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[发明专利]一种基于深度学习算法骨密度仪诊断系统-CN202010986770.3有效
发明人：黎淼;刘萍;姚童;牟晓霜;王玺;谢应涛 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于深度学习算法骨密度仪诊断系统，属于医疗信息化领域。使用较多个线性变换对数据进行多维抽象处理，将原始图像的浅层信息调整重新组合为多个浅层信息，实现得到具有抽样性和代表性的高级信息。通过组合利用高级信息，反映了原始图片的内在联系和根本本质，在分割骨骼区域时，能够将血管和骨骼的特征区别开，将附着在骨骼上的血管划分出去，深度学习的图像分割比传统的图像分割可以更好的提取全局特征和结合上下层信息。提高可靠性和抗噪能力。基于深度学习的图像分割具有强大的特征提取能力，能够将提取到的特征结合局部和全局的特征。提高划分感兴趣区域的准确性。
一种基于深度学习算法密度仪诊断系统

[发明专利]GOA电路、GOA单元及其驱动方法、阵列基板-CN202310424403.8在审
发明人： 谢应涛;蹇欢;蔡坤林;黄雁琳;周围 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种GOA电路、GOA单元及其驱动方法、阵列基板，属于显示技术领域。其中GOA电路由N级级联设置的GOA单元构成，第一级GOA单元由启动信号SIN启动，第n级GOA单元由第n‑1级GOA单元的输出信号Cout(n‑1)启动。在级联设置的GOA单元中，奇数级GOA单元接入第一时钟信号SCLK1、第二时钟信号SCLK2作为控制信号，偶数级GOA单元接入第三时钟信号SCLK3、第四时钟信号SCLK4作为控制信号。本发明中GOA单元搭配有特定驱动时序，可以使输出信号快速充电，同时能够解决传统GOA电路直流驱动充电缓慢而无法实现全摆幅输出的问题以及输出信号漏电问题。
goa 电路单元及其驱动方法阵列

[发明专利]一种GOA电路、GOA单元及驱动方法、阵列基板-CN202211302316.7在审
发明人： 谢应涛;蹇欢;蔡坤林;黄雁琳 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种GOA电路、GOA单元及驱动方法、阵列基板，属于显示技术领域。该GOA电路包括双边驱动的N级级联设置的GOA单元，第n级GOA单元包括11个薄膜晶体管以及两个自举电容。在GOA电路中通过在第一薄膜晶体管漏级与第一节点之间设置第七薄膜晶体管，抬高第三节点电位，使第一薄膜晶体管、第七薄膜晶体管完全关闭，抑制第一节点漏电；通过在第六薄膜晶体管与启动信号之间增加第二电容，利用第二电容耦合效应，使第二节点电位下拉到低于恒压低电平信号电位，使第九薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管完全关闭，抑制输出信号漏电。双边驱动GOA电路单侧只需要两根时钟信号线，两根恒压电平信号线，有利于GOA电路窄边框化。
一种 goa 电路单元驱动方法阵列

[发明专利]一种工业产品自动配色、着色设备-CN202210923020.0在审
发明人：李欣;谢应涛 -专利权人：南充职业技术学院;南充电子信息产业技术研究院
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G01G13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种工业产品自动配色、着色设备，包括机身，机身内转动连接有配色盘，配色盘上沿周向设置有若干装有不同着色剂的存料罐，机身内位于配色盘的旁侧还转动连接有接料盘，接料盘的顶面用以承托内部容纳有待以着色的基底涂料的容器，转动接料盘能够使得容器与其一存料罐上下相对，且机身内还设置有驱动装置，驱动装置能够驱动配色盘旋转，以使得不同的存料罐与容器相对。使用时，将容器放置在接料盘的顶面上，随后转动接料盘使得容器移动至出料位置。如此存料罐内的着色剂会落入容器内，而在驱动装置的驱动下，不同的存料罐会与容器相对，并将不同的着色剂投入容器中，从而实现涂料的自动配色、着色。
一种工业产品自动配色着色设备

[发明专利]一种像素驱动电路及像素驱动方法-CN202210492091.X在审
发明人： 谢应涛;陈鹏龙;蔡坤林;蹇欢;曹袁源 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：本发明涉及一种像素驱动电路及像素驱动方法，属于电子电路领域。该像素驱动电路工作在扫描阶段和驱动阶段时，像素驱动电路通路中使用氧化物薄膜晶体管，减少电路工作过程中电路中漏电流；该像素驱动电路通过扫描阶段完成驱动薄膜晶体管源极电压的初始化和数据电压的输入，从而补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的变化和有机发光二极管阈值电压的衰减对像素电路产生的影响；通过信号控制使得有机发光二极管仅在发光阶段有电流经过，避免了LTPO屏幕的闪烁现象，降低了功耗；该像素驱动电路将电路的工作周期分为扫描阶段和驱动阶段，该电路的扫描阶段和驱动阶段互相无影响，使得该像素驱动电路适用于高刷新率LTPO显示面板。
一种像素驱动电路方法

[发明专利]一种新型AMOLED像素驱动电路及驱动方法-CN202011388773.3有效
发明人： 谢应涛;陈鹏龙 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G09G3/3258 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型AMOLED像素驱动电路及驱动方法，属于显示技术领域。该像素驱动电路通过直接抓取补偿薄膜晶体管的阈值电压进行阈值电压补偿；通过第二电容和第三电容的并联将有机发光二极管的电压施加至节点B进行迁移率补偿；通过外部施加电压控制驱动薄膜晶体管的栅极和源极电压来避免IR Drop的影响，通过补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压、迁移率和IR Drop，使得流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度，以及显示的均匀性，提升了OLED的显示质量；本发明提升了工作效率，通过信号控制使得有机发光二极管仅在发光阶段有电流经过，避免了有机发光二极管不必要的发光，降低了功耗。
一种新型 amoled 像素驱动电路方法

[发明专利]一种用于近场光学探测的介质探针及近场显微镜-CN202110566157.0在审
发明人：刘愈;周围;陈国平;崔巍;谢应涛;毛雪峰;杜佳佳;黎淼 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于近场光学探测的介质探针及近场显微镜。探针包括采用微米级光导介质制备的探针柱，所述探针柱的一端为半球形，在半球形的顶部设置金属纳米颗粒或金属纳米颗粒阵列。用微米级光纤作为光导介质，将一端制备为半球形作为探针基座，再将金属纳米颗粒制备到探针柱顶端作为局域增强电场的产生点“热点”，热点位置可以在纳米尺度的空间范围内产生极强的电场增强。光导介质可以作为入射激发光的有效光导，也可以作为散射和反射光的有效收集光导。得益于近场激发和收集的同时增强，由这种探针构建的近场显微镜，其光谱扫描的综合效率较远场收集的针尖增强拉曼光谱设备至少提高2个数量级。
一种用于近场光学探测介质探针显微镜

[发明专利]一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法-CN202011400063.8有效
发明人： 谢应涛;陈鹏龙 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：本发明涉及一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法，属于显示技术领域。该驱动电路通过直接抓取驱动薄膜晶体管的阈值电压进行阈值电压补偿；通过第二电容和第一电容的并联将第六薄膜晶体管漏极电压施加至节点A进行迁移率补偿；通过补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压和迁移率，使得流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度，提升了有机发光二极管的显示质量；通过将数据电压从第六薄膜晶体管源极输入，使得电路在抓取驱动薄膜晶体管的同时读入了数据电压，提升了效率；通过信号控制使得有机发光二极管仅在发光阶段有电流经过，避免了有机发光二极管不必要的发光，降低了功耗。
一种 amoled 像素驱动电路方法

[发明专利]一种高K值氧化锆钛复合绝缘层薄膜及其晶体管制备方法-CN202010967368.0在审
发明人： 谢应涛;陈鹏龙 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高K值氧化锆钛复合绝缘层薄膜及其晶体管制备方法，属于晶体管技术领域。该方法包括以下步骤：S1：乙酰丙酮锆溶解于二甲基甲酰胺DMF中，浓度为0.1～0.5摩尔/升；然后加入一定体积的二乙醇胺；最后加热搅拌形成透明澄清的氧化锆前驱体溶液；S2：将钛酸四丁酯或者钛酸异丙酯与上述氧化锆前驱体溶液按一定体积比混合；最后搅拌形成透明澄清的混合氧化锆钛ZrTiOx前驱体溶液；S3：将不同体积比的ZrTiOx前驱体溶液通过旋涂或打印方式涂覆于基板上，然后通过紫外光照射，形成ZrTiOx绝缘层薄膜。S4：基于上述ZrTiOx薄膜作为薄膜晶体管的绝缘层，实现不同结构和类型的薄膜晶体管的制备。
一种氧化锆复合绝缘薄膜及其晶体管制备方法

[发明专利]一种P型非晶态半导体薄膜及其薄膜晶体管制备方法-CN202010936611.2在审
发明人： 谢应涛;陈鹏龙 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种P型非晶态半导体薄膜及其薄膜晶体管制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：S1：以碘化亚铜CuI溶解于浓度大于20％的浓氨水，而四碘化锡SnI4溶解于乙醇或异丙醇，分别形成对应的前驱体溶液；然后将两种不同前驱体溶液按不同体积比混合成需要的Cu和Sn摩尔比的CuSnIx前驱体溶液；S2：将不同体积比的CuSnIx前驱体溶液通过旋涂或打印方式涂覆于基板上，然后通过加热、光照等退火方式形成需要的摩尔比CuSnIx半导体薄膜。解决溶液法制备P型半导体薄膜及其器件，实现低成本制备。解决目前P型半导体薄膜为多晶态问题，实现大面积制备均匀非晶态半导体薄膜的问题。
一种晶态半导体薄膜及其薄膜晶体管制备方法

[发明专利]软件界面特征提取方法、装置及电子设备-CN201910130738.2有效
发明人：林涛;谢应涛;银虹宇;吴芝明 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G06F8/74 文献下载
摘要：本发明提供了一种软件界面特征提取方法、装置及电子设备，涉及软件代码复用的技术领域，其中，该方法包括：获取软件界面的代码，基于该软件界面的代码创建软件界面代码树，并提取软件界面代码树中各个节点的属性信息，该软件界面代码树中的叶子节点表示界面可见元素，非叶子节点表示界面不可见元素；提取软件界面代码树中的路径，根据节点的属性信息，对该路径中的各个节点设置相应的权重值；将每条路径的信息与该路径中各个节点的权重值关联存储，得到软件界面的路径组成集合；将软件界面的路径组成集合作为软件界面的特征，通过该方式可以有效提高软件界面复用时检索代码的准确度。
软件界面特征提取方法装置电子设备

[发明专利]半导体探测器及半导体探测器制备方法-CN201811165515.1有效
发明人：黎淼;刘涵;曾弘宇;姚童;谢应涛;何丰 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体探测器及半导体探测器制备方法，涉及探测器技术领域。该半导体探测器包括：半导体晶体、阴极和阳极；半导体晶体包括相对设置于半导体晶体两侧的第一面和第二面；阴极设于半导体晶体的第一面；阳极设于半导体晶体的第二面；阳极包括：收集电极和权重栅电极，权重栅电极围绕收集电极布设；其中，收集电极和/或权重栅电极为三维复合结构电极。使用该半导体探测器能够大幅度提升半导体晶体内部载流子的收集效率。
半导体探测器制备方法

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法-CN201610124804.1有效
发明人： 谢应涛 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该制备方法包括以下步骤：提供一基板；在基板上依次形成缓冲层、氧化物膜层、栅极绝缘层和第一金属层；采用一道光罩分别对第一金属层、栅极绝缘层、氧化物膜层进行图形化处理，形成栅极、图形化的栅极绝缘层、氧化物有源层。在本发明的制造方法中，对于氧化物有源层和栅极等膜层结构，采用先沉积、后分别刻蚀的方法，仅需使用一道光罩，即可完成对氧化物有源层和栅极等膜层结构的图形化处理过程。由于能够减少使用光罩的数量，因此本发明能够简化工艺制程、节省工艺时间，有效降低生产成本。
金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]阵列基板及液晶显示面板-CN201610742652.1有效
发明人： 谢应涛 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及液晶显示面板，该阵列基板包括：在氧化物半导体材料层形成后，在射频照射下、并在压缩空气中进行退火中形成钝化层或栅极绝缘层。通过上述方式，本发明能够多个调节氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差异，并进而为减少氧化物半导体TFT阈值电压的漂移，实现均匀的显示效果提供技术基础。
阵列液晶显示面板

[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制造方法-CN201611022500.0有效
发明人： 谢应涛 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管及其制造方法。本发明是要解决现有薄膜晶体管中自图案化绝缘层形成的过孔较难实现上下电极层互联的问题。有机薄膜晶体管包括绝缘基板、源漏电极层、有机半导体层、自图案化有机栅绝缘层、栅电极层、有机平坦化层和像素电极。方法：形成依次包括绝缘基板、源漏电极层、有机半导体层、自图案化有机栅绝缘层、栅电极层和有机平坦化层在内的多层结构。本发明继承了自图案化绝缘层工艺简单的优点，同时解决了上下电极层互联断线的问题，实现了低成本制备有机薄膜晶体管。
有机薄膜晶体管图案化绝缘层有机半导体层有机平坦化层有机栅绝缘层源漏电极层绝缘基板上下电极栅电极层图案化互联薄膜晶体管多层结构像素电极低成本断线制备制造继承

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