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[发明专利]半导体装置-CN201380079685.7有效
发明人： 远井茂男 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-09-19 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其在对表面电极进行焊料接合的情况下，在伴随加热或冷却的条件下具有高耐量。本发明具有：第1导电型的漂移层(12)；栅极构造，其形成在漂移层(12)之上的第1区域；表面电极(2)，其覆盖第1区域以及漂移层(12)之上的第2区域而配置；接合层(40)，其局部地形成在表面电极(2)之上；焊料层(3)，其形成在接合层(40)之上；以及引线框(1)，其配置在焊料层(3)之上。接合层(40)将与第1区域对应的表面电极(2)之上的区域覆盖，且接合层(40)的端部位于与第2区域对应的表面电极(2)之上的区域。在第2区域形成有二极管。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201280070478.0有效
发明人： 远井茂男 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明所涉及的半导体装置，具有半导体元件，其具有在俯视观察时直线地形成的多个栅极、与该多个栅极绝缘的发射极图案、以及在该发射极图案上形成的发射极电极，并且形成为主电流经由该发射极图案流向该发射极电极；第1焊点，其形成在该发射极电极的一部分上；第2焊点，其与该第1焊点隔离地形成在该发射极电极的一部分上；以及端子，其经由该第1焊点以及该第2焊点与该发射极电极连接。该半导体元件具有形成有该第1焊点的第1焊点区域、形成有该第2焊点的第2焊点区域、以及该第1焊点区域和该第2焊点区域之间的区域即中间区域，该第1焊点区域的该栅极的密度、该第2焊点区域的该栅极的密度和该中间区域的该栅极的密度相等，该半导体元件形成为，该中间区域的该主电流的电流密度低于该第1焊点区域以及该第2焊点区域的该主电流的电流密度。
半导体装置

[发明专利]功率器件-CN200880131608.0有效
发明人： 远井茂男;角田哲次郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-10-14 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的功率器件，具备：第1导电型的半导体衬底；在该半导体衬底的表面形成的第2导电型的基极区；在该半导体衬底的背面形成的第2导电型的集电极区；以及在该基极区的表面形成的第1导电型的发射极区。还具备：在以贯通该发射极区的方式形成在该基极区的第1沟槽内隔着栅极绝缘膜而形成的沟槽栅极；靠近该发射极区而形成在该基极区的凹坑；形成在该凹坑的内壁并且掺杂密度比该基极区高的第2导电型的接触层；在该凹坑的底部形成的第2沟槽内隔着伪沟槽绝缘膜而形成的伪沟槽；以及与该发射极区、该接触层及该伪沟槽电连接的发射极电极，该沟槽栅极和该伪沟槽达到该半导体衬底。
功率器件

[发明专利]半导体装置-CN200610163084.6无效
发明人： 远井茂男;角田哲次郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种保持高耐压的半导体装置，该半导体装置廉价且能稳定地保持高耐压。在保护环区域(3)，在第一导电型半导体衬底(5)的主面设置有成为保护环的第二导电型的第二扩散层(3a、3b、3c)。在这些第二扩散层上设置有绝缘膜(8)。在绝缘膜(8)的上面，具有在第一表面电极(11a)、第二表面电极(11c、11d、11e)、第三表面电极(11b)各电极中邻接的电极之间设置有导电膜(12)的结构。由此，在半导体衬底(5)的导电膜(12)下的部分，助长耗尽层的延伸，可提高耐压。
半导体装置