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[发明专利]基于Ni膜退火的SiC与Cl₂反应制备结构化石墨烯的方法-CN201210162383.3无效
发明人：郭辉;邓鹏飞;张玉明;张克基;雷天民;张凤祁 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现过程是：先对SiC样片进行标准清洗；再在清洗后的SiC样片表面淀积一层SiO2，并刻出图形窗口；将开窗后的样片置于石英管中，在700-1100℃下生成碳膜；再将生成的碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除窗口之外的SiO2；然后在另一Si样片上电子束沉积一层Ni膜；将去除SiO2后的碳膜样片置于Ni膜上，并将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火10-30min生成结构化石墨烯。本发明具有工艺简单，安全性高，生成的结构化石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低的优点，可用于制作微电子器件。
基于 ni 退火 sic cl sub 反应制备结构化石方法

[发明专利]基于Cu膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法-CN201210160190.4无效
发明人：郭辉;张克基;张玉明;张凤祁;雷天民;邓鹏飞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Cu膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀，制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯电子迁移率降低的问题。其实现步骤是：(1)对SiC样片进行标准清洗；(2)在SiC样片表面淀积一层SiO2，并在SiO2上刻出图形窗口；(3)将开窗后的样片置于石英管中，在800-1100℃下利用气态CCl4与裸露的SiC反应，生成双层碳膜；(4)将生成的双层碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除窗口以外的SiO2；(5)将去除SiO2后的样片置于Cu膜上，再置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火15-25min，在窗口处生成双层结构化石墨烯。本发明具有工艺简单，安全性高，双层结构化石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低的优点，可用于制作微电子器件。
基于 cu 退火 sic 衬底结构化石制备方法

[发明专利]基于Cl₂反应的结构化石墨烯制备方法-CN201210158553.0无效
发明人：郭辉;张克基;张玉明;张凤祁;邓鹏飞;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Cl2反应的结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯层数不均匀，且制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯电子迁移率降低的问题。其实现过程是：（1）在4-12英寸的Si衬底基片上生长一层碳化层作为过渡；（2）在温度为1150℃-1300℃下利用气源C3H8和SiH4生长3C-SiC薄膜；（3）在3C-SiC薄膜表面淀积一层0.5-1μm厚的SiO2，并在SiO2上刻出图形窗口；（4）将开窗后裸露的3C-SiC在700-1050℃下与Cl2反应，生成碳膜；（5）将生成的碳膜置于Ar气中，在温度为1000-1100℃下退火10-25min，使碳膜在窗口处重构成结构化石墨烯。用本发明方法制备的结构化石墨烯表面光滑，孔隙率低，可用于制作微电子器件。
基于 cl sub 反应结构化石制备方法

[发明专利]基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法-CN201210158388.9有效
发明人：郭辉;张晨旭;张玉明;张克基;雷天民;邓鹏飞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法，主要解决用现有技术制备石墨烯连续性不好、层数不均匀，导致制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。其实现步骤如下：(1)在Si衬底上先生长一层碳化层作为过渡，再在温度为1200℃-1350℃下生长3C-SiC薄膜；(2)在3C-SiC薄膜表面淀积一层SiO2，并在SiO2上刻出图形窗口；(3)将开窗后裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜；(4)将生成的双层碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除剩余的SiO2；(5)将去除SiO2后的双层碳膜样片置于Ni膜上，再将它们置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火15-25min，以在窗口位置处生成双层结构化石墨烯。本发明制备的双层结构化石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低，可用于制作微电子器件。
基于 ni 退火结构化石制备方法

[发明专利]在3C-SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法-CN201210158547.5无效
发明人：郭辉;张晨旭;张克基;张玉明;张凤祁;邓鹏飞;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了在3C-SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法，主要解决现有技术制备的石墨烯层数不均匀，且制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯电子迁移率降低的问题。本发明采用在Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡；然后在温度为1150℃-1300℃下进行3C-SiC薄膜异质外延生长，生长气源为C3H8和SiH4；再在3C-SiC样片表面淀积一层0.5-1μm厚的SiO2，并在SiO2上刻出结构化图形窗口；然后将裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜；再在Ar气中温度为1000-1100℃下退火10-20min，在刻出的窗口位置生成双层结构化石墨烯。本发明具有双层结构化石墨烯表面光滑，孔隙率低的优点，可用于制作微电子器件。
sic 衬底制备结构化石方法

[发明专利]以SiC为基底的石墨烯制备方法-CN201210103184.5无效
发明人：郭辉;吕晋军;张玉明;张克基;邓鹏飞;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了以SiC为基底的石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、层数不均匀的问题。本发明中先对SiC样片进行标准清洗；将清洗后的SiC样片置于石英管中；利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管，在800-1100℃下SiC与气态CCl4反应，生成双层碳膜；再将生成的双层碳膜样片在Ar气中温度为1000-1200℃下退火10-30min，使双层碳膜重构成双层石墨烯。本发明具有工艺简单，安全性高，双层石墨烯表面光滑，孔隙率低的优点，可用于对气体和液体的密封。
sic 基底石墨制备方法

[发明专利]基于Cu膜辅助退火和Cl₂反应的大面积石墨烯制备方法-CN201210009503.6有效
发明人：郭辉;张克基;张玉明;邓鹏飞;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-01-03 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Cu膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、层数不均匀的问题。(1)在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡；(2)在温度为1150℃-1350℃下进行3C-SiC异质外延薄膜的生长，生长气源为C3H8和SiH4；(3)将3C-SiC在700-1100℃下与Cl2反应，生成碳膜，(4)将生成的碳膜样片的碳面置于Cu膜上，再将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火10-30min生成石墨烯。用本发明方法生成的石墨烯面积大，表面光滑，连续性好，孔隙率低，可用于对气体和液体的密封。
基于 cu 辅助退火 cl sub 反应大面积石墨制备方法

[发明专利]基于Ni膜辅助退火和Cl₂反应的大面积石墨烯制备方法-CN201210009959.2有效
发明人：郭辉;邓鹏飞;张玉明;张克基;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-01-03 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ni膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、层数不均匀的问题。(1)在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡；(2)在温度为1200℃-1300℃下利用气源C3H8和SiH4生长3C-SiC外延薄膜；(3)将3C-SiC在700-1100℃下与Cl2反应，生成碳膜；(4)在Si基体上电子束沉积300-500nm厚的Ni膜；(5)将生成的碳膜样片的碳面置于Ni膜上，再将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火15-30min生成石墨烯。本发明生成的石墨烯面积大，表面光滑，连续性好，孔隙率低，可用于对气体和液体的密封。
基于 ni 辅助退火 cl sub 反应大面积石墨制备方法

[发明专利]基于Ni膜退火和Cl₂反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法-CN201210007709.5有效
发明人：郭辉;张克基;张玉明;邓鹏飞;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-01-03 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ni膜退火和Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现过程是：先对SiC样片进行标准清洗；将清洗后的SiC样片置于石英管中，向石英管中通入Ar气和Cl2的混合气体，在700-1100℃下SiC与Cl2反应3-8min，生成碳膜；然后在Si基体上电子束沉积300-500nm厚的Ni膜；再将生成的碳膜样片的碳面置于Ni膜上，并将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火10-30min生成石墨烯；最后将Ni膜从石墨烯样片上取开。本发明具有工艺简单，安全性高，生成的石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低的优点，可用于对气体和液体的密封。
基于 ni 退火 cl sub 反应 sic 衬底制备石墨方法

[发明专利]基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法-CN201210009958.8有效
发明人：郭辉;邓鹏飞;张玉明;张克基;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-01-03 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；将清洗后的SiC样片置于石英管中，利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管，在800-1100℃下SiC与气态CCl4反应，生成双层碳膜；然后再将生成的双层碳膜样片的碳面置于Cu膜上，再将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火15-25min生成双层石墨烯；最后将Cu膜从双层石墨烯样片上取开。本发明具有工艺简单，安全性高，双层石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低的优点，可用于对气体和液体的密封。
基于 cu 辅助退火 sic 衬底石墨制备方法

[发明专利]工程机械及其臂架回转对中的控制方法、装置及系统-CN201110430601.2有效
发明人：段娟香;邓鹏飞;黄开 -专利权人：长沙中联消防机械有限公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G05D3/00 文献下载
摘要：本发明涉及工程机械及其臂架回转对中的控制方法、装置及系统，该控制方法包括以下步骤：侦测开始对中信号；当侦测到开始对中信号后，分别采样至少一个缓冲位传感器和一个中位传感器的信号获得它们的状态；对应所述至少一个缓冲位传感器和所述中位传感器的不同状态或不同状态的逻辑组合，分别输出不同的控制信号，控制臂架在到达中位前至少一次减速、以及到达中位时停止回转。该装置包括：对中指令侦测模块、位置采样模块和处理模块。该系统包括：转台控制装置、上述控制装置、至少一个检测装置、中位传感器和至少一个缓冲位传感器。该工程机械包括上述的控制装置或控制系统。该控制系统能够使臂架回转对中更准确、可靠和快速。
工程机械及其回转中的控制方法装置系统

[发明专利]在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法-CN201210007685.3无效
发明人：郭辉;吕晋军;张玉明;张克基;邓鹏飞;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-01-03 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、层数不均匀的问题。本发明采用在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡，然后在温度为1150℃-1300℃下进行3C-SiC异质外延薄膜的生长，生长气源为C3H8和SiH4，然后将3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜，再在Ar气中温度为1000-1100℃下退火10-20min生成双层石墨烯。本发明具有双层石墨烯面积大，表面光滑，孔隙率低的优点，可用于对气体和液体的密封。
sic 衬底制备石墨方法

[发明专利]记录臂架运动轨迹的设备、方法、系统以及工程机械设备-CN201110422880.8有效
发明人：苏亮;邓鹏飞;张虎;段娟香;熊亿 -专利权人：长沙中联消防机械有限公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01D9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种记录臂架运动轨迹的设备、方法、系统以及包括该系统的工程机械设备，该设备包括：接收装置，用于接收所述臂架的回转角度、变幅角度及伸缩长度以及回转手柄、变幅手柄及伸缩手柄的摆动方向，该摆动方向包括无摆动、朝前摆动及朝后摆动；以及记录控制器，与所述接收装置相连，用于在所述回转手柄、变幅手柄以及伸缩手柄中任一者的摆动方向发生变化时，记录此时刻所述臂架的回转角度、变幅角度及伸缩长度以及所述回转手柄、变幅手柄及伸缩手柄的摆动方向。藉此，既可提高数据有效性，且亦可降低对控制器及存储器的要求。
记录运动轨迹设备方法系统以及工程机械设备

[发明专利]一种臂架回收的控制方法、控制装置、控制系统及车辆-CN201110455877.6有效
发明人：苏亮;邓鹏飞;张虎;段娟香;熊亿 -专利权人：长沙中联消防机械有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： E06C5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种臂架回收的控制方法、控制装置、控制系统及车辆，用以提高臂架回收的作业效率。该方法包括：控制装置通过测量装置获取所述臂架的当前位置状态信息，根据所述当前位置状态信息中至少一个参数值，确定所述臂架所处的位置区段，驱动传动装置执行与所述位置区段对应的回收策略。
一种回收控制方法装置控制系统车辆

[发明专利]用于上下车切换的控制器、系统和方法及高空作业车-CN201210031911.1有效
发明人：段娟香;邓鹏飞 -专利权人：长沙中联消防机械有限公司
申请日： 2012-02-13 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： B66F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于上下车切换的控制器、系统和方法及高空作业车。其中，一种用于上下车切换的控制器包括：接收装置，用于接收下车状态、倾角信号和上下车开关阀状态；以及处理装置，用于根据下车状态倾角信号和上下车开关阀状态输出控制上车操纵阀的信号。以确保准确地识别车身状态，从而保证高空作业车的上下车切换操作更安全。
用于下车切换控制器系统方法高空作业