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[发明专利]输出功率调整电路、调整方法及气溶胶产生装置-CN202311163115.8在审
发明人：孟超;艾育林;裘三君 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： A24F40/50 文献下载
摘要：本发明提供一种输出功率调整电路、调整方法及气溶胶产生装置，其包括数字传感器模块、阈值比较模块以及控制模块；数字传感器模块的输入端与气溶胶产生装置的电容连接，用于检测电容的电容值，并根据电容值获得数字电容值以及根据数字电容值获得基准电容值；阈值比较模块的输入端与数字传感器模块的输出端连接，用于根据数字电容值和基准电容值确认气溶胶产生装置是否处于雾化状态，并当处于雾化状态时，输出数字电容值；控制模块的输入端与阈值比较模块的输出端连接，其输出端与气溶胶产生装置的雾化模块连接，用于根据数字电容值确认气流量，并根据气流量调整输出功率。本发明可以根据用户的抽吸力度调整输出功率，满足用户的使用需求。
输出功率调整电路方法气溶胶产生装置

[发明专利]控温电路、控温方法及气溶胶产生装置-CN202311163343.5在审
发明人：孟超;艾育林;裘三君 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G05D23/30 文献下载
摘要：本发明提供一种控温电路、控温方法及气溶胶产生装置，其包括数字传感器模块、阈值比较模块以及控制模块；数字传感器模块的输入端与气溶胶产生装置的电容连接，用于获得数字电容值和基准电容值；阈值比较模块的输入端与数字传感器模块的输出端连接；温度测量模块的输入端与气溶胶产生装置的发热元器件连接，用于根据发热元器件的阻值确认实时温度；控制模块的输入端分别与阈值比较模块的输出端连接以及温度测量模块的输出端连接，用确认气流量和目标温度，并根据目标温度和实时温度的差值调整输出功率以使实时温度与目标温度一致。本发明可以根据抽吸力度调整雾化模块的温度，提高用户的抽吸体验。
电路方法气溶胶产生装置

[发明专利]基于KeilC的MCU调试方法及系统-CN202311103166.1在审
发明人：张祖兴;艾育林;裘三君 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明公开一种基于KeilC的MCU调试方法，包括：上位机向双线调试器发送调试命令；上位机安装有KeilC集成开发环境；双线调试器将调试命令发送至待调试MCU的双线调试接口模块，所述双线调试接口模块对调试命令进行解析，以控制待调试MCU的CPU，并获得包含更新或读取待调试MCU内部功能寄存器和/或存储器的数据信息，解析所述数据信息，以获得待更新或读取的功能寄存器和/或存储器及相应的配置命令和数据，并根据解析获得的待更新或读取的功能寄存器和/或存储器及相应的配置命令和数据向待调试MCU发出交互请求，以访问待调试MCU内部相应的功能寄存器和/或存储器。同时还公开一种基于KeilC的MCU调试系统。
基于 keilc mcu 调试方法系统

[发明专利]一种电压控制电路-CN202310013580.7在审
发明人：艾育林;裘三君;孟超 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压控制电路，应用于充电系统，包括调节反馈电路、输出反馈电路、比较电路和数字控制电路，所述调节反馈电路连接于充电系统中DC‑DC电路的输出端，且与数字控制电路连接，以根据来自数字控制电路的控制信号调节DC‑DC电路的输出电压；所述输出反馈电路连接于DC‑DC电路和调节反馈电路的输出端，用于检测DC‑DC电路的输出电压；所述比较电路的输入端与数字控制电路及调节反馈电路/输出反馈电路连接，其输出端连接所述数字控制电路，以根据来自调节反馈电路/输出反馈电路和数字控制电路的电压输出调节信号；所述数字控制电路和比较电路及调节反馈电路连接，以根据调节信号输出控制信号，以实现电压闭环控制。
一种电压控制电路

[发明专利]一种电子材料加工用具有多角度防尘结构的传输装置-CN202110460038.7有效
发明人：艾育林;裘三君 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B65G15/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子材料加工用具有多角度防尘结构的传输装置，涉及电子材料加工技术领域，该电子材料加工用具有多角度防尘结构的传输装置，包括底座和电路板，所述底座的顶部表面安置有第一传输带，所述电路板设置于第一传输带的顶部外侧，且第一传输带的顶部外侧连接有固定板，且固定板靠近第一传输带中轴线一侧设置有第一气囊。该电子材料加工用具有多角度防尘结构的传输装置，通过第二电机带动转动轮进行旋转，能使连接座带动卡接板进行转动，这使得卡接板能将电路板从第一传输带转移至第二传输带表面，并使电路板的正反两面进行翻转，第二传输带上也设置有喷气口和吸风座，这使得设备能对电路板正反两面进行除尘。
一种电子材料工用具有角度防尘结构传输装置

[发明专利]一种具有防静电性能的电子材料加工用点焊装置-CN202110443378.9有效
发明人：艾育林;裘三君 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B65G17/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防静电性能的电子材料加工用点焊装置，涉及电子材料加工技术领域，具体为上料壳体和第一传料带，所述上料壳体内部开设有储存腔，且储存腔内部放置有电子线，所述储存腔内壁设置有侧板，且侧板末端连接有导向板，所述侧板外壁连接有振动器。该具有防静电性能的电子材料加工用点焊装置，储存腔内设置的侧板和振动器可对内部堆积的电子线进行震动传料，配合对称分布的传动带可对电子线进行定量下料操作，搭配下方的感应器，可对每次下料的电子线进行感应，从而可有效控制传动带的下料速度，以保证与下方第一传料带之间形成精准转接，其过程可实现电子线的自动化精准上料，解放了人力。
一种具有静电性能电子材料工用点焊装置

[发明专利]一种硅片加工成型装置-CN202110524249.2有效
发明人：艾育林;裘三君 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： F26B21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片加工成型装置，涉及硅片加工技术领域，解决了不能够通过结构上的改进在实现加热管干燥的同时促进热气流与硅片的接触效率；再不能够通过结构上的改进实现硅片的风力干燥，且不能够在实现叶片式风力干燥的同时联动实现其他干燥结构的同步工作的问题。一种硅片加工成型装置，包括底座；所述底座为矩形板状结构。因齿轮安装在转轴上，且齿轮与齿排啮合，从而当滑动块移动时通过齿轮与齿排啮合可实现叶片的转动；转轴转动连接在滑动块上，且转轴上呈矩形阵列状安装有叶片，并且叶片位于加热管的正上方位置，从而一方面，当叶片转动时可将加热管产生的热量快速的吹向硅片，另一方面，在维护时通过叶片转动可实现加热管上灰尘的清洁。
一种硅片加工成型装置

[实用新型]具有加密芯片的电子烟-CN202120238634.6有效
发明人：艾育林;裘三君 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： A24F40/50 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有加密芯片的电子烟，包括控制主板及雾化器部件，控制主板与雾化器部件连接，控制主板包括正负极智能判断模块、微控制器及电池组件，正负极智能判断模块及电池组件分别与微控制器电连接，以智能判断接入控制主板的雾化器部件的正负极，控制数据及电源传输的正常进行，雾化器部件包括加密芯片及用于加热并雾化烟液的发热元件，加密芯片用于与微控制器通信以进行加解密处理并传输数据。本实用新型具有加密芯片的电子烟通过于控制主板设置正负极智能判断模块及微控制器，判断接入控制主板的雾化器部件的正负极，正常进行数据及电源传输，实现反接也能正常工作，于雾化器部件设置加密芯片，实现雾化器的鉴权识别，安全性高。
具有加密芯片电子

[发明专利]一种电子材料加工用具有便于定位结构的夹持机构-CN202110448251.6在审
发明人：艾育林;裘三君 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子材料加工用具有便于定位结构的夹持机构，涉及电子材料加工技术领域，包括底座和夹持组件，所述底座顶部安装有支座，且支座内部安装有第一转轴，所述第一转轴外部设置有承接柱，且承接柱外端连接有安装块，所述安装块内部设置有第二转轴，且安装块顶部连接有基板，所述基板两端均设置有小型气泵，且小型气泵另一端连接有储气室。该电子材料加工用具有便于定位结构的夹持机构，通过支座、第一转轴与承接柱之间的相互配合设置，使得承接柱能够沿第一转轴转动，用于调节该装置的纵向角度位置，进一步配合安装块、第二转轴与基板的设置，从而调节基板的横向角度，有利于方便了该装置夹持后对电子材料的加工。
一种电子材料工用具有便于定位结构夹持机构

[发明专利]一种功率适配器电子元件焊接机械手臂-CN202110452359.2在审
发明人：艾育林;裘三君 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： B23K26/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率适配器电子元件焊接机械手臂，包括工作台，所述工作台的上端靠近后端设置有焊接机构，所述焊接机构包括固定基台、第一活动支撑板、伸缩杆、气缸、固定滑槽杆、活动齿槽滑杆、转动齿轮、转动连杆、第一电机、第二活动支撑板、第二电机、螺纹杆、定位轴承块、活动滑动块和第一固定滑杆，所述工作台的上端靠近后端设置有固定基台，所述固定基台的上端开设有滑槽，所述固定基台的上端滑槽内表面靠近前端设置有第一活动支撑板。本发明结构稳定，其焊接质量稳定可靠，工作效率高，可以减少产品不良率，降低生产成本，可以进一步减少电子元件表面脏污，提高其焊接质量，更好的满足使用需要。
一种功率适配器电子元件焊接机械手臂

[实用新型]一种具有散热结构的电源芯片-CN202022499810.X有效
发明人： 裘三君 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及电源芯片技术领域，具体为一种具有散热结构的电源芯片，包括芯片本体、连接支架和安装盖，所述芯片本体的外侧和背侧均固定安装有若干个连接支架，所述连接支架的底部均固定安装有焊接块，所述芯片本体的顶部上固定安装有安装盖，所述安装盖与芯片本体之间的连接处固定安装有拆卸槽，所述安装盖的内部固定安装有若干个散热风扇，所述安装盖的外侧设有防护网，所述芯片本体的底部固定安装有底板，所述底板底部外表面的四周固定安装有若干个凹槽，所述凹槽的内部固定安装有支撑脚，所述支撑脚与凹槽之间的连接处固定安装有固定轴，所述底板的正下方固定安装有散热口，本装置结构简单，散热效果好且使用寿命较长。
一种具有散热结构电源芯片

[发明专利]具有加密芯片的电子烟-CN202110111741.7在审
发明人：艾育林;裘三君 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： A24F40/50 文献下载
摘要：本发明公开一种具有加密芯片的电子烟，包括控制主板及雾化器部件，控制主板与雾化器部件连接，控制主板包括正负极智能判断模块、微控制器及电池组件，正负极智能判断模块及电池组件分别与微控制器电连接，以智能判断接入控制主板的雾化器部件的正负极，控制数据及电源传输的正常进行，雾化器部件包括加密芯片及用于加热并雾化烟液的发热元件，加密芯片用于与微控制器通信以进行加解密处理并传输数据。本发明具有加密芯片的电子烟通过于控制主板设置正负极智能判断模块及微控制器，以智能判断接入控制主板的雾化器部件的正负极，控制数据及电源传输的正常进行，实现反接也能正常工作，于雾化器部件设置加密芯片，实现雾化器的鉴权识别，安全性高。
具有加密芯片电子

[实用新型]一种半导体器件及电容器-CN202021405844.1有效
发明人：艾育林;裘三君 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体器件及电容器，所述半导体器件在SiC衬底上设置有HfO2基栅介质层，所述HfO2基栅介质层的厚度为10‑100nm。本实用新型中，在HfO2基栅介质层材料中掺杂Y2O3，可以有效降低SiC的界面态密度，提高栅介质层质量，同时解决了SiC半导体器件栅极漏电流大，耐压不足的问题，提高了SiC器件的性能。
一种半导体器件电容器

[实用新型]MOSFET器件的终端结构-CN202021407002.X有效
发明人：艾育林;裘三君 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种MOSFET器件的终端结构，所述终端结构包括设置于所述MOSFET器件芯片外围的一组以上由内而外依次分布的碳化硅沟槽环；所述碳化硅沟槽环为封闭的环形；最内侧的所述碳化硅沟槽环与所述芯片的低电位连接；最外侧的所述碳化硅沟槽环为截止环，所述截止环的电位与所述芯片的划片道连接。本实用新型的MOSFET器件的终端结构，通过内侧将碳化硅沟槽与芯片的低电位连接，有效抑制了反型沟道的形成，可以抑制漏电；在外侧将碳化硅沟槽与划片道的高电位连接，可以加强隔离效果，封闭的环形设计可以避免内侧与外侧之间形成漏电通道，从而解决了MOSFET器件耐压和漏电的问题。
mosfet 器件终端结构

[发明专利]HfO2-CN202010688127.2在审
发明人： 裘三君 -专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及一种HfO2基栅介质层材料，包括Y2O3，且在所述HfO2基栅介质层材料中，Y原子个数百分比为0.01‑28％。本发明的HfO2基栅介质层材料，掺杂有Y原子个数百分比为0.01‑28％的Y2O3，可以有效降低SiC的界面态密度，提高栅介质层质量，同时解决了SiC半导体器件栅极漏电流大，耐压不足的问题，提高了SiC器件的性能。
hfo base sub

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