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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体设备、制造半导体设备的方法以及电子设备-CN202180082999.7在审
发明人：斋藤卓;藤井宣年 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：提供了一种能够将整个接合过程的温度降低至室温的半导体设备、用于制造半导体设备的方法，以及电子设备。该半导体设备包括：第一绝缘膜；在第一绝缘膜的表面上形成的多个第一接合电极；第二绝缘膜；在第二绝缘膜的表面上形成的多个第二接合电极；以及金属膜，覆盖包括第一绝缘膜和所述多个第一接合电极的接合表面的整个表面以及包括第二绝缘膜和所述多个第二接合电极的接合表面的整个表面。第一绝缘膜包括在所述多个第一接合电极中的至少一些接合电极之间形成并且将接合电极之间的金属膜分离的第一挖入部分。第二绝缘膜包括在所述多个第二接合电极的至少一些接合电极之间形成并且将接合电极之间的金属膜分离的第二挖入部分。
半导体设备制造方法以及电子设备

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子装置-CN201811091131.X有效
发明人： 藤井宣年;青柳健一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-06-11 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的目的是改善半导体装置例如其中层叠多个基板的具有三维结构的固态成像设备中的耐热性、扩散阻力和可靠性。再者，本公开涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及包括半导体装置的电子装置。本公开的半导体装置包括第一基板和第二基板，该第一基板包括第一层间绝缘膜和第一配线层，第一配线层具有从第一层间绝缘膜突出预定量的第一连接电极，第二基板包括第二层间绝缘膜和第二配线层，第二配线层具有从第二层间绝缘膜突出预定量的第二连接电极。在第一基板和第二基板之间的贴合表面上，第一连接电极和第二连接电极彼此接合，并且同时在层叠方向上彼此面对的第一层间绝缘膜的至少一部分和第二层间绝缘膜的一部分彼此接合。
半导体装置制造方法电子

[发明专利]成像装置、成像装置的制造方法和电子设备-CN202180070653.5在审
发明人：望月健矢;中泽圭一;吉田慎一;西尾贤哉;藤井宣年;斋藤卓;冈本正喜;鎌谷良介;山本雄一;厳樫一孝;宫波勇树;吉冈浩孝;堀越浩;黒鸟托也;古瀬骏介;本多孝好 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本公开提供了一种成像装置(1)，包括：第一半导体基板(100)，其设置有光电转换元件；第二半导体基板(200)，其隔着层间绝缘膜(123)层叠在所述第一半导体基板上，并且设置有将在所述光电转换元件中生成的电荷作为像素信号读出的像素电路；和通孔(600)，其贯通所述层间绝缘膜并且电气连接所述第一半导体基板的与所述第二半导体基板相面对的第一面和与所述第二半导体基板的与所述第一面相面对的第二面的至少一部分。
成像装置制造方法电子设备

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201910872906.5有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]固态摄像装置及其制造方法-CN202180041982.7在审
发明人： 藤井宣年;斋藤卓;深谷天 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及能够抑制光斑的产生的固态摄像装置及其制造方法。该固态摄像装置包括：半导体基板，其上形成有设置有多个像素的像素区域；以及透明结构体，其具有中空结构，并且通过树脂与半导体基板的光入射面侧接合。在该固态摄像装置中，透明结构体包括玻璃基板和透明膜，并且在玻璃基板和透明膜之间形成有中空结构。本发明例如能够应用于摄像装置。
固态摄像装置及其制造方法

[发明专利]配线结构、制造配线结构的方法和成像装置-CN202180048648.4在审
发明人：濑岛幸一;深谷天;西尾贤哉;羽根田雅希;藤井宣年;斋藤卓 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种适于降低配线电容的配线结构。该半导体装置包括：配线层，包括在第一方向上延伸的多条配线；第一绝缘膜，在配线层上重叠并且包括存在于在第二方向上夹在彼此相邻的多条配线之间的间隙区域中的空隙；以及第二绝缘膜，布置在多条配线与第一绝缘膜之间。每一条配线包括：金属膜，由包含第一金属的导电材料形成；以及阻挡金属层，在与第一方向垂直的截面中部分地覆盖金属膜的周围，同时由包含抑制第一金属的扩散的第二金属的材料形成。第二绝缘膜布置成覆盖金属膜的一部分，并包含抑制第一金属的扩散的绝缘材料。
结构制造方法成像装置

[发明专利]透镜基板-CN202011286104.5有效
发明人：白岩利章;冈本正喜;松谷弘康;伊藤启之;斋藤卓;大岛启示;藤井宣年;田泽洋志;石田実 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及透镜基板。其中，透镜基板可包括：基板，所述基板具有通孔；透镜，布置在所述通孔中；以及凹槽，在横截面图中所述凹槽与所述通孔相邻地布置。
透镜

[发明专利]半导体装置和制造方法-CN201910445485.8有效
发明人： 藤井宣年;萩本贤哉;青柳健一;香川惠永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。
半导体装置制造方法

[发明专利]光检测装置及其制造方法-CN201910468930.2有效
发明人： 藤井宣年;萩本贤哉;青柳健一;香川惠永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。
检测装置及其制造方法

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201910872242.2有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201910872243.7有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN202180012711.9在审
发明人：斋藤卓;山本雄一;藤井宣年;高地泰三 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：[问题]提供了一种能够在合适的基板上形成发光元件的发光装置及其制造方法。[解决方案]根据本公开的发光装置包括：第一基板；多个发光元件，设置在第一基板的第一表面上；以及第二基板，设置在第一基板的与第一表面相对的第二表面上。
发光装置及其制造方法

[发明专利]固态成像装置和固态成像装置的制造方法-CN202080071698.X在审
发明人：定荣正大;村田贤一;古闲史彦;八木岩;平田晋太郎;富樫秀晃;齐藤阳介;藤井宣年 -专利权人：索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开一个实施方案的固态成像装置包括：多个光电转换部，其层叠在半导体基板上且具有彼此不同的波长选择性；和配线，其形成在所述半导体基板上且电气连接到所述多个光电转换部。各个所述光电转换部包括光电转换膜以及隔着所述光电转换膜配置的第一电极和第二电极。所述配线在所述半导体基板的法线方向上延伸，并且包括与各个所述光电转换部的第二电极接触形成的垂直配线。
固态成像装置制造方法

[发明专利]相机模块和电子装置-CN201880007665.1有效
发明人：福山宗克;松谷弘康;伊藤启之;斋藤卓;大岛启示;岩崎正则;林利彦;佐藤修三;藤井宣年;田泽洋志;白岩利章;守屋雄介;石田実 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G02B7/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种相机模块，所述相机模块包括堆叠透镜结构，所述堆叠透镜结构包括多个透镜基板。所述多个透镜基板包括：第一透镜基板，所述第一透镜基板包括设置在形成于所述第一透镜基板中的贯通孔的内侧的第一透镜；和第二透镜基板，所述第二透镜基板包括设置在形成于所述第二透镜基板中的贯通孔的内侧的第二透镜，其中，所述第一透镜基板直接键合至第二透镜基板。所述相机模块还包括电磁驱动单元，所述电磁驱动单元用于调节所述堆叠透镜结构与光接收元件之间的距离。
相机模块电子装置

[发明专利]成像装置、电子设备和制造方法-CN202080059478.5在审
发明人：新田阳介;萩本贤哉;藤井宣年;山本雄一 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种能够降低制造成本的成像装置、电子设备和制造方法。所述成像装置包括：第一半导体元件，其包括被构造为生成像素信号的成像元件；和第二半导体元件，在其中通过埋入构件埋入被构造为处理所述像素信号的第一信号处电路和第二信号处理电路，其中第一信号处理电路具有比第二信号处理电路多至少一层的结构。所述成像装置还包括：连接第一半导体元件和第一信号处理电路的第一配线；和连接第一信号处理电路和第二信号处理电路的第二配线。本公开可以适用于成像装置。
成像装置电子设备制造方法

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