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[发明专利]TEM样品的制备方法-CN202210185188.6在审
发明人：陈强;邱燕蓉;高金德 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种TEM样品的制备方法，包括：步骤一、形成第一保护层从具有深沟槽的芯片样品的顶部对深沟槽填充，深沟槽的深宽比大于第一保护层所能完全填充的第一值从而在深沟槽内形成有由不完全填充而产生的孔隙。步骤二、使用FIB进行第一次前后面切割并形成具有第一厚度的TEM样品，TEM样品的前后侧面都和深沟槽的延伸方向相交，深沟槽中的孔隙会在TEM样品的前后侧面暴露出来。步骤三、形成第二材料层从TEM样品的前后侧面将露的孔隙完全填充。步骤四、使用FIB对芯片样品的目标区域进行第二次前后面切割使TEM样品的厚度减薄到目标厚度。本发明能在对具有深沟槽的芯片样品进行制样过程中减少或消除离子束拉痕，提高TEM样品的质量和制样成功率。
tem 样品制备方法

[发明专利]TEM样品的制备方法-CN202010896075.8在审
发明人：陈强;邱燕蓉;高金德 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种TEM样品的制备方法，包括步骤：步骤一、提供具有孔洞的薄膜样品；步骤二、使用FIB对薄膜样品的目标区域进行TEM样品的第一次前后面切割，切割后TEM样品具有第一厚度且孔洞在TEM样品的前面或后面暴露；步骤三、采用ALD沉积工艺形成第一材料层将所述TEM样品中孔洞填满；步骤四、使用FIB对应薄膜样品的目标区域进行TEM样品的第二次前后面切割，切割后TEM样品具有目标厚度。本发明能减少或消除和薄膜样品中的孔洞相关的离子束拉痕，从而能提高TEM样品的质量和制样成功率，还具有操作简单和成本低的优点。
tem 样品制备方法

[发明专利]纳米探针测试方法-CN202010696847.3在审
发明人：赵新伟;邱燕蓉;段淑卿;高金德 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： G01Q30/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米探针测试方法，用于对一样品的目标截面进行检测，包括：提供所述样品；在所述样品上标记出包含所述目标截面的目标区域，沿着所述目标区域的边界切割以得到待测部分，并使所述待测部分脱离所述样品，所述目标截面为所述待测部分沿竖直方向的某一截面；切割所述待测部分的侧面以使所述目标截面暴露；旋转所述待测部分以使所述目标截面朝上，并固定在一光片上；将所述光片及所述光片上的待测部分一起转移至纳米探针台上后固定住所述光片，并利用纳米探针对所述目标截面进行测试。通过在样品中将目标截面切割出来，以便于利用纳米探针直接测试所述目标截面，得到准确的电性数据，从而便于进行精确的失效分析。
纳米探针测试方法

[发明专利]一种半导体器件的检验样品的制备方法-CN202010382602.3在审
发明人：陈强;邱燕蓉;高金德 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的检验样品的制备方法，具体包括：提供样品晶圆，在初始位置状态下，上述样品晶圆的侧表面暴露待测半导体器件的待测截面，上述待测半导体器件在上述待测截面上具有孔洞结构；经上述待测截面在上述孔洞结构中形成填充物以填满上述孔洞结构；以及在上述初始位置状态下竖直切割上述样品晶圆，以获得片状检验样品，上述片状检验样品的被观察侧表面为上述待测截面。在待测半导体器件内部存在孔洞结构时，根据本发明所提供的制备方法能够避免孔洞结构对所制备的TEM样品造成的影响，从而能够提高TEM图像的成像质量。
一种半导体器件检验样品制备方法

[发明专利]一种锗硅TEM样品的制备方法-CN201610704833.5有效
发明人：高林;邱燕蓉;袁安东 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗硅TEM样品的制备方法，包括：提供一含有锗硅区域的半导体器件衬底，将衬底放入FIB反应腔中，找到含有锗硅区域的目标区域；在目标区域上沉积金属保护层；设置I‑Beam电压、电流参数，将衬底进行翻转，采用所设定的离子束轰击目标区域的两侧；逐渐减小I‑Beam轰击样品的电流来切割减薄目标区域两侧，直至目标区域的硅衬底全部为非晶状态，而锗硅区域的状态保持不变，从而得到减薄后的锗硅TEM样品，本发明可以有效避免硅衬底区域的衍射衬度对锗硅区域形貌的影响。
锗硅目标区域衬底硅衬底减薄制备半导体器件离子束轰击沉积金属电流参数区域形貌衍射衬度逐渐减小状态保持保护层反应腔翻转放入非晶轰击切割

[发明专利]一种平面TEM样品的制备方法-CN201610327914.8有效
发明人：陈强;邱燕蓉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：一种平面TEM样品的制备方法，包括：步骤S1：将样品之截面制备至接近目标区域；步骤S2：将样品以截面为上，呈纵向放入聚焦离子束系统；步骤S3：根据位于硅化物之面向硅基衬底一侧的多晶硅厚度，控制聚焦离子束之电压，将所述多晶硅切割至预设剩余厚度，并使得预设剩余厚度之多晶硅恰好全部非晶化；步骤S4：对样品之异于非晶化的一侧进行背减至平面TEM样品厚度；步骤S5：完成平面TEM样品的制备。本发明通过控制聚焦离子束之电压，将多晶硅切割至预设剩余厚度，并使得在聚焦离子束之电压下，预设剩余厚度之多晶硅恰好全部非晶化，故基于多晶硅之杂乱的晶粒衬度影响硅基衬底上晶体管沟道中晶格缺陷的判断之缺陷便可避免。
一种平面 tem 样品制备方法

[实用新型]一种透射电镜样品治具-CN201721564413.8有效
发明人：孙凤勤;邱燕蓉;史燕萍;陈强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本实用新型提出一种透射电镜样品治具，包括：固定挡板，其包括间隔设置的第一固定挡板和第二固定挡板；可移动挡板，设置于所述两部分固定挡板之间，所述可移动挡板和第二固定挡板之间用于固定样品；内置弹簧，其一端连接于所述第一固定挡板，另一端连接于所述可移动挡板；把手，其底端连接于所述可移动挡板，顶端穿过所述第一固定挡板后露出。本实用新型提出的透射电镜样品治具，能够固定住芯片，有效防止倾倒，提高粘铜环的成功率，从而提高研磨样品的工作效率，增加TEM样品制备的成功率。 1
固定挡板可移动挡板透射电镜样品治具本实用新型一端连接成功率部分固定工作效率固定样品间隔设置内置弹簧挡板研磨底端铜环制备倾倒把手芯片穿过

[发明专利]TEM样品的制作方法及其TEM样品-CN201310625537.2有效
发明人：陈强;邱燕蓉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明一种TEM样品的制作方法及利用该方法形成的TEM样品，所述方法包括提供样品，所述样品中具有目标区域，所述样品为硅衬底及其上覆盖的芯片材料层；对所述样品进行截面研磨工艺，截面研磨后的样品的边缘与所述目标区域的距离为2‑10微米；在所述截面研磨后的样品上形成单侧大坑，所述截面研磨后的样品的厚度减薄为1‑3微米;去除硅衬底上覆盖的所述芯片材料层，保留样品；使用FIB方法对减薄后的样品进行平面制样，形成TEM样品。利用本发明的方法制作的TEM样品能够在平面TEM样品上清楚地观测到硅衬底上的各个位置的位错，避免了金属硅化物造成的影响。
tem 样品制作方法及其

[发明专利]制备透射电子显微镜样品的方法-CN201610612977.8在审
发明人：陈强;邱燕蓉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备透射电子显微镜样品的方法，包括：第一步骤：利用聚焦离子束对需要制备的芯片样品进行处理，以获得透射电子显微镜薄片样品；第二步骤：使用反应气体对透射电子显微镜薄片样品进行处理；第三步骤：利用透射电子显微镜对处理后的透射电子显微镜样品薄片进行观测。
制备透射电子显微镜样品方法

[发明专利]铝酸盐水泥或其混凝土增强剂及其使用方法-CN92105887.X无效
发明人：龙世宗;廖广林;吴斌;邱燕蓉;黄从运;周全胜 -专利权人：武汉工业大学
申请日： 1992-07-18 - 公布日： 1993-01-27 - 主分类号： C04B22/14 文献下载
摘要：本发明是针对铝酸盐水泥硬化浆体的强度会随龄期的增长发生倒缩的弱点而设计的。铝酸盐水泥或其混凝土增强剂，其化学成分以BaSO4为主。在铝酸盐水泥或其混凝土中掺和该增强剂可使水泥三天抗压强度提高10—20MPa，并在室温条件下后期强度不倒缩。本增强剂化学稳定性好，对铝酸盐水泥性能无不良影响，同时可大幅度降低铝酸盐水泥或其混凝土的成本。
盐水混凝土增强及其使用方法

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