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[实用新型]一种新型网带清洗机-CN201922018779.0有效
发明人：周公庆;陈坤;王璞;谈仕祥;张家峰;吴帅;解占壹;陶西云;马志强;赵沙桐;夏晋禄;王岚;谢毅 -专利权人：通威太阳能(眉山)有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型网带清洗机，涉及太阳电池生产设备技术领域，本实用新型包括超声清洗槽，超声清洗槽内设置有用于承载网带的隔网，超声清洗槽内设置有位于隔网下方的气泡产生机构和搅拌机构，搅拌机构位于气泡产生机构下方，本实用新型具有结构简单、网带表面灰尘去除更加彻底、清洗效果好的优点。
一种新型清洗

[发明专利]减反射膜的制备方法、减反射膜及太阳能电池片-CN201310432336.0无效
发明人： 解占壹;王红芳;徐卓;刘大伟;赵学玲 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种减反射膜的制备方法、减反射膜及太阳能电池片。该减反射膜的制备方法包括：步骤S1：对用于制作减反射膜的硅片进行预处理；步骤S2：利用PECVD方法在硅片表面沉积形成氮化硅膜，沉积过程中，氨气和硅烷的体积比为1.75至2.25；步骤S3：对经步骤S2得到的硅片进行后处理。根据本发明，能够提高减反射膜抗PID效应的能力，与此同时，本发明克服了以往需要增加设备或对现有设备进行改进来实现二氧化硅的制作，从而降低了企业制作抗PID效应的减反射膜的成本。
减反射膜制备方法太阳能电池

[发明专利]一种选择性发射极电池的制作方法-CN201110460012.9有效
发明人：史金超;宋伟鹏;杨伟光;张东升;解占壹;马红娜 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性发射极电池的制作方法，包括步骤：1)去除硅片的损伤层，在硅片的表面制备绒面；2)对损伤层去除且绒面制备完成的硅片进行喷涂磷源及激光掺杂；3)对经过喷涂磷源及激光掺杂的硅片进行高温链式扩散，得到正面正电极区以外区域的p-n结；4)去除经过高温链式扩散的硅片表面的PSG及周边的p-n结；5)在经过去除表面PSG及周边p-n结的硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜；6)在具有氮化硅膜的硅片上印刷背电极，背电场和正电极，并进行烧结，使电极金属化，得到选择性发射极电池；7)测试选择性发射极电池的各项参数，并按工艺标准将其分档。本方法，有效提高太阳能电池的转换效率，并能方便应用于生产中。
一种选择性发射极电池制作方法

[实用新型]氮化硅膜沉积设备-CN201220455178.1有效
发明人： 解占壹;刘海金;刘伟 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种氮化硅膜沉积设备，该氮化硅膜沉积设备包括两个或两个以上的反应腔，以及连接在反应腔之间的缓冲腔，反应腔与缓冲腔之间形成真空连接。通过在多个反应腔内分步生成多层厚度和折射率不同的氮化硅膜，能够在保证钝化效果的前提下进一步降低硅片表面光反射率；多个反应腔互不干扰，能够保证沉积过程稳定运行；多个反应腔之间采用缓冲腔连接，能够保证整个沉积过程在真空条件下进行，从而避免了与外部空气接触引入杂质。
氮化沉积设备

[实用新型]氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池-CN201220414730.2有效
发明人：范志东;赵学玲;李倩;解占壹;李永超;王涛 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池。该氮化硅膜包括依次设置在硅片上的钝化层和减反射膜层，氮化硅膜的厚度为80～90nm，折射率为2.08～2.12，减反射膜层包括第一减反射膜层和设置在第一减反射膜层上的第二减反射膜层。通过在硅片上设置具有一层钝化层和两层减反射层的氮化硅膜，相对于目前只有一层减反射层的氮化硅膜，提高了氮化硅膜的钝化和减反射效果，进而提高了硅太阳能电池的转换效率。
氮化含有硅片太阳能电池

[发明专利]氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法-CN201210350692.3有效
发明人：赵学玲;范志东;李倩;李永超;王涛;解占壹 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅膜的制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法。其中氮化硅膜的制备方法包括以下步骤：S1、将硅片置入管式炉内；S2、向管式炉内通入氮气，并将管式炉在氮气气氛下升温至340℃～360℃，恒温500s～2000s；以及S3、利用PECVD法在硅片上依次形成第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层。通过在硅片上设置第一氮化硅膜层之前对管式炉恒温，使硅片经过恒温步骤后硅片四周和中间的温度一致，保证了硅片四周和中间的氮化硅膜生长速率一致，改善了硅片边缘因温度较高生长速率过快，解决了硅片表面各处氮化硅膜的厚度和折射率不同引起颜色偏差的问题，降低了硅片等级，提高了硅片的合格率。
氮化制备方法具有太阳能电池及其

[发明专利]氮化硅膜沉积设备和沉积方法-CN201210327690.2有效
发明人： 解占壹;刘海金;刘伟 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硅膜沉积设备和沉积方法，该氮化硅膜沉积设备包括两个或两个以上的反应腔，以及连接在反应腔之间的缓冲腔，反应腔与缓冲腔之间形成真空连接。该氮化硅膜沉积方法包括以下步骤：将硅片基体送入上述的氮化硅膜沉积设备，使得硅片基体连续通过反应腔以及反应腔之间的缓冲腔，在硅片基体上沉积多层氮化硅膜。通过在多个反应腔内分步生成多层厚度和折射率不同的氮化硅膜，能够在保证钝化效果的前提下进一步降低硅片表面光反射率；多个反应腔互不干扰，能够保证沉积过程稳定运行；多个反应腔之间采用缓冲腔连接，能够保证整个沉积过程在真空条件下进行，从而避免了与外部空气接触引入杂质。
氮化沉积设备方法

[发明专利]氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池-CN201210294388.1无效
发明人：范志东;赵学玲;李倩;解占壹;李永超;王涛 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池。该氮化硅膜包括依次设置在硅片上的钝化层和减反射膜层，氮化硅膜的厚度为80～90nm，折射率为2.08～2.12，减反射膜层包括第一减反射膜层和设置在第一减反射膜层上的第二减反射膜层。通过在硅片上设置具有一层钝化层和两层减反射层的氮化硅膜，相对于目前只有一层减反射层的氮化硅膜，提高了氮化硅膜的钝化和减反射效果，进而提高了硅太阳能电池的转换效率。
氮化制备方法含有硅片太阳能电池

[发明专利]沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法-CN201210303193.9有效
发明人：范志东;赵学玲;张小盼;解占壹;王涛;李永超 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。该沉积氮化硅膜的方法采用平板式PECVD沉积氮化硅膜，平板式PECVD的带速为180~200cm/min，平板式PECVD的腔室包括2n条气路，n为1
沉积氮化方法太阳能电池及其制作方法

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