专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]诊断装置、诊断方法、半导体制造装置系统以及半导体装置制造系统-CN202280005592.9在审
  • 梅田祥太;角屋诚浩;朝仓凉次 - 株式会社日立高新技术
  • 2022-02-07 - 2023-10-17 - H01L21/02
  • 提供能在等离子处理装置的对象部件的维护需要与否的诊断中进行虚报以及漏报少的高精度的诊断的技术。诊断装置将各等离子处理中的传感器波形数据分离成事前定义的多个传感器波形变化类别的每个类别的分量,按所分离的每个传感器波形分量,基于正常时和诊断时的传感器波形分量、或劣化时和诊断时的传感器波形分量来进行表示部件的劣化状态的劣化度运算,使用诊断时的劣化度和事前设定的阈值来诊断部件的维护需要与否。进而,诊断装置对按每个等离子处理运算出的劣化度的时间序列数据进行滤波处理,对各等离子处理装置,基于使用从部件维护时间点到给定次数处理后的时间点为止的学习区间中的滤波器处理后的多个劣化度运算出的分布来设定劣化诊断中所用的阈值。
  • 诊断装置方法半导体制造系统以及
  • [发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202111084850.0在审
  • 福地功祐;朝仓凉次;江藤宗一郎;冈本翔;臼井建人;中元茂 - 株式会社日立高新技术
  • 2021-09-14 - 2022-04-15 - H01J37/32
  • 本发明提供等离子处理装置以及等离子处理方法。即使是在半导体晶片表面的微细形状中发生偏差的情况,也能精度良好地检测被处理膜的厚度。在具备检测在真空处理室的内部中被处理的被处理件的被处理膜的状态的处理状态检测组件的等离子处理装置中,具备如下要素而构成处理状态检测组件:检测等离子的发光的发光检测部;求取等离子的发光的微分波形数据的运算部;存储多个微分波形图案数据的数据库部;赋予基于运算部中求得的微分波形数据与存储于数据库部的多个微分波形图案数据的差的权重来算出在被处理件被处理的被处理膜的膜厚的估计值的膜厚算出部;和基于由膜厚算出部算出的被处理膜的膜厚的估计值来判定等离子处理的终点的终点判定部。
  • 等离子处理装置以及方法
  • [发明专利]真空处理装置和真空处理方法-CN202110688902.9在审
  • 吉田雄祐;中元茂;福地功祐;朝仓凉次 - 株式会社日立高新技术
  • 2021-06-21 - 2021-12-28 - H01L21/67
  • 一种真空处理装置,包括:处理单元,包括:设置在真空容器中的处理室;检测器,使用来自晶片的光在处理晶片期间检测晶片上的对象膜的厚度或终点,该检测器通过将预先获得的数据模式与真实数据模式进行比较来检测厚度或终点,预先获得的数据模式指示与膜厚度相关的多个波长的光强度并使用波长作为参数,真实数据模式指示在处理期间在特定时间获得的所述多个波长的光强度,并且数据模式是通过将所述多个波长的光强度的时间序列数据的微分系数值除以指示所述多个波长的光强度值的时间序列数据而获得的。
  • 真空处理装置方法
  • [发明专利]运算装置、部件组装装置、程序以及运算方法-CN200910263615.2无效
  • 朝仓凉次;石田智利;星野正浩;森谷友二 - 株式会社日立高新技术仪器
  • 2009-12-23 - 2010-12-01 - H05K13/04
  • 提供能够确定异常的原因在于吸嘴和供料器的哪一方的运算装置、部件组装装置、程序以及运算方法。运算装置(150)具备存储部以及控制部。所述存储部存储:针对第一部件和第二部件的每个组合,确定将部件安装到基板上时使用的所述第一部件以及所述第二部件的动作次数的装置动作信息;和针对所述第一部件以及所述第二部件的每个组合,确定在将部件安装到基板上时,在所述第一部件以及所述第二部件中发生异常的异常次数的异常履历信息。所述控制部将异常发生率高的第一部件的方差值和异常发生率高的第二部件的方差值进行比较,判断值较小的一方的部件所属的类别成为异常原因的可能性高。
  • 运算装置部件组装程序以及方法

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