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[发明专利]一种异质结型薄膜晶体管及其制备方法-CN202310158455.5在审
发明人： 许望颖;张智博;许楚瑜 -专利权人：集美大学
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种异质结型薄膜晶体管及其制备方法，异质结型薄膜晶体管包括：依次层叠设置的衬底、第一In2O3薄膜、金属元素掺杂的第二In2O3薄膜，以及，设置在所述金属元素掺杂的第二In2O3薄膜背离所述第一In2O3薄膜一侧的电极；所述金属元素包括Ga、Al、Sc、Zn中的至少一种。本发明中金属元素Ga、Al、Sc或Zn的掺杂能够使得第一In2O3薄膜及金属元素掺杂的第二In2O3薄膜接触界面的势阱高度升高，从而能够容纳更多的载流子，使得电荷积累效应进一步增强，大幅提升异质结型薄膜晶体管的饱和迁移率。
一种异质结型薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]硫掺杂的氧化铟半导体薄膜、薄膜晶体管及其制备方法-CN202211240509.4在审
发明人： 许望颖;许楚瑜 -专利权人：集美大学
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种硫掺杂的氧化铟半导体薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，利用水溶液法制备了不同S掺杂量的In‑S‑O薄膜。随着S掺杂量的增加，In‑S‑O薄膜的结构未发生明显改变，所得In‑S‑O薄膜的晶格常数下降，晶粒尺寸减小；而且In‑S‑O薄膜表面均非常光滑，不会对表面粗糙度有明显影响，结晶性良好，原子排列规整，薄膜的质量良好，且薄膜内OV浓度下降。S掺杂能够形成更加稳定的In‑O‑S‑O‑In金属网络，能够有效降低In2O3薄膜内OV浓度。最终，通过S的掺杂能够有效抑制In‑S‑O薄膜氧空位(OV)，从而有效调控In‑S‑O薄膜中载流子浓度，提升了In‑S‑O薄膜晶体管器件性能。
掺杂氧化半导体薄膜薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种硼掺杂的稀土氧化物介电薄膜及其制备方法与应用-CN202211282496.7在审
发明人： 许望颖;彭涛 -专利权人：集美大学
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/445 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管器件技术领域，公开了一种硼掺杂的稀土氧化物介电薄膜及其制备方法与应用，为了降低介电薄膜中杂质离子含量和提高薄膜耐吸湿性，所述制备方法通过硼掺杂能抑制氧空位和羟基等缺陷的产生，使薄膜具有更高的致密度和更低的孔隙率，减少薄膜对空气中水的吸收，降低可移动氢离子含量，提升薄膜质量，从而有效地阻断漏电流，改善溶液法制备的介电薄膜的介电性能；进一步，硼是以硼酸根离子的形式掺入到薄膜中，硼酸根离子限制了生成羟基杂质的机会，并且携带更多的氧原子，可减少薄膜中的氧空位和羟基等缺陷，同时，硼酸根离子会结合羟基形成金属氧化物网络结构，从而使得薄膜变得更加致密，可产生的游离态氢离子含量也随之减少。
一种掺杂稀土氧化物薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种S掺杂的高K氧化物介电薄膜及其制备方法与应用-CN202211281620.8在审
发明人： 许望颖;张子豪;彭涛 -专利权人：集美大学
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/445 文献下载
摘要：本发明公开的一种S掺杂的高K氧化物介电薄膜及其制备方法与应用，所述制备方法通过S掺杂能改善高K氧化物介电薄膜在偏压下低频电容增大幅度，抑制了电容频率依赖特性，减少了薄膜中的游离态H+含量，使得对应TFT器件的性能稳定性提高；同时，能改善溶液法制备的介电薄膜的介电性能，使得薄膜更为致密以及缺陷态减少。并且，S掺杂到高K氧化物介电薄膜中，一是填补了薄膜中的氧空位，二是消除了大量的羟基，连接金属氧骨架，这使得薄膜变得更加致密，可产生的游离态氢离子含量也随之减少，避免额外电容的产生。
一种掺杂氧化物薄膜及其制备方法应用

[发明专利]磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法-CN202211138015.5在审
发明人： 许望颖;彭涛;卓双木;林秋宝;黄伟城 -专利权人：集美大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供了一种磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法，通过磷(P)掺杂利用水溶液法合成了具有优异介电性能的Ga2O3介电层。适当的P掺入可充当网络连接并减少Ga2O3中的氧相关缺陷(氧空位和羟基)，从而改善Ga2O3介电层的介电特性。使用具有最佳掺杂浓度的Ga‑P‑O电介质，使得氧化物薄膜晶体管表现出更高的性能，包括高的迁移率，高的电流开/关比，低工作电压和可忽略不计的滞后性，并且具有出色的偏置应力稳定性。不仅如此，Ga2O3介电层利用水溶液法合成，简单快速，十分方便，适合大规模生产，并为下一代低成本先进Ga2O3器件提供了一条新途径。
掺杂氧化镓介电层薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种In2-CN202211173798.0在审
发明人： 许望颖;许楚瑜 -专利权人：集美大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开的一种In2O3/In‑Sm‑O异质结薄膜晶体管器件及其制备方法，采用水溶液法制备了In2O3/In‑Sm‑O异质结，使得In2O3/In‑Sm‑O的界面连续光滑，薄膜内没有针孔或小丘，原子排列非常整齐；并且在In2O3薄膜上生长In‑Sm‑O薄膜能够减少晶格失配，使得In2O3/In‑Sm‑O薄膜表现为较好的结晶态。同时，Sm掺杂能够有效降低In2O3薄膜的Vo浓度，低Vo浓度的In‑Sm‑O作为背沟道层起到钝化层的作用，以减少导电沟道和大气之间的相互作用，起到自钝化作用。In‑Sm‑O自钝层有效提升In2O3/In‑Sm‑O TFT的偏压稳定性，在30min的偏压作用下，VTH的偏移量在0.8V以内，相比于上层未掺杂的In2O3TFT(～11V)有显著提升。
一种 in base sub

[发明专利]紫外探测器及其制备方法-CN202010771531.6有效
发明人：曹培江;王庆;栾迪;吕有明;朱德亮;柳文军;韩舜;刘新科;许望颖;方明;曾玉祥 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请属于探测器技术领域，尤其涉及一种紫外探测器的制备方法，包括步骤：获取衬底层，在所述衬底层上沉积MgZnO靶材，形成MgZnO晶种层；在所述MgZnO晶种层上生长MgZnO纳米棒，形成MgZnO纳米棒阵列层；在所述MgZnO纳米棒阵列层背离所述MgZnO晶种层的表面制备电极，得到紫外探测器。本申请紫外探测器的制备方法，实现了不同晶相组织晶种层均生长出高取向性的纳米棒阵列，提高MgZnO纳米棒阵列中表面/体积比，使制备的紫外探测器具有较高的响应度，更低暗电流，更高光暗电流比，紫外光探测性能好。
紫外探测器及其制备方法

[发明专利]氧化镓纳米棒及其制备方法和光电探测器件-CN202010868714.X有效
发明人：吕有明;荣曦明;伍锦捷;韩舜;曹培江;朱德亮;柳文军;刘新科;许望颖;方明 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本申请涉及半导体材料制备技术领域，提供了一种氧化镓纳米棒及其制备方法和光电探测器件。本申请所提供的制备方法包括：提供基底和氧化镓靶材，并固定于可抽真空的腔体中；向腔体中通入氧气和惰性气体，氧气的通入速度为1～10sccm，惰性气体的通入速度为3～30sccm，并保持腔体的压强为0.11～2.0Pa，然后开启脉冲激光器进行脉冲激光沉积，形成氧化镓纳米棒。该法利用脉冲激光沉积技术，并通过控制腔体中氧气的相对含量以及控制腔体的压强为0.11～2.0Pa，实现了氧化镓纳米结构的自催化以及结晶形貌的调制，成功制备了高质量的氧化镓纳米棒。与现有技术相比，既无需采用贵金属来催化反应，也无需引入异质晶种层，方法简单优化，操作可控，可实现氧化镓纳米棒的规模化生产。
氧化纳米及其制备方法光电探测器件

[发明专利]一种钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法和应用-CN201910916180.0有效
发明人： 许望颖;李彦苇;洪利萍;朱德亮;吕有明;柳文军;方明;韩舜;曹培江;曾玉祥 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供含有钐离子、铟离子的盐溶液；采用旋涂方式将所述盐溶液涂覆在在洁净的二氧化硅表面，并进行退火处理，在二氧化硅表面得到钐掺杂的金属氧化物薄膜，所述钐掺杂的金属氧化物薄膜的均方根粗糙度为(0.200～0.215)nm。本发明提供的制备方法具有工艺简单、可操作性强、产品表观均一性好、生产效率高，并且能够降低生产成本以及提高金属氧化物薄膜和二氧化硅界面间的载流子密度和钝化陷阱密度等特点，获得的金属氧化物薄膜的平整度高，并且有优异的电性能和稳定性。
一种掺杂金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法应用

[发明专利]掺杂的氧化镓紫外探测材料及制备方法、光电探测器-CN202210137979.1在审
发明人：吕有明;龚清乾;荣曦明;韩舜;曹培江;朱德亮;柳文军;刘新科;许望颖;方明 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本申请属于材料技术领域，尤其涉及一种掺杂的氧化镓紫外探测材料及其制备方法，以及一种光电探测器。其中，掺杂的Ga2O3紫外探测材料的制备方法，包括步骤：将所述靶材和衬底分别固定在沉积腔室内；所述靶材中掺杂有铟元素、锡元素中的至少一种；将所述沉积腔室内的压强调节至真空环境后，对所述衬底进行升温处理，调节所述沉积腔室内的氧压为1～20Pa；去除所述靶材表面的氧化层后，在所述衬底表面进行气相沉积，冷却得到掺杂的Ga2O3紫外探测材料。本申请方法通过对氧压调控及元素掺杂，使制得的材料同时具有较宽的光学吸收截止边、较好的导电性能、较高的载流子浓度，可有效提高光电探测器的光电转化效率。
掺杂氧化紫外探测材料制备方法光电探测器

[发明专利]上转换红色荧光粉及其制备方法与应用-CN202110260214.2在审
发明人：吕有明;朱栋;荣曦明;韩舜;许望颖;曾玉祥;柳文军 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本申请涉及稀土发光技术领域，提供了一种上转换红色荧光粉，上转换红色荧光粉的化学结构通式为Ba3Y(4‑4x‑4y)Er4xYb4yO9，其中，0.01≤x≤0.09,0≤y≤0.35。其含有掺杂元素Er和Yb，Er作为激活剂，掺杂Er能够提高荧光粉的发光性能；而Yb作为敏化剂，形成了敏化‑激活剂对，能够有利于助于提升Er的发射强度，从而提高上转换红色荧光粉的发光效率，且上转换红色荧光粉Ba3Y(4‑4x‑4y)Er4xYb4yO9与基质荧光粉Ba3Y4O9的结构基本相似，具有良好的构型和结晶型，故制备的上转换红色荧光粉具有发光的强度稳定、监测灵敏度高、生物毒性低、探测信号强的优点。
转换红色荧光粉及其制备方法应用

[发明专利]钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201711039626.3有效
发明人：柳文军;曹培江;刘新科;韩舜;许望颖;朱德亮;吕有明 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳能电池导电基底、和形成于所述导电基底上的电子传输层；所述电子传输层是由含有ZnO和乙酰丙酮锌的膜层于不高于150℃退火处理形成。本发明钙钛矿太阳能电池的电子传输层所含的乙酰丙酮锌能够使得电子传输层致密，降低针孔的形成和分布，内阻小；乙酰丙酮锌还能有效填充ZnO纳米颗粒之间的空隙。同时乙酰丙酮锌还能起到表面修饰作用，可以提高钙钛矿在ZnO电子传输层上的热稳定性。本发明钙钛矿太阳能电池制备方法能够有效保证形成的含有ZnO和乙酰丙酮锌的膜层质量稳定。
钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]缺陷较少的ZnO微晶纳米球气敏材料及其制备方法-CN201810327884.X有效
发明人：曹培江;黄强国;吕有明;朱德亮;柳文军;韩舜;许望颖;刘新科;贾芳;曾玉祥 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种缺陷较少的ZnO微晶纳米球气敏材料及其制备方法，包括由纳米晶团聚而成的ZnO微晶纳米球，所述纳米晶的直径为5nm‑15nm。本发明提出的ZnO微晶纳米球由5‑15nm的纳米晶团聚而成，而且在高温下合成的ZnO微晶纳米球具有较少的表面缺陷态。可以有效地将纳米颗粒的高比表面，有利于提高材料表面气体的‑脱附量，获得较大的电阻变化值，从而极大地提高材料的气敏性能。料的方法具有成本低廉、工艺简单、反应时间短、重现性好和适于大规模生产等优点，在气敏传感器中有广泛的应用前景。
缺陷较少 zno 纳米球气敏材料及其制备方法

[发明专利]一种紫外光探测器及制备方法-CN201810039958.X在审
发明人：李凯;韩舜;吕有明;朱德亮;柳文军;曹培江;许望颖;刘新科 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种紫外光探测器及制备方法，涉及半导体材料和器件制备技术领域。其中，紫外光探测器包括：石英衬底、MgZnO薄膜、纳米Ag颗粒薄膜和Au薄膜，其中，所述MgZnO薄膜覆盖所述石英衬底，所述纳米Ag颗粒薄膜覆盖所述MgZnO薄膜，所述Au薄膜覆盖所述纳米Ag颗粒薄膜。通过形成纳米Ag颗粒，使得纳米Ag颗粒的震荡频率和MgZnO的带边耦合相匹配时，产生共振效应，进一步激化MgZnO的带边耦合，从而增强紫外光探测器的光电转换效率，并提高紫外光探测器的响应度。
紫外光探测器颗粒薄膜耦合石英衬带边制备半导体材料光电转换效率薄膜覆盖共振效应器件制备震荡频率响应度覆盖薄膜匹配

[发明专利]一种钇铝氧复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法-CN201110056308.4无效
发明人：俞峥;曹鸿涛;梁凌燕;许望颖;方燕群;叶小娟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，以金属钇靶(Y)和铝靶(Al)为源材料，采用磁控溅射和快速退火技术来制备YAlO3复合氧化物高K介质作为薄膜晶体管的栅介质层材料，并且以ITO玻璃作为衬底，源、漏电极为Ti/Au双层金属膜电极，制得的薄膜晶体管可采用顶栅结构或者底栅结构；本发明的制备方法简单可控，可实现低温制备，制造成本较低；制得的薄膜晶体管性能优良，具有较小的漏电流和较大的电容，可发展成全透明薄膜晶体管，在显示器件技术领域应用前景十分广阔。
一种钇铝氧复合氧化物介质薄膜晶体管制备方法

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