专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种快速安装组件背板-CN202020254775.2有效
  • 邝亚镭;李亚领;谭晓嘉 - 江西顶耀智能科技有限公司
  • 2020-03-05 - 2020-11-17 - H01L31/049
  • 本实用新型公开了一种快速安装组件背板,包括长方形背板,所述长方形背板上设有光伏组件主体结构,所述光伏组件主体结构包括设于长方形背板上的上层透光材料层、电池片和绝缘封装膜,所述长方形背板的尺寸大于所述光伏组件主体结构的尺寸,在所述长方形背板未被所述光伏组件主体结构覆盖区域的边缘处沿着所述长方形背板的长边方向设有背板快速安装结构,相邻两长方形背板通过所述背板快速安装结构相连接。该背板在组件中既起到支撑、保护及封装作用,同时也具备安装功能,使得光伏组件不需要额外增加边框及压块等部件,直接具备快速安装的性能,保证安装的可靠性。
  • 一种快速安装组件背板
  • [实用新型]一种新型光伏组件-CN202020254828.0有效
  • 邝亚镭;李亚领;谭晓嘉 - 江西顶耀智能科技有限公司
  • 2020-03-05 - 2020-11-17 - H01L31/048
  • 本实用新型公开了一种新型光伏组件,包括层压件,所述层压件包括金属背板,以及设于金属背板上的光伏组件主体结构,所述光伏组件主体结构包括依次设于金属背板上的背面封装膜、绝缘层、中间封装膜、电池串、正面封装膜和正面高透光材料层。该新型光伏组件采用金属材料作为背板,同时采用封装膜和绝缘层使电池串和金属背板之间进行绝缘,改善了光伏组件的机械强度、支撑强度和耐候性,同时可减轻光伏组件的重量和成本。
  • 一种新型组件
  • [发明专利]一种新型光伏组件及其制备方法-CN202010145303.8在审
  • 邝亚镭;李亚领;谭晓嘉 - 江西顶耀智能科技有限公司
  • 2020-03-05 - 2020-07-03 - H01L31/048
  • 本发明公开了一种新型光伏组件,包括层压件,所述层压件包括金属背板,以及设于金属背板上的光伏组件主体结构,所述光伏组件主体结构包括依次设于金属背板上的背面封装膜、绝缘层、中间封装膜、电池串、正面封装膜和正面高透光材料层。该新型光伏组件采用金属材料作为背板,同时采用封装膜和绝缘层使电池串和金属背板之间进行绝缘,改善了光伏组件的机械强度、支撑强度和耐候性,同时可减轻光伏组件的重量和成本。还公开了上述新型光伏组件的制备方法。
  • 一种新型组件及其制备方法
  • [发明专利]一种快速安装组件背板-CN202010145321.6在审
  • 邝亚镭;李亚领;谭晓嘉 - 江西顶耀智能科技有限公司
  • 2020-03-05 - 2020-07-03 - H01L31/049
  • 本发明公开了一种快速安装组件背板,包括长方形背板,所述长方形背板上设有光伏组件主体结构,所述光伏组件主体结构包括设于背板上的上层透光材料层、电池片和绝缘封装膜,所述长方形背板的尺寸大于所述光伏组件主体结构的尺寸,在所述长方形背板未被所述光伏组件主体结构覆盖区域的边缘处沿着所述长方形背板的长边方向设有背板快速安装结构,相邻两长方形背板通过所述背板快速安装结构相连接。该背板在组件中既起到支撑、保护及封装作用,同时也具备安装功能,使得光伏组件不需要额外增加边框及压块等部件,直接具备快速安装的性能,保证安装的可靠性。
  • 一种快速安装组件背板
  • [发明专利]一种提纯工业硅制备太阳能级硅的方法-CN200910036966.X有效
  • 黄新明;张永欣;邝亚镭;郭宽新 - 晶海洋半导体材料(东海)有限公司
  • 2009-01-23 - 2009-07-08 - C01B33/037
  • 本发明公开了一种提纯工业硅(2N)制备太阳能级硅的方法,该方法是将工业硅经过初步破碎预处理后,放入高温固相反应炉中,在高温下与活性气体进行气-固反应,达到除去金属杂质的目的,然后对晶体硅进行清洗,晶体硅的纯度达到高于99.999%(5N),进一步通过电子束真空熔炼,定向凝固处理,最后采用活性气氛等离子体进行进一步的提纯,除去活性高且易被氧化而生成高饱和蒸汽压的易挥发的元素,最后在等离子体多晶硅铸造一体炉中铸造成多晶硅,直接用于制作电池片。本发明联合了高温气-固反应除去金属杂质,电子束除去容易挥发的元素以及等离子提纯铸造一体炉技术,将多晶硅的纯度提高到99.99999%(7N),完全满足太阳能电池行业对太阳能级硅的要求。
  • 一种提纯工业制备太阳能级方法

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