专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]燃料电池系统及其控制方法-CN201910998871.X有效
  • 谷本智;菊地刚;中岛穰二 - 本田技研工业株式会社
  • 2019-10-21 - 2023-06-30 - H01M8/04302
  • 本公开涉及燃料电池系统及其控制方法,燃料电池系统(10)的温度传感器(52)检测起动开始时的燃料电池堆(16)的温度或者外部气温作为起动开始时温度。存储部(62)存储多个电流限制模式(60)。电流限制部(64)基于检测出的起动开始时温度来选择电流限制模式(60),基于选择的电流限制模式(60)以及由温度传感器(52)检测出的燃料电池堆(16)的运转中的温度来限制从燃料电池堆(16)取出的电流。在多个电流限制模式(60)中,越是在起动开始时温度低时选择的电流限制模式,燃料电池堆(16)的温度达到基准温度(T2)为止的阈值被设定得越小。
  • 燃料电池系统及其控制方法
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201880098780.4在审
  • 谷本智;山下真理 - 株式会社日产ARC
  • 2018-10-18 - 2021-06-08 - H01L23/28
  • 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有:基体(10)、在基体(10)的上表面配置的半导体芯片(40)、覆盖半导体芯片(40)的密封树脂(80)、在密封树脂(80)的上部的一部分中埋入且上表面向密封树脂(80)的外部露出的环状栓(70)、以及具有贯通环状栓(70)并在与基体(10)的上表面垂直的方向上延伸的垂直部分、且下端在密封树脂(80)的内部与半导体芯片(40)的电极电连接、上端向密封树脂(80)的外侧露出的立起端子(61)。在立起端子(61)的垂直部分的侧面的周围固着有密封栓(70)。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体模块-CN201280039872.8有效
  • 图子祐辅;村上善则;谷本智;佐藤伸二;松井康平 - 日产自动车株式会社;富士电机株式会社
  • 2012-08-24 - 2019-12-13 - H01L23/36
  • 一种半导体模块,其具有:一对半导体元件(16,18),它们具有与第1电力系统(BT)电气连接的第1端子(12,14)、和与第2电力系统(M)电气连接的第2端子(13),彼此串联连接;散热器(7);第1电极(10),其分别与所述第1端子的一个第1端子(12)、和所述一对半导体元件中的一个半导体元件(16)的一个电极电气连接;输出电极(11),其分别与所述第2端子(13)、和所述一对半导体元件中的另一个半导体元件(18)的一个电极电气连接;以及第2电极(9),其与所述第1端子的另一个第1端子(14)电气连接,所述第2电极(9)经由第1绝缘部件(8a)与所述散热器(7)连接,所述输出电极(11)经由第2绝缘部件(8b)与所述第2电极(9)连接。
  • 半导体模块
  • [发明专利]半桥功率半导体模块及其制造方法-CN201480083659.6有效
  • 谷本智 - 日产自动车株式会社
  • 2014-11-28 - 2019-10-01 - H01L25/18
  • 半桥功率半导体模块1具有绝缘配线基板15,绝缘配线基板15包括在一张绝缘板16之上或其上方相互电绝缘地配置的正极配线导体12H、桥接配线导体12B及负极配线导体21L。在正极配线导体12H及桥接配线导体12B之上接合有高侧功率半导体装置13HT及低侧功率半导体装置13LT的背面电极。高侧功率半导体装置13HT及低侧功率半导体装置13LT的表面电极经由多个接合线18BT及多个接合线18LT与桥接配线导体12B及负极配线导体21L连接。
  • 功率半导体模块及其制造方法
  • [发明专利]半桥式功率半导体模块及其制造方法-CN201580075987.6有效
  • 谷本智 - 株式会社日产ARC
  • 2015-02-13 - 2019-07-30 - H01L25/07
  • 半桥式功率半导体模块(1)具有绝缘配线基板(15),该绝缘配线基板(15)包括正极配线导体(12H)、桥式配线导体(12B)、负极配线导体(21L)。在正极配线导体(12H)以及桥式配线导体(12B)上,高侧功率半导体装置(13HT)以及低侧功率半导体装置(13LT)的背面电极相接合。高侧功率半导体装置(13HT)以及低侧功率半导体装置(13LT)的表面电极经由连接单元(18BT、18LT)连接于桥式配线导体(12B)以及负极配线导体(21L)。流经正极配线导体(12H)以及桥式配线导体的主电流与流经连接单元(18BT)以及(18LT)的主电流处于邻接相反平行通过电流的关系。
  • 半桥式功率半导体模块及其制造方法
  • [发明专利]二极管装置-CN201510175983.7有效
  • 谷本智;桐谷范彦;牧野俊晴;小仓政彦;德田规夫;加藤宙光;大串秀世;山崎聪 - 日产自动车株式会社
  • 2009-02-27 - 2018-03-16 - H01L29/45
  • 在接合元件中,通过在半导体层内形成耗尽层,在正向施加电压时存在于电极层的电子无法移动到半导体层。因此,半导体层的大多数空穴不会与半导体层内的传导电子重新结合而消失,而是扩散到半导体层并到达电极层。由此,能够不受电阻值的影响,对空穴发挥良导体的作用,能够流过与由Si、SiC半导体形成的半导体元件相同或者以上的电流。本发明能够适用于金刚石、氧化锌、氮化铝、氮化硼等施主能级和受主能级中的至少一方位于与对应于动作温度的热激发能相比足够深的位置处的所有半导体材料。另外,即使如硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、锗等那样在室温下具有较浅的杂质能级的材料,在热激发能变得足够低的低温条件下使其进行动作时也能够应用本发明。
  • 二极管装置

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