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[发明专利]具有用于带宽提升的配置发射和自适应结分布的选择性照明的集成光电探测器的方法和系统-CN201880037590.1有效
发明人：卡姆-扬·霍恩;苏巴尔·萨尼;詹洛伦佐·马西尼;阿蒂拉·米基斯 -专利权人：卢克斯特拉有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：具有用于带宽提升的配置有发射和自适应结分布的选择性照明的集成光电探测器的方法和系统可以包括光子芯片，该光子芯片包括输入波导和光电二极管。光电二极管包括吸收区域，在吸收区域的第一侧具有p掺杂区域，并且在吸收区域的第二侧具有n掺杂区域。经由输入波导在吸收区域中接收光信号，该输入波导偏移到吸收区域的中心轴的一侧；基于接收的光信号生成电信号。吸收区域的第一侧可以是p掺杂的。p掺杂区域和n掺杂区域可以沿着光电二极管的长度在吸收区域的第一侧和第二侧交替。吸收区域可以包括锗、硅、硅/锗或吸收期望波长的光的类似材料。
具有用于带宽提升配置发射自适应分布选择性照明集成光电探测器方法系统

[发明专利]用于垂直结高速相位调制器的方法和系统-CN201780061501.2有效
发明人：阿蒂拉·米基斯;苏巴尔·萨尼;扬妮克·德·科宁克;詹洛伦佐·马西尼;法伊兹赫·古拉米 -专利权人：卢克斯特拉有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：公开了用于垂直结高速相位调制器的方法和系统，并且系统可以包括半导体装置，该半导体装置具有半导体波导，该半导体波导包括平板部、在平板部上方延伸的肋部以及在肋部两侧在平板部上方延伸的凸起脊。该半导体装置具有垂直pn结，其中，p掺杂材料和n掺杂材料在肋部和平板部中彼此垂直设置。肋部可以在沿着半导体波导的每个横截面中是完全n掺杂的或完全p掺杂的。通过在凸起脊上形成接触部，可以实现与p掺杂和n掺杂材料的电连接，并且可以经由半导体波导的周期性设置的部分从接触部中的一个接触部向肋部提供电连接，其中，周期性设置的部分中的肋部和平板部两者的横截面可以是完全n掺杂的或完全p掺杂的。
用于垂直高速相位调制器方法系统

[发明专利]用于通信的方法和系统-CN201610922130.X有效
发明人：阿蒂拉·米基斯;彼得·德·多比拉里;詹洛伦佐·马西尼;扬妮克·德·科宁克;蒂埃里·潘盖 -专利权人：卢克斯特拉有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H04B10/80 文献下载
摘要：本申请涉及用于通信的方法和系统。公开了衬底上置晶圆上置芯片的组件，并且该组件可以包括在包括电子晶片和衬底的集成光通信系统中。电子晶片粘结至光子插入件的第一表面，并且衬底耦合至光子插入件的与第一表面相对的第二表面。光纤和光源组件在形成于衬底中的一个或多个空腔中耦合至插入件的第二表面。集成光通信系统能操作以从光源组件在光子插入件中接收连续波光信号，并将调制的光信号从所述光子插入件传送至光纤。模塑复合物可以在插入件的第一表面上并与电子晶片接触。可以使用光栅耦合器耦合所接收的连续波光信号至光子插入件中的光波导。
用于通信方法系统

[发明专利]用于分布式光电接收器的方法和系统-CN201611020415.0有效
发明人：布赖恩·韦尔奇;詹洛伦佐·马西尼 -专利权人：卢克斯特拉有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H04B10/69 文献下载
摘要：用于分布式光电接收器的方法和系统被公开并且可包括具有光栅耦合器、分束器、多个光电二极管、及多个跨阻抗放大器(TIA)的光电接收器。接收器利用光栅耦合器接收调制的光学信号，将所接收的信号分为多个光学信号，利用多个光电二极管从多个光学信号产生多个电信号，通信多个电信号至多个TIA，利用多个TIA放大多个电信号，并且从多个TIA的耦合输出产生输出电信号。每个TIA可以被配置为在不同的频率范围放大信号。多个电信号中的一个可以直流耦合至多个TIA的低频TIA。
用于分布式光电接收器方法系统

[发明专利]用于光学通信的方法和系统-CN202010038119.3在审
发明人：卡姆-扬·霍恩;詹洛伦佐·马西尼;苏巴尔·萨尼 -专利权人：卢克斯特拉有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本公开涉及用于光学通信的方法和系统。一种用于光学通信的方法，包括：在具有光电探测器的半导体晶片中，光电探测器包括n‑型硅层、锗层、p型硅层、以及在n型硅层和所述p型硅层的每个层上的金属接触，其中，‑锗层的顶部表面位于‑n‑型硅层和‑p‑型硅层两者的顶部表面之上，且‑锗层的底部表面位于‑n‑型硅层和‑p‑型硅层两者的顶部表面之下，并且其中，与‑光电探测器的接触在‑锗层的相对的侧面上，在‑锗层的顶部表面上没有接触：接收光信号；在‑锗层中吸收光信号；以及从吸收的光信号生成电信号。
用于光学通信方法系统

[发明专利]用于没有锗层接触的硅上锗光电探测器的方法和系统-CN201510864620.4有效
发明人：卡姆-扬·霍恩;詹洛伦佐·马西尼;苏巴尔·萨尼 -专利权人：卢克斯特拉有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：公开了用于没有锗层接触的硅上锗光电探测器的方法和系统，并且在具有光电探测器的半导体晶片内，其中，所述光电探测器包括n型硅层、锗层、p型硅层、以及在所述n型硅层和所述p型硅层的每个上的金属接触，可以包括：接收光信号；在所述锗层中吸收光信号；从吸收的光信号生成电信号；以及经由所述n型硅层和所述p型硅层将电信号传送出所述光电探测器。所述光电探测器可以包括水平或垂直结双异质结构，其中，所述锗层位于n型硅层和p型硅层之上。本征掺杂的硅层可以位于在n型硅层和p型硅层之间的锗层之下。锗层的顶部部分可以被p掺杂。
用于没有接触硅上锗光电探测器方法系统

[发明专利]用于通信的方法和系统-CN201710932364.7有效
发明人：蒂埃里·潘盖;谢里夫·阿布达拉;马克·彼得森;詹洛伦佐·马西尼;彼得·德多伯莱尔 -专利权人：卢克斯特拉有限公司
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于通信的方法和系统，所述方法包括：在包括硅光子裸片和利用金属互连接合至硅光子裸片的一个或多个电子裸片的光通信系统中：在硅光子裸片中，从硅光子裸片外部的光源接收一个或多个连续波光信号；基于经由金属互连从一个或多个电子裸片接收到的电信号，调制所接收到的一个或多个连续波光信号；在硅光子裸片中接收调制后的光信号；基于所接收到的调制后的光信号，在硅光子裸片中生成电信号；以及经由金属互连将所生成的电信号通信至一个或多个电子裸片。
用于通信方法系统