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[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序-CN202180089359.9在审
发明人：清水富介;尾崎贵志;赤江尚德;西田圭吾 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明具有通过将下述循环进行规定次数从而在衬底上形成包含规定元素、氧及氮的膜的工序，所述循环包括：(a)向衬底供给包含规定元素的第1原料的工序；(b)向衬底供给分子结构与第1原料不同、且包含规定元素及氧的第2原料的工序；(c)向衬底供给氧化剂的工序；和(d)向衬底供给氮化剂的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置程序

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序-CN202080104355.9在审
发明人： 西田圭吾 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供下述技术，其具有：(a)通过在不含氧的气氛下向处理室内的衬底供给含有第1元素的气体，从而在衬底上形成含有第1元素的膜的工序；和(b)通过向衬底供给含氧气体，从而使含有第1元素的膜氧化而形成氧化膜的工序，在(b)中，根据含有第1元素的膜的厚度来选择不同的衬底温度。
半导体器件制造方法衬底处理装置程序

[发明专利]发光装置及具备该发光装置的灯具-CN202180022520.0在审
发明人：板东笃史;西田圭吾 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：提供能够达到优异的显色性和高的发光效率的发光装置及具备该发光装置的灯具。发光装置具备发光元件和荧光构件，所述发光元件在430nm以上且470nm以下的范围内具有发光峰值波长，所述荧光构件具备：包括从由第一荧光体、第二荧光体及第三荧光体构成的组中选择出的至少一种在内的、两种以上的稀土类铝酸盐荧光体，所述第一荧光体具有由式(I)(Y3(Al，Ga)5O12：Ce)表示的组成，所述第二荧光体具有由式(II)(Lu3Al5O12：Ce)表示的组成，所述第三荧光体具有由式(III)(Y3Al5O12：Ce)表示的组成；第四荧光体，其具有由式(IV)(A2[M11‑pMn4+pF6])表示的组成；第五荧光体，其具有由式(V)((Sr，Ca)AlSiN3：Eu)表示的组成。
发光装置具备灯具

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序-CN202080091468.X在审
发明人：坂井佑之辅;尾崎贵志;西田圭吾 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种提高形成在基板上的膜的面内膜厚均匀性的结构。本发明具备：处理气体喷嘴，其向处理基板的处理室供给处理气体；惰性气体喷嘴，其被配置为在基板的周向上与处理气体喷嘴隔开预定距离，并向处理室供给惰性气体；反应管，其在内部构成处理室，并具有以收容处理气体喷嘴的方式向外侧突出的第一突出部和以收容惰性气体喷嘴的方式向外侧突出的第二突出部，本发明构成为以使处理气体的流动方向朝向基板侧的方式将从惰性气体喷嘴供给的惰性气体朝向处理气体喷嘴供给。
处理装置半导体制造方法以及程序

[发明专利]清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202110650848.9在审
发明人： 西田圭吾;石黑谦一;尾崎贵志 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高处理容器内的清洁效果。具有通过将包含下述工序的循环在第1温度下进行规定次数从而将附着于处理容器内的物质除去的工序：(a)向进行针对衬底的处理后的处理容器内供给含氮及氢气体和含氟气体中的一种气体的工序；和(b)向残留有一种气体的状态的处理容器内供给含氮及氢气体和含氟气体中的与一种气体不同的另一种气体的工序。
清洁方法半导体器件制造衬底处理装置记录介质

[发明专利]清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质-CN202110236240.1在审
发明人： 西田圭吾 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供能够提高处理室内的清洁效率的技术，该技术通过将依次进行以下工序的周期实施预定次数来除去附着于处理室内的堆积物：(a)在停止处理室内的排气的状态下，直至处理室内的压力上升到第一压力带为止向处理室内供给清洁气体；(b)同时进行处理室内的排气和向处理室内的清洁气体的供给，将处理室内的压力维持在第一压力带；以及(c)在停止向处理室内的清洁气体的供给的状态下，直至处理室内的压力成为比第一压力带低的第二压力为止，进行处理室内的排气。
清洁方法半导体装置制造处理以及存储介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201880097812.9在审
发明人： 西田圭吾;尾崎贵志;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：提供提高在衬底表面形成的氧化膜的面内膜厚分布的控制性的技术。具有下述工序：第1工序，向处于低于大气压的第1压力下并被加热了的衬底供给含氧气体和含氢气体，对所述衬底的表面进行氧化并形成第1氧化层；以及第2工序，向处于与所述第1压力不同且低于大气压的第2压力下并被加热了的所述衬底供给所述含氧气体和所述含氢气体，对形成有所述第1氧化层的所述衬底的表面进行氧化并形成第2氧化层。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质-CN202010193528.0在审
发明人： 西田圭吾;尾崎贵志;平野敦士 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明是半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质，能控制在多个基板上形成的薄膜的基板间膜厚分布。本发明的半导体装置的制造方法包括：(a)将多个第一基板和表面积比第一基板小的第二基板在与面方向垂直的方向上排列并容纳在处理室内的工序，和(b)向排列有多个第一基板和第二基板的基板排列区域供给处理气体，从而在多个第一基板上形成薄膜的工序；(b)中，向包括排列有多个第一基板的至少一部分的区域且不包括排列有第二基板的区域的第一供给区域供给稀释气体或不实施稀释气体的供给的同时，向作为第一供给区域以外区域的包括排列有第二基板的区域的第二供给区域，以比向第一供给区域供给的稀释气体流量大的流量供给稀释气体。
半导体装置制造方法处理记录介质

[发明专利]凝汽器和涡轮设备-CN201580003498.X有效
发明人：笠原二郎;西田圭吾;中村太一;堀田克广 -专利权人：三菱日立电力系统株式会社
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： F28B9/10 文献下载
摘要：本发明的凝汽器具备：容器，蒸汽流入其内部；冷却管(25)，设置于容器的内部，将蒸汽冷却而使其成为冷凝水；抽气管(13)，用于抽取容器的内部所包含的空气；抽气孔(31)，形成于抽气管(13)，将抽气管(13)的内部与容器的内部连通；以及圆筒罩(14)，与抽气管(13)隔开规定的间隙(C)而设置，覆盖抽气孔(31)以限制冷凝水向抽气孔(31)的流入。抽气孔(31)在抽气管(13)的周围形成有多个，圆筒罩(14)与抽气管(13)隔开规定的间隙而设置于径向外侧。
凝汽器涡轮设备

[发明专利]半导体器件制造方法和衬底加工方法及设备-CN201110048450.4无效
发明人：王杰;笠原修;汤浅和宏;西田圭吾 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件制造方法和衬底加工方法及设备。本文描述的实施方式涉及改善衬底质量和半导体器件性能，这由污染物或颗粒渗入具有硅膜的衬底所导致，所述硅膜形成于所述衬底上，所述实施方式还涉及形成具有小的表面粗糙度的硅膜。提供了一种半导体器件制造方法，该方法包括在衬底上形成硅膜，供应氧化种子至所述衬底上，在所述硅膜上执行热处理，将所述硅膜的表面层改变成氧化硅膜，以及去除所述氧化硅膜。
半导体器件制造方法衬底加工设备

[发明专利]控制脱粒反应和细胞因子产生的药剂-CN200680010845.2无效
发明人：平野俊夫;西田圭吾 -专利权人：独立行政法人理化学研究所
申请日： 2006-01-31 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： A61K45/00 文献下载
摘要：提供控制肥大细胞及其它类似细胞中的脱粒反应和细胞因子产生的药剂。本发明提供控制脱粒反应的药剂和控制细胞因子产生的药剂，其含有作为活性组分的可控制细胞内锌离子浓度的物质，具体地，锌离子、锌离子螯合剂、控制需要锌离子的蛋白质的表达和/或功能的药剂，或控制锌离子转运蛋白质的表达和/或功能的药剂。
控制脱粒应和细胞因子产生药剂

[发明专利]耐电晕特性优异的薄膜及以该薄膜作为绝缘材料的绝缘电线、绕组和电动机-CN96190122.5无效
发明人：栗林荣一郎;西田圭吾;大成义秀 -专利权人：钟渊化学工业株式会社
申请日： 1996-02-27 - 公布日： 1997-06-18 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明的目的是以低成本提供耐电晕特性优异的塑料薄膜，而不降低薄膜的机械强度，进一步提供满足电气化铁路用车辆的高速化、高加速减速化等要求的绝缘电线、绕组及电动机。图1示出的与本发明有关的耐电晕特性优异的薄膜10，是在基体薄膜12的至少一个表面上层叠导热系数为2W/m·K以上、最好在6W/m·K以上，而15W/m·K以上则更好的无机化合物或无机物而形成高导热层14。另外，与本发明有关的耐电晕特性优异的薄膜的其他实施例，薄膜的至少一侧表面的表面电阻在1013Ω以下、最好是在1012Ω以下，且体积电阻率在1014Ω·cm以上、最好是在1015Ω·cm以上，如用该图1说明，则该耐电晕特性优异的薄膜10，在其基体薄膜12的至少一个表面上层叠无机化合物或无机物而形成具有规定电阻的低电阻层14。采用这种结构，能以低成本提供耐电晕特性优异的塑料薄膜，而不降低薄膜的机械强度，并且，提供以该薄膜为绝缘材料的耐电晕特性优异的绝缘电线、绕组及电动机。
电晕特性优异薄膜作为绝缘材料绝缘电线绕组电动机

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