“谢速”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果25个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种4H-SiC基超结功率场效应晶体管元件-CN202221983167.0有效
发明人：谢速 -专利权人：杰平方半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种4H‑SiC基超结功率场效应晶体管元件，包括漏电极、源电极、栅电极；漏电极贴合于衬底区的下表面，在衬底区一侧的上表面设置有第一漂移区，在衬底区另一侧的上表面形成有半导体辅助区，在半导体辅助区的上表面设置有与第一漂移区相接触的第二漂移区，第二漂移区的部分下表面与衬底区上表面相接触，源区与源电极并排嵌入源体区，源区位于源电极的内侧，源体区的下表面与第二漂移区的上表面接触且其内侧延伸至与第一漂移区接触，在第一漂移区的上表面还设置有呈反L字形的绝缘层，在绝缘层上依次层叠有栅区与栅电极。其显著效果是：提高了器件导通电流的能力，并降低了器件的开关功耗，缩短了关断时长。
一种 sic 基超结功率场效应晶体管元件

[实用新型]一种车规级4H-SiC基超结功率MOSFET元器件-CN202221983175.5有效
发明人：谢速 -专利权人：杰平方半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种车规级4H‑SiC基超结功率MOSFET元器件，包括漏电极、源电极、栅电极；漏电极贴合于衬底区的下表面，在衬底区的上表面分别设置有缓冲区与半导体辅助区，在缓冲区上设置有第一漂移区，在半导体辅助区上设置有第二漂移区，该第二漂移区部分位于缓冲区的上方，源区与源电极并排嵌入源体区内，且源区位于源电极的内侧并与部分所述源体区通过导体相连，栅电极与栅区依次层叠在绝缘层上，绝缘层呈反L字形且其两侧包裹住栅区，绝缘层的下表面与第一漂移区接触，绝缘层的内侧表面与源区、源体区以及第一漂移区接触。其显著效果是：提高了器件导通电流的能力，并降低了器件的开关功耗，缩短了关断时长。
一种车规级 sic 基超结功率 mosfet 元器件

[实用新型]一种4H-SiC基超结功率MOSFET-CN202221986452.8有效
发明人：谢速 -专利权人：杰平方半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种4H‑SiC基超结功率MOSFET，其元细胞结构包括漏极、源极、栅极，耐压层设于缓冲阻挡层的上方，在耐压层的上侧设置半导体体区，半导体源区位于半导体体区内，栅极覆盖在部分耐压层、部分半导体体区以及部分半导体源区的表面，在半导体体区还形成有沉降槽，在沉降槽内设置源极，且该源极还与半导体源区通过导体相连，半导体衬底层覆盖在缓冲阻挡层的下表面，在半导体衬底层的下表面覆盖导体形成漏极；缓冲阻挡层由至少一个半导体缓冲区以及埋设于半导体缓冲区内的至少一个半导体少子阻挡区构成。有效缩短了电流路径，减小了器件元胞尺寸，提升了MOSFET器件的UIS雪崩耐量能力；降低了器件的比导通电阻，减小了芯片面积。
一种 sic 基超结功率 mosfet

[发明专利]一种PTC电加热器-CN201910712036.5有效
发明人：谢速;张伦;文宏岩 -专利权人：乔路铭科技股份有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： F24H1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种PTC电加热器，属于电加热装置技术领域，包括水箱、多个PTC发热模块、电气联接板，多个PTC发热模块嵌入水箱上侧并与水箱的外壁接触，电气联接板安装于水箱上侧并与多个PTC发热模块电气连接，所述PTC发热模块包括用于电气连接的正极片、负极片，正极片、负极片分别向上延伸有正极连接端、负极连接端，正极连接端、负极连接端分别侧向外凸形成有正极弹性凸起、负极弹性凸起，正极连接端、负极连接端插入电气联接板时，正极弹性凸起、负极弹性凸起分别内缩并侧向抵住电气联接板。本发明具有结构紧凑且便于安装电气联接板的优点。
一种 ptc 加热器

[实用新型]一种4H-SiC基超结功率MOSFET结构-CN202221986490.3有效
发明人：谢速 -专利权人：杰平方半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种4H‑SiC基超结功率MOSFET结构，其元细胞结构包括漏极、源极、栅极、耐压层、缓冲阻挡层、半导体体区、半导体源区以及半导体衬底层，所述耐压层设于所述缓冲阻挡层的上方，在所述耐压层的上侧设置所述半导体体区，所述半导体源区位于所述半导体体区内，所述栅极覆盖在部分所述耐压层、部分所述半导体体区以及部分半导体源区的表面，在所述半导体体区还形成有沉降槽，在所述沉降槽内设置所述源极，且该源极还与所述半导体源区通过导体相连，所述半导体衬底层覆盖在所述缓冲阻挡层的下表面，在所述半导体衬底层的下表面覆盖导体形成所述漏极。其显著效果是：有效缩短了电流路径，提升了UIS能力，其动态特性和二次计算指标也得到了提高。
一种 sic 基超结功率 mosfet 结构

[实用新型]一种车规级4H-SiC基超结功率MOSFET元件-CN202221986451.3有效
发明人：谢速 -专利权人：杰平方半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种车规级4H‑SiC基超结功率MOSFET元件，其元细胞结构包括栅极、源极与漏极，耐压层设于缓冲阻挡层的上方，在耐压层的左侧设置栅极，在耐压层的右侧设置半导体体区，半导体源区位于半导体体区内，栅极覆盖在部分耐压层的上侧表面以及部分半导体体区与部分半导体源区的左侧表面，在半导体体区还形成有沉降槽，在沉降槽内设置源极，半导体衬底层覆盖在缓冲阻挡层的下表面并形成有漏极；缓冲阻挡层按照厚度分为两部分，较厚的一部分位于所述第一半导体漂移区以及部分第二半导体漂移区的下方，较薄的一部分位于所述第二半导体漂移区的下方。提高了器件导通电流的能力，减小了器件元胞尺寸，提升了MOSFET器件的UIS雪崩耐量能力。
一种车规级 sic 基超结功率 mosfet 元件

[实用新型]一种4H-SiC基超结功率MOSFET器件-CN202221983262.0有效
发明人：谢速 -专利权人：杰平方半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种4H‑SiC基超结功率MOSFET器件，其元细胞结构包括栅极、源极、漏极、耐压层、缓冲阻挡层、半导体体区、半导体源区以及半导体衬底层，所述耐压层设于所述缓冲阻挡层的上方，在所述耐压层的左侧设置所述栅极，在所述耐压层的右侧设置所述半导体体区，所述半导体源区位于所述半导体体区内，在所述半导体体区还形成有沉降槽，在所述沉降槽内设置所述源极，且该源极还与所述半导体源区通过导体相连，所述半导体衬底层覆盖在所述缓冲阻挡层的下表面，在所述半导体衬底层的下表面覆盖导体形成所述漏极。其显著效果是：有效缩短了电流路径，减小了器件元胞尺寸，缩短了关断时间、减小了开关功耗。
一种 sic 基超结功率 mosfet 器件

[实用新型]一种4H-SiC基超结功率场效应晶体管结构-CN202221997667.X有效
发明人：谢速 -专利权人：杰平方半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种4H‑SiC基超结功率场效应晶体管结构，包括漏电极、源电极、栅电极；漏电极贴合于衬底区的下表面，在衬底区的上表面分别设置有缓冲区与半导体辅助区，在缓冲区上设置有第一漂移区，在半导体辅助区上设置有第二漂移区，且该第二漂移区部分位于缓冲区的上方，源区与源电极并排嵌入源体区，且源区位于源电极的内侧，源体区的下表面与第二漂移区的上表面接触且其内侧延伸至与第一漂移区接触，栅电极、栅区和绝缘层从上到下依次层叠设置在第一漂移区的上方，且绝缘层的下表面与第一漂移区、源体区以及部分源区的上表面接触。其显著效果是：提高了器件导通电流的能力，并降低了器件的开关功耗，缩短了关断时长。
一种 sic 基超结功率场效应晶体管结构

[实用新型]一种4H-SiC基超结功率场效应晶体管器件-CN202221997977.1有效
发明人：谢速 -专利权人：杰平方半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种4H‑SiC基超结功率场效应晶体管器件，包括漏电极、源电极、栅电极；漏电极贴合于衬底区的下表面，衬底区的一侧上表面上设置有缓冲区，缓冲区的高度大于衬底区的高度，在缓冲区上设置有第一漂移区，在衬底区另一侧的上表面设置有第二漂移区，第二漂移区的厚度大于第一漂移区的厚度，源区与源电极并排嵌入源体区，源体区的下表面与第二漂移区的上表面接触且其内侧延伸至与第一漂移区接触，栅电极、栅区和绝缘层从上到下依次层叠设置在第一漂移区的上方，且绝缘层的下表面与第一漂移区、源体区以及部分源区的上表面接触。有效缩短了电流路径，降低了器件的比导通电阻，提升了MOSFET器件的UIS雪崩耐量能力。
一种 sic 基超结功率场效应晶体管器件

[实用新型]一种4H-SiC基超结功率场效应晶体管-CN202221998021.3有效
发明人：谢速 -专利权人：杰平方半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种4H‑SiC基超结功率场效应晶体管，包含漏电极、源电极、栅电极，漏电极贴合于衬底区的下表面，在衬底区的上方设置有相接触的第一漂移区与第二漂移区，且位于第一漂移区下方的衬底区向上凸起使得第一漂移区的厚度小于第二漂移区，衬底区的凸起部分延伸至第二漂移区，第二漂移区的上表面面积大于其下表面面积，源区与源电极并排嵌入源体区，源区、源电极的上表面与源体区的上表面齐平，源区位于源电极的内侧，源体区的下表面与第二漂移区的上表面接触且其内侧延伸至与第一漂移区接触，栅电极、栅区和绝缘层依次层叠设置。减小了器件元胞尺寸，提升了UIS雪崩耐量能力。
一种 sic 基超结功率场效应晶体管

[实用新型]交通运输用尺寸可调的智能运输装置-CN202022609981.3有效
发明人：谢速 -专利权人：重庆锐速科技有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B65G21/14 文献下载
摘要：本实用新型属于输送技术领域，具体公开了一种交通运输用尺寸可调的智能运输装置，包括两条传送链条和设置在传送链条间的若干传送板，传送链条上设有长度调节机构，用于调节传送路径的长度，传送板包括板一和板二，所述板一上设有横槽，横槽一端延伸至板一的边缘形成缺口，板二自缺口放入横槽内与横槽卡接，板二与横槽间设有设有连接定位机构，板一的上表面与板二的上表面处于同一水平位置。采用本技术方案，通过对板一和板二的连接位置的调整，实现传送板宽度的调节，同时长度调节机构能够调节传送带的运输路径的长度。
交通运输尺寸可调智能运输装置

[实用新型]无人驾驶汽车的安全防撞装置-CN202022613072.7有效
发明人：谢速 -专利权人：重庆锐速科技有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B60R19/02 文献下载
摘要：本实用新型属于无人驾驶汽车技术领域，具体公开了一种无人驾驶汽车的安全防撞装置，包括定位板、定位轴和若干扇形板，定位轴垂直于定位板，定位轴上设有至少一个竖向的滑槽，滑槽内滑动连接有滑杆，滑杆一端伸出滑槽且与定位板固定连接，定位轴的底部与定位板间设有支撑弹簧，扇形板绕定位轴的周向设置，扇形板的一端与定位轴的外壁铰接，扇形板与定位板间设有连接弹簧，扇形板垂直于定位轴，各个扇形板的下方均设有气囊，气囊连接有充气机构。采用本技术方案，利用扇形板和支撑弹簧，实现对撞击的阻挡和缓冲，避免车体外部损毁，气囊能够增强缓冲作用，保证缓冲效果。
无人驾驶汽车安全装置

[实用新型]一种PTC发热模块-CN201921248236.1有效
发明人：谢速;张伦;文宏岩 -专利权人：乔路铭科技有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H05B3/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种PTC发热模块，属于电加热装置技术领域，包括发热片，其包括多个PTC热敏电阻，且任意相邻两个PTC热敏电阻之间紧密贴合；正极片，其与发热片的一侧贴合设置，正极片沿任意相邻两个PTC热敏电阻之间的贴合缝隙开设有第一条形槽，第一条形槽一侧开口，另一侧封闭，任意相邻两个第一条形槽上下交错设置；负极片，其与发热片的另一侧贴合设置，负极片沿任意相邻两个PTC热敏电阻之间的贴合缝隙开设有第二条形槽，第二条形槽一端开口，另一端封闭，且第二条形槽与对应位置上的第一条形槽上下交错设置。本实用新型具有结构紧凑的优点。
一种 ptc 发热模块

[实用新型]一种PTC电加热器-CN201921247805.0有效
发明人：谢速;张伦;文宏岩 -专利权人：乔路铭科技有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： F24H1/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种PTC电加热器，属于电加热装置技术领域，包括水箱、多个PTC发热模块、电气联接板，多个PTC发热模块嵌入水箱上侧并与水箱的外壁接触，电气联接板安装于水箱上侧并与多个PTC发热模块电气连接，所述PTC发热模块包括用于电气连接的正极片、负极片，正极片、负极片分别向上延伸有正极连接端、负极连接端，正极连接端、负极连接端分别侧向外凸形成有正极弹性凸起、负极弹性凸起，正极连接端、负极连接端插入电气联接板时，正极弹性凸起、负极弹性凸起分别内缩并侧向抵住电气联接板。本实用新型具有结构紧凑且便于安装电气联接板的优点。
一种 ptc 加热器

[实用新型]一种PTC电气联接板与控制板的连接结构-CN201921249499.4有效
发明人：谢速;张伦;文宏岩 -专利权人：浙江浩博汽车零部件有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： F24H1/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种PTC电气联接板与控制板的连接结构，属于电加热装置技术领域，包括水箱，其上侧外壁嵌装有多个PTC发热模块；电气联接板，其水平安装于水箱上侧并与多个PTC发热模块电气连接，电气联接板的一侧固设有插接头，插接头水平伸出水箱外；控制模块，其包括外壳以及竖向安装于外壳内的控制板，外壳安装于水箱外侧，控制板靠近水箱一侧固设有插接座，外壳开设有供插接座穿过的外连通口；插接头水平插入插接座以电气连接电气联接板和控制板。本实用新型具有装配方便且生产效率高的优点。
一种 ptc 电气联接控制板连接结构

1
2
下一页»
尾页
共 25 条