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[发明专利]多模态信息分析的方法、装置、电子设备和介质-CN202310898670.9在审
发明人：黄帅辉;张锴;谢文兴;黄婷婷 -专利权人：中国工商银行股份有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G07F19/00 文献下载
摘要：提供了一种基于联合判别网络的多模态信息分析的方法、装置、电子设备和介质，可以应用于大数据技术领域和人工智能技术领域。所述方法包括：获取面部信息、音频信息和动作信息；获取微表情情感特征表达和第一风险概率；获取音频情感特征表达和第二风险概率；获取动作特征表达和第三风险概率；基于所述微表情情感特征表达、所述第一风险概率、所述音频情感特征表达、所述第二风险概率、所述动作特征表达、所述第三风险概率和预先训练的联合判别模型，获取最终风险判别分数；以及基于所述最终风险判别分数，提供预警方案。
多模态信息分析方法装置电子设备介质

[发明专利]半导体器件、半导体结构及其形成方法-CN202310520746.4在审
发明人：王志庆;谢文兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的实施例描述了具有非对称源极/漏极(S/D)设计的半导体器件。该半导体器件包括位于衬底上的多个半导体层、环绕多个半导体层的栅极结构，位于多个半导体层之间并且与栅极结构的第一侧接触的内部间隔件结构，以及与栅极结构的第二侧接触的外延层。第二侧与第一侧相对。本发明的实施例还提供了半导体结构和形成半导体结构的方法。
半导体器件半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种隧道风水管焊接法兰盘用辅助装置及其使用方法-CN202111203004.6有效
发明人：侯玉平;吴发庆;霍新杰;马志远;赵振华;谢文兴;李冬阳;杨光;呼延越伟;李晓刚;吴彦华;张文洋;张硕 -专利权人：中交一公局西北工程有限公司;中交一公局集团有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B23K37/053 文献下载
摘要：本申请涉及一种隧道风水管焊接法兰盘用辅助装置及其使用方法，其包括至少两组沿风水管长度方向分布的支撑组件，支撑组件包括连接件、两组支撑架和两组转动件，支撑架包括横杆、第一支撑杆和第二支撑杆，第一支撑杆和第二支撑杆分别固设在横杆两端，且横杆与第一支撑杆和第二支撑杆呈“U”型设置；连接件设置在第一支撑杆和第二支撑杆上，并且连接两第一支撑杆和两第二支撑杆。两组转动件分别设置在两横杆上，且两组转动件的转动轴与横杆平行，风水管轴向与转动件转动轴平行并放置在两转动件上，首尾两支撑组件分别靠近风水管两端设置。本申请能够降低操作难度、提高焊接质量，进而提高风水管的运输效率，减少能源的损失率。
一种隧道风水焊接法兰盘辅助装置及其使用方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201911052164.8有效
发明人：彭成毅;陈文园;谢文兴;许一如;何炯煦;李松柏;田博仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，在半导体衬底上方形成多个鳍结构。鳍结构沿着第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上布置。在鳍结构上方形成在第二方向上延伸的多个牺牲栅极结构。在相邻的牺牲栅极结构之间的多个鳍结构上方形成层间介电层。通过沿着第二方向形成栅极端部间隔，将牺牲栅极结构切割成多个牺牲栅极结构。通过用两种或多种介电材料填充栅极端部间隔来形成栅极分隔插塞。两种或多种介电材料包括第一层和形成在第一层上的第二层，并且第二层的介电常数小于第一层的介电常数。本发明的实施例还涉及半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体装置结构-CN202210115826.7在审
发明人：王志庆;陈文园;苏俊鐘;何炯煦;谢文兴;程冠伦;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置结构包括介电层；与介电层接触的第一源极/漏极特征，其中第一源极/漏极特征包含第一侧壁；及与介电层接触且相邻于第一源极/漏极特征的第二源极/漏极特征，其中第二源极/漏极特征包含第二侧壁。结构亦包括布置在介电层上方且在第一侧壁与第二侧壁之间的绝缘层，其中绝缘层包含面向第一侧壁的第一表面、面向第二侧壁的第二表面、连接第一表面及第二表面的第三表面、及与第三表面相对的第四表面。结构包括布置在第一侧壁与第一表面之间的密封材料，其中密封材料、第一侧壁、第一表面、及介电层裸露于气隙。
半导体装置结构

[发明专利]集成电路器件网表生成方法及其布局图生成方法和系统-CN201910367120.8有效
发明人：苏哿颖;何炯煦;苏哿暐;陈两仪;谢文兴;赖文科;郭耿华;吕国培;张修状;吴泽铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：一种生成IC器件的网表的方法包括：提取所述IC器件的栅极区的尺寸，所述尺寸包括：栅极区的宽度，所述宽度至少从有源区的第一边缘延伸至所述有源区的第二边缘；以及从所述宽度的第一末端至沿着所述宽度定位的栅极通孔的距离。接收对应于所述栅极区的第一栅极电阻值，基于所述距离和所述宽度确定第二栅极电阻值；以及基于所述第一栅极电阻值和所述第二栅极电阻值更新所述网表。本发明的实施例还提供了集成电路器件布局图生成方法和系统。
集成电路器件生成方法及其布局系统

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210480569.7在审
发明人：王志庆;陈文园;谢文兴;程冠伦;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成半导体装置的方法包括接收半导体基板。半导体基板具有顶表面并包括半导体元素。半导体基板具有形成在其上的鳍片结构。凹蚀鳍片结构以形成源极/漏极沟槽；在源极/漏极沟槽中在凹蚀的鳍片结构上方形成第一介电层；在源极/漏极沟槽的底表面下方的鳍片结构的部分之中布植掺质元素，以形成非结晶半导体层；在源极/漏极沟槽中在凹蚀的鳍片结构上方形成第二介电层；退火半导体基板；去除第一介电层与第二介电层。在退火以及去除的步骤之后，进一步凹蚀凹蚀的鳍片结构以提供顶表面。从顶表面以及在顶表面上形成外延层。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体元件、记忆元件以及操作记忆元件的方法-CN202210346265.1在审
发明人：张盟昇;黄家恩;苏俊鐘;谢文兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体元件、记忆元件以及操作记忆元件的方法，半导体元件包括彼此垂直分离的多个第一纳米结构、环绕各第一纳米结构的第一栅极结构以及彼此垂直分离的多个第二纳米结构。半导体元件还包括环绕第二纳米结构的第二栅极结构、耦接第一纳米结构的第一端的第一漏极/源极结构、耦接第一纳米结构的第二端和第二纳米结构的第一端的第二漏极/源极结构以及耦接第二纳米结构的第二端的第三漏极/源极结构。第一漏极/源极结构具有第一掺杂类型，第二和第三漏极/源极结构具有第二掺杂类型，并且第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。
半导体元件记忆以及操作方法

[发明专利]半导体元件结构-CN202110776228.X在审
发明人：王志庆;程冠伦;谢文兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述一种半导体元件结构。在一个实施例中，提供一种半导体元件结构。此半导体元件结构包括第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域，及安置在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间的栅极堆叠。此半导体元件结构亦包括安置在第一源极/漏极区域下方的导电特征。此半导体元件结构亦包括安置在导电特征下方且与导电特征接触的电力导轨。此半导体元件结构亦包括封闭导电特征的介电层，其中在介电层与导电特征之间形成气隙。
半导体元件结构

[发明专利]集成电路装置-CN202210285949.5在审
发明人：王志庆;杨崇巽;何炯煦;谢文兴;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：公开一种集成电路装置。装置包含设置在基底上方的第一通道层、设置在第一通道层上方的第二通道层、以及围绕第一通道层和第二通道层的栅极堆叠。源极/漏极部件设置成邻近第一通道层、第二通道层和栅极堆叠。源极/漏极部件设置在第一通道层的多个第一刻面和第二通道层的多个第二刻面上方。第一刻面和第二刻面具有(111)结晶取向。内间隔物设置在栅极堆叠和源极/漏极部件之间以及第一通道层和第二通道层之间。硅化物部件设置在源极/漏极部件上方。硅化物部件朝向基底延伸到源极/漏极部件中至第一通道层的深度。
集成电路装置

[发明专利]半导体装置结构-CN202110856150.2在审
发明人：王志庆;谢文兴;何炯煦;陈文园;苏佳莹;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括：第一通道层，其具有第一表面与第二表面，以及第二通道层，其具有相对的第一表面与第二表面，且第一通道层与第二通道层的组成为第一材料。结构亦包括第一掺质抑制层，接触第一通道层的第二表面，以及第二掺质抑制层平行于第一掺质抑制层。第二掺质抑制层接触第二通道层的第一表面，且第一掺质抑制层与第二掺质抑制层各自包含碳或氟。结构还包括栅极介电层，接触第一掺质抑制层、第二掺质抑制层与第一通道层的第一表面，以及栅极层，位于栅极介电层上。
半导体装置结构

[实用新型]用于环形混凝土墙体结构的带肋钢模板-CN202122914660.9有效
发明人：闫海强;张源;张光松;王震;张学兵;张丹峰;曹洪烈;谢文兴 -专利权人：中铁建设集团中原建设有限公司;中铁建设集团有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： E04G11/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于环形混凝土墙体结构的带肋钢模板，包括面板拼板单元，面板拼板单元包括位于环形混凝土墙体内侧面的内侧面板拼板单元和位于环形混凝土墙体外侧面的板拼板单元，若干内、外侧面板拼板单元各自通过螺栓紧固件对应组成内、外侧面板，内侧面板拼板单元包括内侧钢板、内侧肋板、螺栓紧固件及定位钢丝，内侧肋板和内侧钢板焊接固定；外侧面板拼板单元包括外侧钢板、外侧肋板及螺栓紧固件，外侧钢板和外侧肋板焊接固定。采用本实用新型浇筑环形混凝土墙体，避免了大量材料消耗并极大提高施工效率，在空间定位方面，方法简单，可操作性强，解决定位难题，一定程度降低研发费用。
用于环形混凝土墙体结构带肋钢模板

[发明专利]半导体装置-CN202110791183.3在审
发明人：吕侑珊;杨崇巽;赵高毅;谢文兴;郭俊铭;王志庆;彭远清 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包括介电鳍状物，包括盖层；栅极结构，位于盖层的第一部分上并沿着方向延伸；以及介电层，与栅极结构相邻并位于盖层的第二部分上。第一部分沿着方向的宽度，大于第二部分沿着方向的宽度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110817894.3在审
发明人：苏子昂;李明轩;吴杼桦;叶致锴;王智弘;谢文兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置，例如互补双极接面晶体管结构的实施例。根据本公开的半导体装置包含介电层以及设置在介电层上的鳍片状结构。鳍片状结构包含第一p型掺杂区、第二p型掺杂区以及第三p型掺杂区，以及第一n型掺杂区、第二n型掺杂区以及第三n型掺杂区，交错插在该第一p型掺杂区、第二p型掺杂区以及第三p型掺杂区之间。第一p型掺杂区、第三p型掺杂区以及第三n型掺杂区电性耦接至第一电位。第二p型掺杂区、第一n型掺杂区以及第二n型掺杂区电性耦接至与第一电位不同的第二电位。
半导体装置

[发明专利]半导体装置结构-CN202110103815.2在审
发明人：王志庆;李威养;温明璋;洪若慈;谢文兴;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本揭示案的实施例提供一种半导体装置结构具有至少一个T形堆叠式纳米片晶体管以增加跨通道区的有效导电面积。在一个实施例中，半导体装置结构包括第一通道层以及第二通道层，其中第一通道层由第一材料形成并具有第一宽度，第二通道层由异于第一材料的第二材料形成并具有小于第一宽度的第二宽度，且第二通道层接触第一通道层。半导体装置结构亦包括栅极介电层，其中栅极介电层保型地设置在第一通道层及第二通道层上。半导体装置结构亦包括栅极电极层，栅极电极层设置在栅极介电层上。
半导体装置结构

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