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[发明专利]一种通过时域分割实现光发射和接收时域隔离及抗杂散干扰的光电传感器-CN202210694019.5在审
发明人： 赖之安 -专利权人： 赖之安
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01S7/484 文献下载
摘要：本发明申请公开了一种光电传感器，通过光发射和光接收的器件在时域上分割控制开通和关闭，避免大部分杂散光进入光电传感系统，提升光电传感的性能。本申请中的光电传感器包括：光发射器件及其驱动电路，可以由电信号驱动，发射传感用光信号；光接收器件及其读出电路，可以接收传感光信号并产生探测电信号；时域分割和控制电路，将传感器工作的时间轴按照器件状态分割，并给出对应的控制信号；时域发射接收隔离算法，根据传感光从发射到接收的时序，以及在探测空间的传播特征，确定光发射和光接收器件在时域上的对应工作状态，在时域上抑制杂散和串扰光引起的噪声。
一种通过时域分割实现发射接收隔离抗杂散干扰光电传感器

[实用新型]一种分布式绕线电感器件及装置-CN201920039363.4有效
发明人：张海涛;赖之安;王克强 -专利权人：广西芯百特微电子有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本实用新型公开一种分布式绕线电感器件及装置，涉及电路设计和器件技术领域，包括多个线圈层，所述的多个线圈层之间通过多个过孔连接进行层间绕线线圈排布；所述的多个线圈层，包括：第一绕线线圈层和第二绕线线圈层；通过改变绕线线圈在层间的分布，使得总的绕线电感分布在第一绕线线圈层和第二绕线线圈层，避免了电感线圈集中于某一层。这种分布式的结构可以提高绕线电感的某些性能，如Q值或一致性等。
线圈层绕线电感绕线绕线线圈层间器件技术领域本实用新型电感线圈电路设计排布

[实用新型]一种新型电容器及装置-CN201920047910.3有效
发明人：张海涛;赖之安;王克强 -专利权人：广西芯百特微电子有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01G2/22 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型电容器及装置，涉及电路设计和器件技术领域，包括两层极板、设置于两层极板之间的电介质层和连接其中一层极板的通孔结构，所述的通孔结构设置于所连接极板的边缘部位包围屏蔽电介质层及另一层极板；本实用新型极板边缘增加的通孔和一个极板相连接，将电介质层包围在中间，电池的边缘被限制和控制，使得电容器的电磁场屏蔽更好，提高电容器件的某些性能，例如一致性、抗干扰性等，提高电容的Q值，减少插损，提高整体电路的效率。
极板电介质层本实用新型新型电容器通孔结构两层电容器器件技术领域电磁场屏蔽包围边缘部位电路设计电容器件极板边缘整体电路电容插损屏蔽通孔电池

[实用新型]功率放大器匹配电路及功率放大器-CN201920085061.0有效
发明人：张海涛;赖之安 -专利权人：广西芯百特微电子有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本实用新型公开一种功率放大器匹配电路，包括输入端、第一电感、第二电感、第一电容、第二电容和输出端；第一电容的第一端与功率放大器匹配电路的输入端连接，第一电容的第二端接地，第一电容的第一端与第一电感的第一端连接，第一电感的第二端与第二电感的第一端连接，第二电感的第二端连接至电源电压，第二电感的第一端与第二电容的第一端连接，第二电容的第二端与功率放大器匹配电路的输出端连接。相应的，本实用新型还公开一种功率放大器。本实用新型能够在电源电压动态调整的情况下，针对更宽的电源电压变化范围做匹配优化，提高功率放大器的附加效率，从而降低功耗，延长手机待机时间。
电感功率放大器电容第一端匹配电路本实用新型电源电压电源电压变化输出端连接输入端连接动态调整降低功耗手机待机端接地输出端输入端匹配优化

[实用新型]一种用于5G通信的射频电路及终端-CN201920122045.4有效
发明人：张海涛;赖之安 -专利权人：广西芯百特微电子有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H04B1/401 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于5G通信的射频电路，包括功率放大器、第一切换开关、高通滤波器、低通滤波器、双工器和第二切换开关；功率放大器的输出端与第一切换开关的输入端连接，第一切换开关的第一输出端与高通滤波器的输入端连接，高通滤波器的输出端与低通滤波器的输入端连接，低通滤波器的输出端与第二切换开关的第一输入端连接，第一切换开关的第二输出端与双工器的输入端连接，双工器的输出端与第二切换开关的第二输入端连接，第二切换开关的输出端用于连接天线。相应的，本实用新型还公开了一种终端。本实用新型的滤波器采用高通滤波器和低通滤波器组合而成，结构简单、降低生产制造难度和制造成本。
切换开关输出端输入端连接低通滤波器高通滤波器本实用新型双工器功率放大器射频电路滤波器终端降低生产制造成本通信天线制造

[实用新型]一种新型的射频耦合器及装置-CN201920058081.9有效
发明人：张海涛;赖之安;王克强 -专利权人：广西芯百特微电子有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型的射频耦合器及装置，涉及电路设计和器件技术领域，包括第一耦合线、第二耦合线和电介质，所述的电介质设置于第一耦合线和第二耦合线之间，所述的第一耦合线设置为直线结构，第二耦合线设置为非直线结构，以增加耦合长度；在传统射频耦合器的设计上，通过改变其中一根耦合线为斜线或者阶梯型走线，增加耦合长度，同时提高耦合器参数对工艺变化的抵抗力，改善耦合器的一致性和抗干扰能力。
耦合线耦合器电介质射频耦合器耦合器件技术领域本实用新型非直线结构抗干扰能力传统射频电路设计工艺变化直线结构抵抗力阶梯型斜线走线

[发明专利]一种新型电容器及装置-CN201910027582.5在审
发明人：张海涛;赖之安;王克强 -专利权人：广西芯百特微电子有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01G2/10 文献下载
摘要：本发明公开一种新型电容器及装置，涉及电路设计和器件技术领域，包括两层极板、设置于两层极板之间的电介质层和连接其中一层极板的通孔结构，所述的通孔结构设置于所连接极板的边缘部位包围屏蔽电介质层及另一层极板；本发明极板边缘增加的通孔和一个极板相连接，将电介质层包围在中间，电池的边缘被限制和控制，使得电容器的电磁场屏蔽更好，提高电容器件的某些性能，例如一致性、抗干扰性等，提高电容的Q值，减少插损，提高整体电路的效率。
极板电介质层新型电容器通孔结构两层电容器器件技术领域电磁场屏蔽包围边缘部位电路设计电容器件极板边缘整体电路电容插损屏蔽通孔电池

[发明专利]一种用于5G通信的射频电路及终端-CN201910067713.2在审
发明人：张海涛;赖之安 -专利权人：广西芯百特微电子有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H04B1/401 文献下载
摘要：本发明公开一种用于5G通信的射频电路，包括功率放大器、第一切换开关、高通滤波器、低通滤波器、双工器和第二切换开关；功率放大器的输出端与第一切换开关的输入端连接，第一切换开关的第一输出端与高通滤波器的输入端连接，高通滤波器的输出端与低通滤波器的输入端连接，低通滤波器的输出端与第二切换开关的第一输入端连接，第一切换开关的第二输出端与双工器的输入端连接，双工器的输出端与第二切换开关的第二输入端连接，第二切换开关的输出端用于连接天线。相应的，本发明还公开了一种终端。本发明的滤波器采用高通滤波器和低通滤波器组合而成，结构简单、降低生产制造难度和制造成本。
切换开关输出端输入端连接低通滤波器高通滤波器双工器功率放大器射频电路滤波器终端降低生产制造成本通信天线制造

[发明专利]一种分布式绕线电感器件及装置-CN201910022914.0在审
发明人：张海涛;赖之安;王克强 -专利权人：广西芯百特微电子有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明公开一种分布式绕线电感器件及装置，涉及电路设计和器件技术领域，包括多个线圈层，所述的多个线圈层之间通过多个过孔连接进行层间绕线线圈排布；所述的多个线圈层，包括：第一绕线线圈层和第二绕线线圈层；通过改变绕线线圈在层间的分布，使得总的绕线电感分布在第一绕线线圈层和第二绕线线圈层，避免了电感线圈集中于某一层。这种分布式的结构可以提高绕线电感的某些性能，如Q值或一致性等。
线圈层绕线电感绕线绕线线圈层间器件技术领域电感线圈电路设计排布

[发明专利]功率放大器匹配电路及功率放大器-CN201910048148.5在审
发明人：张海涛;赖之安 -专利权人：广西芯百特微电子有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明公开一种功率放大器匹配电路，包括输入端、第一电感、第二电感、第一电容、第二电容和输出端；第一电容的第一端与功率放大器匹配电路的输入端连接，第一电容的第二端接地，第一电容的第一端与第一电感的第一端连接，第一电感的第二端与第二电感的第一端连接，第二电感的第二端连接至电源电压，第二电感的第一端与第二电容的第一端连接，第二电容的第二端与功率放大器匹配电路的输出端连接。相应的，本发明还公开一种功率放大器。本发明能够在电源电压动态调整的情况下，针对更宽的电源电压变化范围做匹配优化，提高功率放大器的附加效率，从而降低功耗，延长手机待机时间。
电感功率放大器电容第一端匹配电路电源电压电源电压变化输出端连接输入端连接动态调整降低功耗手机待机端接地输出端输入端匹配优化

[发明专利]一种新型的射频耦合器及装置-CN201910022963.4在审
发明人：张海涛;赖之安;王克强 -专利权人：广西芯百特微电子有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明公开一种新型的射频耦合器及装置，涉及电路设计和器件技术领域，包括第一耦合线、第二耦合线和电介质，所述的电介质设置于第一耦合线和第二耦合线之间，所述的第一耦合线设置为直线结构，第二耦合线设置为非直线结构，以增加耦合长度；在传统射频耦合器的设计上，通过改变其中一根耦合线为斜线或者阶梯型走线，增加耦合长度，同时提高耦合器参数对工艺变化的抵抗力，改善耦合器的一致性和抗干扰能力。
耦合线耦合器电介质射频耦合器耦合器件技术领域非直线结构抗干扰能力传统射频电路设计工艺变化直线结构抵抗力阶梯型斜线走线

[发明专利]一种蓝牙传输模块及具有该蓝牙传输模块的蓝牙设备-CN201110059500.9有效
发明人： 赖之安;高怀 -专利权人： 赖之安
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H04B5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝牙传输模块及蓝牙设备，该模块包括：蓝牙信号处理子模块、本振子模块、依据本振子模块提供的慢跳频本振信号将快跳频信号转换为中频信号的下变频子模块，中频功率放大子模块、选择子模块、信号接收/发射子模块、中频接收信号处理子模块，依据本振子模块提供的慢跳频本振信号进行慢跳频处理的上变频子模块。本发明实施例公开的蓝牙传输模块，通过增加的本振模块为上变频模块和下变频模块提供慢跳频信号，增加对信号进行慢跳频处理的过程，提升了信号的抗干扰性，同时提高了保密性，保证了蓝牙传输设备在数据传输过程中工作的安全性和稳定性。进一步的，由于将信号进行慢跳频处理后，以中频形式进行发送，提高了模块的传输距离。
一种蓝牙传输模块具有设备

[实用新型]一种蓝牙传输模块及具有该蓝牙传输模块的蓝牙设备-CN201120064172.7无效
发明人： 赖之安;高怀 -专利权人： 赖之安
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H04B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蓝牙传输模块及蓝牙设备，该模块包括：蓝牙信号处理子模块、本振子模块、依据本振子模块提供的慢跳频本振信号将快跳频信号转换为中频信号的下变频子模块，中频功率放大子模块、选择子模块、信号接收/发射子模块、中频接收信号处理子模块，依据本振子模块提供的慢跳频本振信号进行慢跳频处理的上变频子模块。本实用新型公开的蓝牙传输模块，通过增加的本振模块为上变频模块和下变频模块提供慢跳频信号，增加对信号进行慢跳频处理的过程，提升了信号的抗干扰性，同时提高了保密性，保证了蓝牙传输设备在数据传输过程中工作的安全性和稳定性。进一步的，将信号进行慢跳频处理后，以中频形式进行发送，提高了模块的传输距离。
一种蓝牙传输模块具有设备

[发明专利]一种基于移相原理提高分辨率的超衍射成像器件及其制作方法-CN201010617826.4有效
发明人：王长涛;方亮;罗先刚;刘玲;冯沁;赖之安;杨欢 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种基于移相原理提高分辨率的超衍射成像器件及其制作方法，该超衍射成像器件相邻的透光区通过交替填充具有正负介电系数的两种材料，分别实现相位延迟和相位超前，大大增强了材料厚度对相位差的调制，使该器件更容易实现π相位差，从而进一步提高其成像分辨率。这一方案解决了传统超衍射成像器件难以实现40nm线宽以下分辨率的技术难题，在超分辨成像和纳米光刻技术中具有广阔的应用前景。
一种基于原理提高分辨率衍射成像器件及其制作方法

[发明专利]一种制作高深宽比周期性纳米结构的制作方法-CN201010617795.2无效
发明人：方亮;罗先刚;王长涛;刘玲;冯沁;赖之安;杨欢 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，其特征在于：选择抛光基片，用旋涂的方法在其表面涂上一层厚度≥300nm的光刻胶；采用磁控溅射的方法在光刻胶表面沉积一层厚度为20nm的SiO2薄膜；用旋涂的方法在SiO2薄膜表面涂上一层厚度为50nm-100nm的高分辨率光刻胶；利用激光干涉光刻对表层高分辨率光刻胶进行曝光显影；将三层胶结构置于热板或烘箱中进行坚膜；选择氟基气体，利用反应离子刻蚀将表层光刻胶图形传递至SiO2层；再选用氧气，以SiO2层为硬掩模层，利用反应离子刻蚀将SiO2层的图形传递至底层光刻胶，即可获得高分辨率、高深宽比光刻胶图形。本发明成本低廉、加工图形区域面积大，在亚波长光栅和光子晶体的制作及应用研究方面具有广阔的应用前景。
一种制作高深周期性纳米结构制作方法

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