明通过更新电流权重、设计查找表和编码器的方式，能够有效降低数模转换器中最大码元和最小码元的最大权重比，因此不再要求电路和版图设计中实现一个大模块和一个小模块的匹配，也不会影响数模转换器的线性性能。
高速线性数模转换器编码方法系统终端介质

[发明专利]低压差检测防反灌保护电路、负载开关芯片及电源系统-CN202310807030.2有效
发明人：史哲宁;陈华;吴剑辉;张凯达;郁发新 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H02J1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种低压差检测防反灌保护电路、负载开关芯片及电源系统，其中，低压差检测防反灌保护电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、压差检测模块及保护控制模块；第一PMOS管和第二PMOS管串联于输入电压和输出电压之间；压差检测模块基于低阈值的第三PMOS管对输出电压和输入电压进行低压差检测，并在输出电压大于输入电压且二者之间的压差值大于第三PMOS管的阈值电压绝对值时，触发保护控制模块关断第一PMOS管和第二PMOS管以防止电流反灌，同时还对第三PMOS管进行电压钳位。通过本发明解决了现有技术中需要两个电源轨、无法在低压差下进行防反灌保护等问题。
低压检测防反保护电路负载开关芯片电源系统

[发明专利]具有共模锁定功能的检测电路、系统及方法-CN202210846596.1有效
发明人：吴剑辉;郁发新;陆哲明 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明实施例涉及电源管理电路技术领域，特别涉及一种具有共模锁定功能的检测电路、系统及方法。其中，检测电路包括：电压检测模块、共模锁定模块、阈值设定模块和误差放大器模块；电压检测模块的两个输入端分别连接至外部待测单元的两端；共模锁定模块的输入端连接至电压检测模块任一个输入端的连接线上，共模锁定模块的输出端连接至阈值设定模块，用于根据接收到的电压值和预设共模输入电压范围调整阈值设定模块的电压阈值；误差放大器模块，用于输出补偿电压至外部控制驱动及功率传输模块，以使控制驱动及功率传输模块根据补偿电压调整为负载提供的功率，进一步使得待测单元两端的电压值逐渐稳定在共模输入电压范围内。
具有锁定功能检测电路系统方法

[发明专利]阈值调整式GaN器件及其制备方法-CN202310645047.2在审
发明人： 郁发新;莫炯炯;开翠红 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种阈值调整式GaN器件及其制备方法，通过对所述GaN帽层的表面处理，在所述GaN帽层的表面形成含Ga‑O键的所述调节膜层，改变栅极区的2DEG，使2DEG减少，所述GaN沟道层的表面势升高，改变GaN器件的阈值。本发明制备工艺可实施性较强，且可避免刻蚀对势垒层的离子损伤，进一步的，通过对表面处理工艺的控制，可便捷的改变阈值大小，实现多阈值GaN器件的制备。
阈值调整 gan 器件及其制备方法

[发明专利]一种栅凹槽刻蚀缺陷密度的测量方法-CN202310578403.3在审
发明人：吕贝贝;郁发新;张立星;莫炯炯;郎加顺 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种栅凹槽刻蚀缺陷密度的测量方法，包括：制备样品步骤，于基底上沉积GaN层和AlGaN层，刻蚀AlGaN层以形成栅凹槽，于栅凹槽中沉积金属形成第一电极，于AlGaN层的外侧沉积金属形成第二电极，第一电极、第二电极和AlGaN层构成环形电容；测量计算步骤，在10KHz～1MHz频率范围，测试环形电容的电容‑电压曲线，采用电容‑电压法获取栅凹槽的缺陷密度；在高于1MHz和低于1010KHz频率范围，测量环形电容的平行电导，采用等效电导法获取栅凹槽的缺陷密度。本发明采用电容‑电压法和等效电导法能够对不同时间常数的缺陷进行定量评估，利于优化栅刻蚀工艺、能够对损伤进行修复评估以提升器件可靠性。
一种凹槽刻蚀缺陷密度测量方法

[发明专利]干法刻蚀损伤的修复方法及栅极的制备方法-CN202310578402.9在审
发明人：张立星;郁发新;莫炯炯;吕贝贝 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种干法刻蚀损伤的修复方法及栅极的制备方法，本发明将具有栅极干法刻蚀损伤的氮化镓外延衬底先通过湿法腐蚀降低干法刻蚀物理轰击造成的表面粗糙度和表面粗糙引起的表面缺陷，再通过表面离子处理来修复干法刻蚀对氮化镓外延层造成的晶格缺陷，本发明能大幅度减小因干法刻蚀造成的缺陷密度和表面粗糙度的影响，并通过原子力显微镜图和测量肖特基电容得到了验证，解决了现有技术中栅极形貌差和刻蚀工艺窗口小的问题，本发明操作简单，成本低廉，便于本发明的推广。
刻蚀损伤修复方法栅极制备

[发明专利]增强型AlGaN/GaN基HEMT器件及其制备方法-CN202310602339.8在审
发明人： 郁发新;开翠红;莫炯炯 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种增强型AlGaN/GaN基HEMT器件及其制备方法，在材料外延结构中，引入所述AlN层，通过所述AlN层的导带势能抬高所述GaN沟道层的导带势能，以及结合对所述GaN沟道层和所述AlGaN势垒层的选取，使得所述AlGaN/GaN异质结的界面处三角电子势阱底部被抬高到高于费米能级，以耗尽二维电子气，使得AlGaN/GaN基HEMT器件展现为正的阈值电压，从而提供一种制备工艺简单、器件性能及可靠性高的增强型AlGaN/GaN基HEMT器件。
增强 algan gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]集成P型与N型的GaN HEMT器件及其制备方法-CN202310644876.9在审
发明人：莫炯炯;郁发新;开翠红 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：本发明提供一种集成P型与N型的GaN HEMT器件及其制备方法，基于同一所述外延结构制备集成P型与N型的所述GaN HEMT器件，在同一水平线下进行光刻，精准度较高，而且制备工艺简单，可重复性高，从而可低成本的制备具有高性能且同时集成P型与N型的所述GaN HEMT器件。
集成 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]调节式GaN器件及其制备方法-CN202310769754.2在审
发明人： 郁发新;莫炯炯;开翠红;吕贝贝;张立星 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种调节式GaN器件及其制备方法，在确定了所述外延结构及制备工艺方案后，结合所述掩膜版可图形化所述P‑GaN层获得多个间隔设置的所述P‑GaN岛及位于所述P‑GaN岛之间的所述间隔通道，以提供双阈值GaN器件，从而通过对所述掩膜版的版图设计即可实现具有不同阈值电压、导通特性的GaN器件的制备，以便捷的满足芯片设计需求，免除重新定义外延结构、工艺等的成本与时间。
调节 gan 器件及其制备方法

[发明专利]GaN FinFET器件及其制备方法-CN202310645611.0在审
发明人： 郁发新;莫炯炯;开翠红 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN FinFET器件及其制备方法，在所述栅指的外围形成所述P型NiO层，使得所述P型NiO层与所述GaN沟道层在接触界面处形成耗尽区，以缩短所述栅指的有效宽度，从而通过电荷控制，使载流子远离被刻蚀的所述栅指的侧壁，避免了所述栅指的侧壁造成的载流子散射，同时在原有所述栅指的物理尺寸的基础上进一步缩减了所述栅指的有效宽度，从而使得GaN FinFET器件在工艺上、结构上和性能上均得以优化提升。
gan finfet 器件及其制备方法

[发明专利]射频接收机的多通道相位校准方法、系统、介质、终端-CN202310251054.4在审
发明人：李小平;王志宇;郁发新;陈华;莫炯炯 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H04B17/21 文献下载
摘要：本发明提供一种射频接收机的多通道相位校准方法、系统、介质、终端，包括获取待校准信号在各个接收通道上的I路采样值和Q路采样值；对于每个接收通道，对I路采样值和Q路采样值的直流进行补偿；对参考通道的直流补偿后的I路采样值进行FFT变换，获取第一离散序列；对第一离散序列中的点进行变换处理；对变换处理后的第一离散序列进行IFFT变换，获取第二离散序列；基于第二离散序列计算各个校准通道相对于参考通道的相位差；对于每个校准通道，基于校准通道的I路采样值、Q路采样值和相位差进行相位补偿。本发明的射频接收机的多通道相位校准方法、系统、介质、终端利用基带信号进行相位补偿，能校准射频接收机内部锁相环分频引入的随机相位差。
射频接收机通道相位校准方法系统介质终端

[发明专利]DC-DC降压变换器、负载点电源及电子系统-CN202310421958.7在审
发明人：王弈赫;吕晓峰;陈华;郁发新 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明提供一种DC‑DC降压变换器、负载点电源及电子系统，其中，DC‑DC降压变换器包括前级降压模块及后级降压模块；前级降压模块以两组前级开关管分时导通形成四条电容充电链路的方式，对直流电压进行降压处理得到输入电压，并控制前级开关管进行零电流关断；其中，输入电压为直流电压的四分之一；后级降压模块接收输入电压，并通过调整后级开关管的占空比来控制输出电压的大小。通过本发明提供的DC‑DC降压变换器、负载点电源及电子系统，解决了传统BUCK型DC‑DC降压变换器存在体积较大的问题。
dc 降压变换器负载电源电子系统

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