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[发明专利]封装结构及其制备方法-CN202310997316.1在审
发明人：王金丽;张树金;许嗣拓;周强 -专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及一种封装结构及其制备方法，封装结构包括：布线结构层，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，布线结构层包括布线层和隔离介质层，布线层位于隔离介质层内；芯片结构，包括第一芯片与第二芯片，第一芯片贴装于第一表面上，第一芯片与布线层连接；第二芯片贴装于第二表面上，第二芯片与布线层连接；封装层，覆盖隔离层、芯片结构和布线结构层，封装层包括第一封装层与第二封装层，第一封装层覆盖第一芯片与第一表面，第二封装层覆盖第二芯片与第二表面。
封装结构及其制备方法

[实用新型]封装结构-CN202321305911.6有效
发明人： 许嗣拓;张树金;周强;袁晓敏 -专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种封装结构，包括：衬底；第一走线层，位于衬底上；堆叠芯片组，包括第一芯片和第二芯片，第一芯片位于第一走线层上，且连接第一走线层；第二芯片堆叠设置于第一芯片上；封装层，覆盖第一走线层、第一芯片以及第二芯片；第二走线层，位于封装层上，且连接第二芯片。本实用新型的封装结构中，通过将堆叠芯片组中第一芯片和第二芯片堆叠设置，且第一芯片连接第一走线层，第二芯片连接第二走线层，达到缩小芯片的占用面积，提高了芯片的集成度。
封装结构

[发明专利]晶圆级封装芯片通孔互连的方法以及芯片的测试方法-CN201910642140.1有效
发明人： 许嗣拓;刘孟彬;狄云翔 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级封装芯片通孔互连的方法以及芯片的测试方法，所述晶圆级封装芯片通孔互连的方法包括：提供第一芯片；在所述第一芯片上形成有具有第一开口的钝化层，以露出所述第一芯片上的第一焊垫；在所述第一芯片上涂覆聚合物层并固化所述聚合物层，以填充所述第一开口；提供器件晶圆，将形成了聚合物层的所述第一芯片接合在所述器件晶圆上；蚀刻所述器件晶圆和所述聚合物层，以形成第一通孔，露出所述第一焊垫；在所述第一通孔中形成插塞以与所述第一焊垫电连接。所述方法可防止在蚀刻后由于气泡而产生底切(under cut)，避免了导电材料沉积以及金属连接不上的问题，进一步提高了封装的性能和良率。
晶圆级封装芯片互连方法以及测试

[发明专利]一种晶圆级芯片封装方法及封装结构-CN201911416030.X有效
发明人：狄云翔;刘孟彬;许嗣拓 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级芯片封装方法及封装结构，其中封装方法包括：提供基底，基底从上至下依次包括：器件层、绝缘层、衬底层，器件层包含多个电子器件；在器件层的上表面形成布线层，布线层包括：介质层和第一电连接结构，第一电连接结构与电子器件电连接；去除衬底层，暴露出绝缘层的下表面；在绝缘层中形成第二电连接结构，第二电连接结构与第一电连接结构连接；提供带有第二导电凸块的芯片或，第二电连接结构包括第二导电凸块，通过第二导电凸块将芯片与第二电连接结构连接；形成塑封层，塑封层填满芯片之间的间隙，且塑封层的上表面高于芯片的上表面，以将芯片完全嵌入于塑封层中。
一种晶圆级芯片封装方法结构

[发明专利]空气隙型半导体器件封装结构及其制作方法-CN201910407140.3在审
发明人：狄云翔;刘孟彬;许嗣拓 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种空气隙型半导体器件封装结构及其制作方法，在载体上形成具有第一粘结层开口的粘结层，将半导体芯片置于所述粘结层上，在所述第一粘结层开口处形成第一空腔，所述第一空腔至少对准所述半导体芯片的有源区域的一部分，然后，通过塑封工艺将所述半导体芯片塑封在所述载体上，最后，在与所述半导体芯片的输入/输出电极区域对准的位置处形成贯穿所述载体的通孔，述载体异于形成有粘结层的一面形成互连结构，所述互连结构贯穿通孔并电性连接输入/输出电极。发明提供的空气隙型半导体器件封装结构的制作方法，不需要较长的引脚和上盖密封，减小了封装体积和材料成本。
空气半导体器件封装结构及其制作方法

[发明专利]扇出型封装方法及封装结构-CN201910696333.5在审
发明人：狄云翔;刘孟彬;许嗣拓 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种扇出型封装方法及封装结构，封装方法包括：提供承载基板；在承载基板上形成临时键合层；提供芯片，包括露出焊垫的芯片正面；在芯片正面形成永久键合层；使永久键合层和临时键合层相对设置，将芯片临时键合于承载基板上；在承载基板上形成封装层，至少填充满芯片之间的空间且包覆永久键合层侧壁和芯片侧壁；进行解键合处理；在解键合处理后，刻蚀永久键合层形成露出焊垫的开口；在开口中形成电连接焊垫的再布线结构。本发明在芯片的芯片正面形成永久键合层，由于永久键合层的粘结力更强，能够降低在形成封装层的过程中发生芯片偏移问题的概率，而且，能够避免因解键合处理后的残胶问题而对再布线结构和焊垫的电连接性能产生影响。
永久键合承载基板焊垫临时键合芯片正面芯片键合扇出型封装封装结构封装层再布线开口电连接性能相对设置芯片侧壁芯片偏移电连接粘结力包覆残胶侧壁刻蚀封装概率