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[发明专利]诊断装置以及诊断方法、和半导体制造装置系统以及半导体装置制造系统-CN202280005996.8在审
发明人：山本正明;朝仓凉次;角屋诚浩;川口洋平 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：即使在不能正确地提取与各子序列的开始和结束对应的监控信号的上升沿、下降沿的情形中，也能探测装置状态的异常。构成了装置诊断装置，以使得对从传感器得到的第一时间序列信号设定进行掩蔽的时间带，作成将与进行掩蔽的时间带对应的第一时间序列信号掩蔽的数据，使用将第一时间序列信号掩蔽的数据来作成标准化模型，使用标准化模型来对掩蔽了第一时间序列信号的数据进行标准化处理，使用多个数据来作成正常模型，对从传感器得到的第二时间序列信号将掩蔽时间带中的第二时间序列信号掩蔽，使用标准化模型进行标准化处理，根据对第二时间序列信号进行了标准化处理而得到的信号来算出异常值。
诊断装置以及方法半导体制造系统

[发明专利]诊断装置、诊断方法、半导体制造装置系统以及半导体装置制造系统-CN202280005592.9在审
发明人：梅田祥太;角屋诚浩;朝仓凉次 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供能在等离子处理装置的对象部件的维护需要与否的诊断中进行虚报以及漏报少的高精度的诊断的技术。诊断装置将各等离子处理中的传感器波形数据分离成事前定义的多个传感器波形变化类别的每个类别的分量，按所分离的每个传感器波形分量，基于正常时和诊断时的传感器波形分量、或劣化时和诊断时的传感器波形分量来进行表示部件的劣化状态的劣化度运算，使用诊断时的劣化度和事前设定的阈值来诊断部件的维护需要与否。进而，诊断装置对按每个等离子处理运算出的劣化度的时间序列数据进行滤波处理，对各等离子处理装置，基于使用从部件维护时间点到给定次数处理后的时间点为止的学习区间中的滤波器处理后的多个劣化度运算出的分布来设定劣化诊断中所用的阈值。
诊断装置方法半导体制造系统以及

[发明专利]装置诊断装置、等离子体处理装置以及装置诊断方法-CN201980007659.0有效
发明人：梅田祥太;玉置研二;角屋诚浩;石黑正贵 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在诊断等离子体处理装置的状态的装置诊断装置中，使用由第一等离子体处理装置中的第一传感器取得的第一传感器值，对各所述第一传感器预先求出包含概率分布函数的事前分布信息，基于所述预先求出的事前分布信息、和由与所述第一等离子体处理装置不同的第二等离子体处理装置中的第二传感器取得的第二传感器值，推定与各所述第一传感器对应的各所述第二传感器的概率分布，使用所述推定出的概率分布来诊断所述第二等离子体处理装置的状态。
装置诊断等离子体处理以及方法

[发明专利]装置诊断装置、半导体制造装置系统以及半导体装置制造系统-CN202280005628.3在审
发明人：松仓圣;釜地义人;玉利南菜子;鹿子岛昭;角屋诚浩 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：进行半导体处理装置(等离子处理装置)的诊断的装置诊断装置通过使用从具有基准腔室的半导体装置制造装置取得的数据进行运算处理，来将特征量映射到以多个参数为轴的二维以上的图表，作成基准腔室特征量映射数据(D107)。此外，装置诊断装置通过使用从具有修正对象腔室的半导体装置制造装置取得的数据进行运算处理，来将特征量映射到以多个参数为轴的二维以上的图表，从而作成修正对象腔室特征量映射数据(D112)。装置诊断装置根据在基准腔室特征量映射数据和修正对象腔室特征量映射数据中出现的模式来鉴别不同的腔室间的性能差、或相同腔室的与随时间变化相伴的性能差、或相同腔室的与部件更换或部件清洗相伴的性能差。
装置诊断半导体制造系统以及

[发明专利]诊断装置以及诊断方法、和等离子处理装置以及半导体装置制造系统-CN202180013829.3在审
发明人：梅田祥太;玉置研二;角屋诚浩;釜地义人 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：诊断装置使用来自对样品进行等离子处理的等离子处理装置中具备的状态传感器的信息来诊断构成所述等离子处理装置的部件的劣化状态，具备如下要素而构成：执行部，其基于来自状态传感器的信息来运算并求取构成等离子处理装置的部件的劣化度；和分析部，其设定用于基于来自状态传感器的信息在执行部运算并求取劣化度的运算的条件，并且基于在执行部运算并求得的构成等离子处理装置的部件的劣化度的信息来求取等离子处理装置的保养时期，能按每个部件决定强健性高的劣化度运算条件。
诊断装置以及方法等离子处理半导体制造系统

[发明专利]等离子处理方法-CN202080004094.3在审
发明人：广田侯然;角屋诚浩;永德宏文;中司孝则 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：能够实现批次处理第一片中的工艺变动的减少的等离子处理方法具有：第一工序，向所述处理室供给气体；以及第二工序，在所述第一工序后，使用等离子对所述试样进行蚀刻，所述气体是含有碳元素和氢元素的气体、含有氯元素的气体或包含在所述第二工序中所用的全部气体的混合气体。
等离子处理方法

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理装置用构件-CN201910135564.9有效
发明人：上田和浩;池永和幸;田村智行;角屋诚浩 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子处理装置以及等离子处理装置用构件。提供减少颗粒产生来提升处理的成品率的等离子处理装置或其处理室内部构件。等离子处理装置具备：处理室，其配置于真空容器内部，在其内部形成等离子；和构件，其构成该处理室的内壁表面，具有配置在暴露于所述等离子的表面且通过热喷镀氟化钇或包含氟化钇的材料而形成的覆膜，构成所述覆膜的氟化钇或包含氟化钇的材料的斜方晶的结晶相对于整体的比率为60％以上。
等离子处理装置以及构件

[发明专利]装置诊断装置、装置诊断方法、等离子处理装置以及半导体装置制造系统-CN202080007081.1在审
发明人：梅田祥太;角屋诚浩;釜地义人;玉置研二 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G06Q10/00 文献下载
摘要：在等离子处理装置，事前预测会发生的计划外保养的发生，能出于优先的保养成本的观点立刻判断必要的保养作业以及应当将该作业编入哪个时间点的计划保养。具备如下要素而构成装置诊断装置：劣化度估计部，其接收装备于等离子处理装置的传感器的输出，并估计等离子处理装置的劣化度；保养作业发生概率估计部，其基于该劣化度估计部中估计出的劣化度来算出发生未含在最初的保养计划中的计划外的保养作业的概率；实绩保养成本算出部，其算出实绩保养成本；和计划编入时保养成本算出部，其基于保养作业发生概率估计部中估计出的发生计划外的保养作业的概率和实绩保养成本算出部中算出的等离子处理装置的实绩保养成本，来输出编入了计划外的保养作业的修正了最初的保养计划的保养计划修正案。
装置诊断方法等离子处理以及半导体制造系统

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202080004147.1在审
发明人：玉利南菜子;广田侯然;角屋诚浩;长谷征洋 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：等离子处理装置具备：在内部具备载置被处理基板的电极的等离子处理室；对等离子处理室提供等离子产生用的电力的电力提供部；和控制从该电力提供部对等离子处理室提供的电力的控制部，控制部执行：保温放电，在未将被处理基板载置于处理室的内部的电极的状态下，在第1条件下控制电力提供部，来使等离子处理室的内部产生第1等离子，以将等离子处理室的内壁面加热到第1温度；急速温度调节放电，接下来在第2条件下控制电力提供部，来使等离子处理室的内部产生第2等离子，以将等离子处理室的内壁面加热到比第1温度高的第2温度；和产品处理，在将被处理基板载置于电极的状态下，在第3条件下控制电力提供部来使等离子处理室的内部产生第3等离子，以对被处理基板进行处理。
等离子处理装置以及方法

[发明专利]等离子处理装置-CN201880011654.0在审
发明人：阿尼尔潘迪;釜地义人;角屋诚浩 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在等离子处理装置中，通过不使真空容器的真空密封部分的结构为复杂的形状地使密封构件的劣化所导致的损伤减低，能不给密封构件的寿命带来影响地进行清洗，由此，等离子处理装置具备：处理室；将该处理室的内部排气成真空的真空排气部；对处理室的内部提供气体的气体提供部；配置于处理室内的内部来载置处理对象的样品的样品台；在该样品台的上方构成处理室的顶板面的窗部；和对处理室的内部提供高频电力的高频电力提供部，在该等离子处理装置中，窗部和处理室在其间夹着弹性体制的密封构件而连接，在用真空排气部将处理室的内部排气成真空的状态下，在夹着密封构件的窗部与处理室的间隔的部分中的从处理室的内壁面到密封构件的距离相对于所述间隔之比成为3以上的位置设置密封构件。
等离子处理装置

[发明专利]等离子体处理方法-CN201880010962.1在审
发明人：广田侯然;角屋诚浩;中宇祢功一;玉利南菜子;井上智己;中元茂 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的目的是提供等离子体处理方法，对半导体基板等的晶片进行等离子体蚀刻，能够通过晶片的蚀刻处理除去在处理室内堆积的金属与非金属的复合堆积物，并减少基于堆积物的异物的产生。本发明中，在处理室内对试料进行等离子体蚀刻并对所述处理室内进行等离子体清洗的等离子体处理方法的特征在于，具有如下工序：对预定个数的所述试料进行等离子体蚀刻的蚀刻工序；在所述蚀刻工序之后，使用等离子体来除去含有金属元素的堆积膜的金属除去工序；以及使用与所述金属除去工序的等离子体不同的等离子体，来除去含有非金属元素的堆积膜的非金属除去工序，其中将所述金属除去工序和所述非金属除去工序重复两次以上。
等离子体等离子体处理等离子体蚀刻金属除去堆积蚀刻堆积物室内晶片试料等离子体清洗半导体基板非金属元素金属元素蚀刻处理异物复合金属重复

[发明专利]等离子体处理装置-CN201510459206.5有效
发明人：池永和幸;石黑正贵;角屋诚浩;白米茂 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够得到期望的蚀刻形状且能够抑制因异物附着引起的生产率的恶化的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置具备处理室，对试样进行等离子体处理；高频电源，供给用于生成等离子体的高频电力；试样台，具备用于使所述试样被静电吸附的电极，该试样台搭载所述试样；和直流电源，对所述电极施加直流电压，该等离子体处理装置的特征在于，还具备控制装置，在所述等离子体不存在的情况下，控制所述直流电源，以便施加使所述试样的电位的绝对值变小的直流电压。
等离子体处理装置

[发明专利]表面波等离子体处理装置-CN97117927.1无效
发明人：渡边成一;角屋诚浩;古濑宗雄;田村仁 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1997-09-02 - 公布日： 1998-03-18 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：提供微波的同轴通道(8)在形成部分处理室(1)的介质窗(2)上方垂直安置,以及传输微波的传导板(10)在介质窗(2)上方,同轴通道(8)外部环形面上放置。在以具有临界电子密度nc产生的等离子体表面之间可以形成微波传输通道,从而使得传导板(10)可以无反射地沿着介质窗(2)均匀地从中心向外部四周传输微波。结果,获得可以稳定、均匀地产生等离子体,进行具有很好的可重复性和均匀的等离子体处理的效果。
表面波等离子体处理装置

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