专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光学系统及光学设备-CN201710798429.3有效
  • 虞翔 - 深圳市永诺摄影器材股份有限公司
  • 2017-09-07 - 2023-04-11 - G02B13/04
  • 本发明提供了一种光学系统,从物侧到像侧依次配置:前群透镜组、孔径光阑和后群透镜组;在所述后群透镜组最接近所述物侧至少配置一片正透镜Lrp,满足以下条件式:urp<25,和Δθrp>0.015,其中,F表示所述光学系统的焦距,Ff表示所述前群透镜组的焦距,Fr表示所述后群透镜组的焦距,urp和Δθrp分别表示所述正透镜Lrp材料的阿贝数和部分色散比差。本发明还提供了一种光学设备。该光学系统具有大视场角、长后截距、成像性能优秀的优点。
  • 光学系统光学设备
  • [实用新型]一种变焦机器视觉镜头-CN202222499106.3有效
  • 虞翔;梁宏皓;叶其安;史浩胜;汤熙斌 - 协益电子(苏州)有限公司
  • 2022-09-21 - 2023-02-03 - G02B15/177
  • 本实用新型提供一种变焦机器视觉镜头,包括:从物面侧到像面侧沿着光轴依次设有第一透镜组和第二透镜组,所述第一透镜组具有负光焦度,所述第二透镜组具有正光焦度,所述第一透镜组与所述第二透镜组之间设有空气间隔,沿着光轴调节所述第一透镜组与所述第二透镜组之间的空气间隔能够达到倍率变化进行变焦;该镜头在满足放大倍率可调的同时,具有畸变小,解像力高,满足高像素和大靶面感光器使用,满足现在对变焦机器视觉镜头小型化和便利化的需求。
  • 一种变焦机器视觉镜头
  • [发明专利]一种变焦机器视觉镜头-CN202211150748.0在审
  • 虞翔;梁宏皓;叶其安;史浩胜;汤熙斌 - 协益电子(苏州)有限公司
  • 2022-09-21 - 2022-12-20 - G02B15/177
  • 本发明提供一种变焦机器视觉镜头,包括:从物面侧到像面侧沿着光轴依次设有第一透镜组和第二透镜组,所述第一透镜组具有负光焦度,所述第二透镜组具有正光焦度,所述第一透镜组与所述第二透镜组之间设有空气间隔,沿着光轴调节所述第一透镜组与所述第二透镜组之间的空气间隔能够达到倍率变化进行变焦;该镜头在满足放大倍率可调的同时,具有畸变小,解像力高,满足高像素和大靶面感光器使用,满足现在对变焦机器视觉镜头小型化和便利化的需求。
  • 一种变焦机器视觉镜头
  • [发明专利]一种分离栅MOSFET的制作方法-CN202010239097.7有效
  • 顾昀浦;黄健;孙闫涛;张朝志;宋跃桦;吴平丽;樊君;张丽娜;虞翔 - 捷捷微电(上海)科技有限公司
  • 2020-03-30 - 2022-11-04 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种分离栅MOSFET的制作方法,包括:步骤一、在衬底上形成外延层;步骤二、在第一主面上淀积ONO结构;步骤三、刻蚀形成沟槽;步骤四、去除第二氧化层;步骤五、在沟槽内形成第三氧化层;步骤六、在沟槽内形成分离栅多晶硅;步骤七、去除沟槽上部侧壁的第三氧化层,使分离栅多晶硅顶部高于保留的第三氧化层;步骤八、以高密度等离子体化学气相沉积方式形成多晶硅间隔离氧化层,在沟槽侧壁形成侧壁氧化层,在第一氮化物层上形成厚氧化层;步骤九、去除侧壁氧化层;步骤十、去除第一氮化物层,以剥离厚氧化层。本发明通过HDPCVD方式在分离栅多晶硅上一次成型满足工艺要求的多晶硅间隔离氧化层,该多晶硅间隔离氧化层的厚度可精确控制。
  • 一种分离mosfet制作方法
  • [发明专利]一种分离栅MOSFET的制作方法-CN202010239095.8有效
  • 孙闫涛;黄健;张朝志;顾昀浦;宋跃桦;吴平丽;樊君;张丽娜;虞翔 - 捷捷微电(上海)科技有限公司
  • 2020-03-30 - 2022-08-09 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种分离栅MOSFET的制作方法,包括:步骤一、在衬底上形成外延层;步骤二、在第一主面上淀积第一氧化层;步骤三、形成沟槽;步骤四、去除第一氧化层;步骤五、在沟槽内形成第二氧化层;步骤六、在沟槽内形成分离栅多晶硅;步骤七、形成多晶硅间隔离氧化层;步骤八、在沟槽内形成氮化物层;步骤九、在沟槽内形成牺牲多晶硅;步骤十、去除位于牺牲多晶硅上方的氮化物层,形成掩膜结构;步骤十一、以掩膜结构作为蚀刻掩膜,去除多晶硅间隔离氧化层上方的第二氧化层;步骤十二、去除氮化物层,以剥离牺牲多晶硅。本发明通过高密度等离子体化学气象沉积方式或低温湿法氧化方式,可一次成型满足工艺要求的多晶硅间隔离氧化层。
  • 一种分离mosfet制作方法
  • [实用新型]一种高像素大靶面广角镜头-CN202122334008.X有效
  • 虞翔;梁宏皓;唐治民;汤熙斌 - 江西凤凰光学科技有限公司
  • 2021-09-26 - 2022-05-03 - G02B15/167
  • 本实用新型公开了一种高像素大靶面广角镜头,包括由物侧至像侧依次设置的第一透镜组和第二透镜组,第一透镜组包括由物侧至像侧依次设置的前透镜组、孔径光阑和后透镜组,前透镜组和后透镜组均具有正光焦度,第一透镜组沿光轴移动调焦,第二透镜组相对像面固定,并合理配置调焦群和固定群的焦距比值、前透镜组和后透镜组的光焦度及焦距比值范围。该镜头通过对像差进行校正,并合理控制位置色差和倍率色差,可实现在工作距范围内维持良好的成像性能,且镜头光学总长短、重量轻、鬼像少、畸变低,可在满足大靶面、大视场角的同时实现高质量成像。
  • 一种像素大靶面广角镜头
  • [实用新型]一种高像素大靶面长焦镜头-CN202122336256.8有效
  • 虞翔;梁宏皓;唐治民;汤熙斌 - 江西凤凰光学科技有限公司
  • 2021-09-26 - 2022-05-03 - G02B15/167
  • 本实用新型公开了一种高像素大靶面长焦镜头,包括由物侧至像侧依次设置的具有正光焦度的第一透镜组和具有负光焦度的第二透镜组,第一透镜组包括由物侧至像侧依次设置的具有负光焦度的前透镜组和具有正光焦度的后透镜组,调焦时,第一透镜组沿光轴移动,第二透镜组相对像面固定,通过合理设置镜头与第二透镜组的焦距比值范围,并确定第一透镜组与第二透镜组的光焦度、前透镜组与后透镜组之间的光焦度和焦距比值范围。该镜头具有焦距长、解析力高、画质好、畸变低的特点,在调焦过程中可维持稳定良好的成像性能,且结构小型轻量化,满足大靶面、高像素的成像需求。
  • 一种像素大靶面长焦镜头
  • [发明专利]一种半导体封装件及其制作方法-CN202010239099.6有效
  • 黄健;孙闫涛;张朝志;顾昀浦;宋跃桦;吴平丽;樊君;张丽娜;虞翔 - 捷捷微电(上海)科技有限公司
  • 2020-03-30 - 2022-03-25 - H01L21/48
  • 本发明公开了一种半导体封装件及其制作方法,包括:提供一引线框架和一网状铜片框架;将芯片贴附到引线框架上;将网状铜片框架设置在引线框架上,铜片框架与引线框架电连接,芯片的键合焊盘通过位于其上方的铜片键合区域的键合铜片与围绕芯片的所引脚电连接;形成塑封体;从引线框架的背面沿引线框架切割道金属至少部分地切割塑封体,以暴露引脚的侧面;在引脚暴露的侧面形成锡或锡合金;以及将塑封体切割为单个半导体封装件。本发明通过网状铜片框架方式,将每个芯片的键合铜片与铜片框架切割道金属整体连接在一起,在引脚侧面形成锡的时候,网状铜片框架可以作为一个导通的路径,使得引脚在切开以后还可以进行导电,有效提高了生产效率。
  • 一种半导体封装及其制作方法

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