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- [发明专利]氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管-CN201480040462.4有效
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中山德行;西村英一郎;井藁正史
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住友金属矿山株式会社
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2014-07-16
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2018-11-23
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H01L29/786
- 本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜,其中,在非晶质状态中蚀刻性优良,并且在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率,适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料,仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成。通过将氧化物烧结体作为靶来形成非晶质氧化物薄膜,并且,对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工,进行退火处理,并且,所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成,所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09~0.45的范围,并且以方铁锰矿型结构的In2O3相作为主结晶相,在该主结晶相中微细地分散有β‑Ga2O3型结构的GaInO3相或者β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga,In)2O3相。
- 氧化物半导体薄膜薄膜晶体管
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