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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202010546969.4有效
发明人：吴家荣;黄瑞民;张翊凡;蔡雅卉;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一金属间介电层于基底上，然后形成一第一图案化掩模于第一金属间介电层上，其中第一图案化掩模包含一第一开口沿着一第一方向延伸。接着形成一第二图案化掩模于第一图案化掩模上，其中第二图案化掩模包含一第二开口沿着一第二方向延伸并与该第一开口交错而形成一第三开口，之后再形成一第一金属内连线于第三开口内。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202010235266.X有效
发明人：吴家荣;张翊凡;黄瑞民;蔡雅卉;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底包含一逻辑区以及一磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,MRAM)区域，然后形成一磁隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)于MRAM区域上，形成一金属内连线于MTJ上，形成一介电层于金属内连线上，图案化介电层以形成多个开口，最后再形成阻挡层于被图案化的介电层以及金属内连线上并填满该等开口。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]具有磁性隧穿结的半导体元件-CN201910659797.9有效
发明人： 蔡雅卉;黄瑞民 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种具有磁性隧穿结的半导体元件，该半导体元件包括基板、磁性隧穿结阵列、包括第一虚置磁性隧穿结的阵列以及包括第二虚置磁性隧穿结的阵列。其中，基板上包括阵列区域，且阵列区域包括至少一外侧角落，磁性隧穿结阵列会被设置于阵列区域中，包括第一虚置磁性隧穿结的阵列会沿着阵列区域的外侧角落的边缘而设置，包括第二虚置磁性隧穿结的阵列会围绕住阵列区域以及第一虚置磁性隧穿结。
具有磁性隧穿结半导体元件

[发明专利]磁阻式随机存取存储器的布局图案-CN201811610931.8有效
发明人：朱中良;汤志贤;陈昱瑞;蔡雅卉;黄瑞民;戴觉非 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其包含第一磁隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)图案，设于基底上，第二MTJ图案设于该第一MTJ图案旁以及第一金属内连线图案设于该第一MTJ图案以及该第二MTJ图案之间，其中该第一MTJ图案、该第一金属内连线图案以及该第二MTJ图案交错排列。
磁阻随机存取存储器布局图案

[发明专利]半导体元件-CN201510467637.6有效
发明人：陆俊岑;赖建铭;周禄盛;蔡雅卉;邱靖翔;萧有彤;黄振铭;李昆儒;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包含一基底以及一栅极结构设于基底上，其中栅极结构包含一高介电常数介电层设于基底上以及一底部金属阻隔层设于高介电常数介电层上，该底部金属阻隔层包含一上半部、一中半部以及一下半部，且上半部为一富氮部分而中半部及下半部各为一富钛部分。
半导体元件

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201911117619.X在审
发明人：吴家荣;黄瑞民;蔡雅卉;张翊凡;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)堆叠结构于一基底上，然后形成一上电极于该MTJ堆叠结构上，进行一第一图案化制作工艺沿着一第一方向去除该MTJ堆叠结构，再进行一第二图案化制作工艺沿着一第二方向去除该MTJ堆叠结构以形成多个MTJ于该基底上。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器-CN201911064575.9在审
发明人：王慧琳;许博凯;张境尹;陈宏岳;王裕平;吴家荣;黄瑞民;蔡雅卉;张翊凡 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其主要包含第一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)以及一第二MTJ设于一基底上以及一虚置MTJ设于该第一MTJ以及该第二MTJ之间，其中该虚置MTJ底部不连接任何金属。半导体元件另包含一第一金属内连线设于第一MTJ下方、一第二金属内连线设于第二MTJ下方以及一第一金属间介电层环绕第一金属内连线及第二金属内连线并设于虚置MTJ正下方。
磁阻随机存取存储器

[发明专利]磁性存储单元及其制作方法-CN201910634743.7在审
发明人：黄瑞民;陈宏岳;蔡雅卉;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种磁性存储单元及其制作方法，其中该磁性存储单元包含一基底，具有一存储区；一选择晶体管，设于基底上的存储区内；一第一介电层，设于基底上，其中第一介电层覆盖存储区和选择晶体管；一接垫，设于第一介电层中，其中接垫位于第一水平面且电连接选择晶体管的漏极区；一第二介电层，覆盖第一介电层和接垫；一柱状存储器堆叠，设于第二介电层中，其中柱状存储器堆叠包含电耦合至接垫的底电极，以及电耦合至第二介电层上的位线的上电极；以及一源极线，设于第一介电层中，其中源极线位于第二水平面且电连接选择晶体管的源极区。
磁性存储单元及其制作方法

[发明专利]互补金属氧化物半导体与其制作方法-CN201410524514.7有效
发明人：赖建铭;黄建中;曾于庭;蔡雅卉;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种互补金属氧化物半导体与其制作方法，包含一P型晶体管以及一N型晶体管。P型晶体管具有一P型金属栅极，该P型金属栅极包含一底阻障层、一P型功函数金属层、一N型调和层、一N型功函数金属层以及一金属层。N型晶体管包含一N型金属栅极，该N型金属栅极包含该N型调和层、该N型功函数金属层以及该金属层。本发明还另外提供了一种形成所述互补式金属氧化物半导体的方法。
互补金属氧化物半导体与其制作方法

[发明专利]纳豆发酵乳及其制造方法-CN201010164843.7有效
发明人： 蔡雅卉;陈宜君;童雅玲 -专利权人：光泉牧场股份有限公司
申请日： 2010-04-19 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： A23C11/10 文献下载
摘要：本发明系关于一种纳豆发酵乳及其制造方法，其利用适当配方之豆浆原液，配合适当的控制条件，让纳豆菌在较佳环境下生长发酵，制造出风味口感独特之创新食品—纳豆发酵乳。以本发明所生产的纳豆发酵乳，其纳豆激酶活性可较长时间维持在3-5FU/mL、纳豆活菌数在107-108CFU/mL之间，大大提升了本产品的机能性价值。
发酵及其制造方法

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