专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]酞菁纳米棒阵列薄膜及其制备方法与应用-CN201210193391.4有效
  • 姚建年;詹传郎;陆振欢 - 中国科学院化学研究所
  • 2012-06-12 - 2012-10-31 - C07D487/22
  • 本发明公开了一种酞菁纳米棒阵列薄膜及其制备方法与应用。构建酞菁纳米棒阵列薄膜所使用的酞菁衍生物的结构如式I所示,其中n=1-6。本发明所提供的酞菁纳米棒阵列薄膜是按照包括下述步骤的方法制备得到的:将经过亲水化处理的ITO玻璃浸泡在式I所示酞菁衍生物的有机溶剂溶液中,之后使有机溶剂缓慢挥发,溶质缓慢沉积析出,待溶液与所述ITO玻璃表面平齐时补加所述有机溶剂,重复上述有机溶剂挥发-补加的过程,4-6天后自组装得到酞菁纳米棒阵列薄膜。该薄膜可以通过简单便捷的溶液沉积法大量制备,为纳米薄膜的制备提供了一个新的思路;同时该薄膜可以电极材料用于构建太阳能电池器件。(式I)
  • 纳米阵列薄膜及其制备方法应用
  • [发明专利]并吡咯二酮-酞菁共轭衍生物及其制备方法与应用-CN201210135553.9有效
  • 姚建年;贾慧;詹传郎 - 中国科学院化学研究所
  • 2012-05-03 - 2012-09-19 - C07D519/00
  • 本发明公开了一种并吡咯二酮-酞菁共轭衍生物及其制备方法与应用。式I所示并吡咯二酮-酞菁共轭衍生物中,R1为C1~C30烷基;R2为氢或C1~C30烷基;X为O、S或Se原子;M为Zn、Cu、Ni、Al-Cl、Mn、Ru、Fe或Co;本发明提供的共轭衍生物的制备方法包括如下步骤:(1)4-溴苯-1,2-二氰基和双联频哪醇硼酸酯在正丁基锂的催化下进行反应得到式Ⅱ所示化合物;(2)式Ⅱ所示化合物和式Ⅲ所示化合物在碱性化合物和催化剂a的作用下进行反应得到式Ⅴ所示化合物;(3)式Ⅳ所示化合物和1,8-二氮杂二环[5.4.0]十一碳-7-烯在催化剂b的作用下进行反应即得;式I所示并吡咯二酮-酞菁共轭衍生物可以作为太阳能电池活性层中的给体材料。
  • 吡咯共轭衍生物及其制备方法应用
  • [发明专利]一种近红外光致发光薄膜及其制备方法-CN201010621929.8有效
  • 姚建年;詹传郎;曾怡 - 中国科学院化学研究所
  • 2010-12-27 - 2011-08-03 - C09K11/88
  • 本发明公开了一种用于单晶硅太阳能电池的光致发光薄膜及其制备方法。该薄膜包括半导体纳米材料,所述半导体纳米材料为MxAyB1-y纳米晶或由MxAyB1-y纳米晶形成的核壳微粒,其中,M为Cd、Zn、Ag或Pb,A和B均为S、Se或Te,x为1或2,y为0或1。本发明还提供了上述薄膜的两种制备方法,既可直接将半导体纳米材料通过制膜技术制备成光致发光薄膜,也可将半导体纳米材料的前体所对应的氧化物和金属单质制备成膜,再通过原位煅烧制备成光致发光薄膜。本发明制备的光致发光薄膜可以将350-700nm的可见光转换为500-1500nm的近红外光,可较大幅度地增强单晶硅太阳能电池的光电转换效率。
  • 一种红外光致发光薄膜及其制备方法

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