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[实用新型]一种逆向出雾的医用雾化装置-CN202320603403.X有效
发明人：童海军;蔡金勇;王景军;郑健彬 -专利权人：深圳市天士力神通本草技术开发有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： A61M11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种逆向出雾的医用雾化装置，涉及医疗器械领域。本实用新型重新设计雾化组件的布置方式，将雾化组件的出雾端即产生气溶胶的方向朝底盖方向，可使喷出的气溶胶中的大颗粒首先撞击底盖，使大颗粒破碎或粘附在底盖上。通过用户在吸嘴处自主抽吸动，作使储液瓶的气流通道产生负压，雾化组件产生的气溶胶会沿着逆重力方向往上传输进入储液瓶的气流通道，过程中部分大颗粒在重力作用下回落，到达顶部时，大颗粒在惯性作用下撞击顶盖底部，进一步分解成小颗粒，小颗粒被用户吸入呼吸道，采用此结构可有效提高雾化小颗粒所占比例，提高雾化液疗效。
一种逆向医用雾化装置

[发明专利]沟槽型MOSFET的栅结构及其制造方法、沟槽型MOSFET-CN202310660491.1在审
发明人：董仕达;刘坚;蔡金勇 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽型MOSFET的栅结构及其制造方法、沟槽型MOSFET，包括：在外延层中形成沟槽；在沟槽的下部形成屏蔽栅和第一绝缘层，第一绝缘层将屏蔽栅与外延层彼此隔离；在屏蔽栅的顶部形成具有突出的上边缘第二绝缘层；在沟槽的上部分形成控制栅和栅极电介质，栅极电介质将控制栅与外延层彼此隔离，第二绝缘层位于控制栅和屏蔽栅之间，其中，第二绝缘层突出的上边缘使得控制栅的侧壁与底壁之间形成与上边缘相对应的过渡曲面。本申请通过对控制栅的形成步骤进行改进，以获得底壁和侧壁夹角为钝角的控制栅，从而降低控制栅极底部电场强度，减小栅极电介质被提前击穿的几率，从而保护栅极电介质。
沟槽 mosfet 结构及其制造方法

[发明专利]一种沟槽型半导体功率器件及版图-CN202310582449.2在审
发明人：刘坚;蔡金勇 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽型半导体功率器件及版图，包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于衬底第一表面；源沟槽结构，位于外延层内部，为圆环形；栅沟槽结构，位于外延层内部，为圆环形，源沟槽结构和栅沟槽结构相互分离且交替排列；桥沟槽结构，位于外延层内部，桥沟槽结构跨接于相邻的两个栅沟槽结构之间，穿过相邻的两个栅沟槽结构之间的源沟槽结构，将源沟槽结构切割成若干个源沟槽弧段，源沟槽弧段的端部与桥沟槽结构具有间隔；第二掺杂类型的基区，设置于相邻的源沟槽结构和栅沟槽结构之间；第一掺杂类型的源区，设置于基区中；栅金属层，与栅沟槽结构连接；源金属层，与源沟槽结构和源区连接，源金属层和栅金属层相互分离。
一种沟槽半导体功率器件版图

[外观设计]水族海绵过滤器-CN202330159344.7有效
发明人： 蔡金勇 -专利权人： 蔡金勇
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：水族海绵过滤器。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于水族箱水体过滤。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
水族海绵过滤器

[发明专利]EZH1/2抑制剂及其制备和抗肿瘤治疗中的应用-CN202211473920.6在审
发明人：韩开林;马晓慧;李加文;万致富;王小涛;董利明;唐海;周水平;蔡金勇 -专利权人：江苏天士力帝益药业有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C07D405/14 文献下载
摘要：本发明涉及EZH1/2抑制剂及其制备和抗肿瘤治疗中的应用，具体包括式I或式II所示的化合物、或其氘代化合物、或其立体异构体、或其药学上可接受的盐，本发明进一步包括所述化合物的药物组合物，及它们作为EZH1/2抑制剂在制备治疗相关疾病的药物中的用途。
ezh1 抑制剂及其制备肿瘤治疗中的应用

[发明专利]WEE1抑制剂及其制备和用途-CN202211580313.X在审
发明人：宋利;唐海;马晓慧;周水平;蔡金勇;董利明;宋壮 -专利权人：江苏天士力帝益药业有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C07D519/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种式(I)所示的化合物、或其立体异构体、或其药学上可接受的盐，及其在制备用来治疗跟WEE1活性相关的疾病的药物中的用途。
wee1 抑制剂及其制备用途

[实用新型]一种新型医用雾化装置-CN202320603482.4有效
发明人：童海军;蔡金勇;王景军;郑健彬 -专利权人：深圳市天士力神通本草技术开发有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： A61M11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型医用雾化装置，涉及医疗器械领域。该装置包括相互可拆卸连接的一雾化器和一电源杆，该雾化器包括储液瓶、底盖、雾化组件和支架，该电源杆包括气流感应通道、气流传感器、控制板和电池。使用者使用本装置时，通过口含吸嘴进行自主抽吸动作，使气流通道产生负压，气流感应通道内空气被吸走而产生负压，气流传感器感测到连通气流通道的气压变化而产生电信号，控制板根据接收到的电信号而控制雾化组件发热，雾化组件加热空气和雾化液来产生气溶胶颗粒，并通过气流通道被吸入使用者口中。本装置能够克服气溶胶低于人体气温造成的不适感，避免药物浪费和发生呛咳现象等问题。
一种新型医用雾化装置

[实用新型]一种不漏液的密封医疗雾化装置-CN202320603483.9有效
发明人：童海军;蔡金勇;王景军;郑健彬 -专利权人：深圳市天士力神通本草技术开发有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： A61M11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种不漏液的密封医疗雾化装置，涉及医疗器械领域。本装置包括储液瓶、底盖、雾化组件、支架和密封组件，其中密封组件包括密封环和密封件，该密封环设置于支架的顶部，密封支架与储液瓶内壁之间的缝隙；该密封件设置于支架的底部，密封支架与雾化组件之间的缝隙。本实用新型通过重新设计支架与密封组件的连接关系，从而实现支架与储液瓶、雾化组件之间的密封，防止雾化液从储液瓶与支架结合处泄漏，以及防止雾化液或气溶胶从雾化组件与支架结合处泄漏。
一种不漏液密封医疗雾化装置

[发明专利]一种流化床气体自循环的装置及方法-CN202111666214.9在审
发明人：闫凯境;章顺楠;刘春明;王建春;鞠伟;张洪全;熊皓舒;田埂;李越;李晨鸣;蔡金勇;张洪波;李国华;王超 -专利权人：天士力医药集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B01J2/16 文献下载
摘要：本发明公开一种流化床气体自循环的装置及方法，涉及制药行业流化床干燥设备，该装置包括流化床主机、混合器、除尘器、进风处理器、排风装置、循环风机、进风管道、出风管道、排风管道、循环风管道、补风管道和控制系统，能够实现流化床流化气体自循环，在满足运行要求的前提下，使流化床排风的湿热空气中热量最大化利用，克服现有技术能源消耗大，制备技术要求高，产生环保风险等问题。
一种流化床气体循环装置方法

[发明专利]一种新型医用雾化装置-CN202310297591.2在审
发明人：童海军;蔡金勇;王景军;郑健彬 -专利权人：深圳市天士力神通本草技术开发有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： A61M11/00 文献下载
摘要：本发明公开一种新型医用雾化装置，涉及医疗器械领域。该装置包括相互可拆卸连接的一雾化器和一电源杆，该雾化器包括储液瓶、底盖、雾化组件和支架，该电源杆包括气流感应通道、气流传感器、控制板和电池。使用者使用本装置时，通过口含吸嘴进行自主抽吸动作，使气流通道产生负压，气流感应通道内空气被吸走而产生负压，气流传感器感测到连通气流通道的气压变化而产生电信号，控制板根据接收到的电信号而控制雾化组件发热，雾化组件加热空气和雾化液来产生气溶胶颗粒，并通过气流通道被吸入使用者口中。本装置能够克服气溶胶低于人体气温造成的不适感，避免药物浪费和发生呛咳现象等问题。
一种新型医用雾化装置

[发明专利]一种沟槽型MOSFET的制造方法-CN202310174578.8在审
发明人： 蔡金勇 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽型MOSFET的制造方法，包括：形成从第一掺杂类型的外延层的上表面延伸至其内部的沟槽；形成位于沟槽内的栅介质层以及栅极导体；形成位于所述外延层内的第二掺杂类型的体区，所述体区与所述沟槽相邻；形成位于所述体区内的第一掺杂类型的源区；在所述源区上方以及所述栅介质层上方形成第一介质层；形成贯穿第一介质层和源区，延伸至体区内部的接触孔；在所述接触孔的侧壁形成侧墙；经由所述接触孔形成第二掺杂类型的体接触区；形成填充于接触孔内的导电通道。本申请在形成体接触区之前形成接触孔，并且在接触孔中形成侧墙，接触孔侧壁的侧墙能够防止体接触区横向侵入至沟道区，保证器件的性能的可靠性。
一种沟槽 mosfet 制造方法

[发明专利]一种水飞蓟宾的精制方法-CN201710013262.5有效
发明人：朱占元;蔡金勇;杨国军;梁志祥;黄东 -专利权人：江苏天士力帝益药业有限公司
申请日： 2017-01-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C07D407/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种水飞蓟宾的精制方法，所述方法包括以下步骤：步骤1，将水飞蓟宾粗品用无水乙醇溶解；步骤2，活性炭脱色；步骤3，过滤，滤液浓缩；步骤4，将浓缩液加入到热的纯化水中溶解，加热；步骤5，溶液降温并搅拌，析出结晶，过滤干燥得水飞蓟宾。经过检测，使用本发明方法制备得到的水飞蓟宾结晶纯度高、乙醇残留少以下。
一种水飞蓟宾精制方法

[发明专利]一种沟槽型MOSFET的制造方法-CN202211271251.4有效
发明人： 蔡金勇 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽型MOSFET的制造方法，包括：形成从第一掺杂类型的外延层的上表面延伸至其内部的沟槽；形成位于沟槽内的栅介质层以及栅极导体；形成位于所述外延层内的第二掺杂类型的体区，所述体区与所述沟槽相邻；形成位于所述体区内的第一掺杂类型的源区；在所述源区上方以及所述栅介质层上方形成第一介质层；形成贯穿第一介质层和源区，延伸至体区内部的接触孔；在所述接触孔的侧壁形成侧墙；经由所述接触孔形成第二掺杂类型的体接触区；形成填充于接触孔内的导电通道。本申请在形成体接触区之前形成接触孔，并且在接触孔中形成侧墙，接触孔侧壁的侧墙能够防止体接触区横向侵入至沟道区，保证器件的性能的可靠性。
一种沟槽 mosfet 制造方法

[发明专利]沟槽型场效应晶体管及沟槽型场效应晶体管的制造方法-CN202211188475.9在审
发明人： 蔡金勇;刘坚;董仕达;王振翰 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种沟槽型场效应晶体管的制造方法，包括：形成外延层于衬底上；形成沟槽在外延层中，其中沟槽从外延层的表面延伸至外延层的内部的沟槽；形成第一绝缘层和屏蔽导体在沟槽中，其中第一绝缘层包围屏蔽导体且部分填充沟槽；形成介质层于外延层上、第一绝缘层上及沟槽的侧壁；部分刻蚀介质层以形成介质区，其中介质区位于第一绝缘层上及沟槽的侧壁；以及形成第二绝缘层和栅极导体在沟槽中，其中第二绝缘层包围栅极导体且填充沟槽并延伸至外延层的表面上。透过本申请所形成的沟槽型场效应晶体管，可使栅极‑漏极电容的数值降低。
沟槽场效应晶体管制造方法

[发明专利]一种沟槽型MOSFET及其制备方法-CN202211188398.7在审
发明人： 蔡金勇 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开一种沟槽型MOSFET及其制备方法，方法包括：形成从第一掺杂类型的外延层的上表面延伸至其内部的第一沟槽和第二沟槽；形成位于所述第一沟槽下部的第一屏蔽栅介质层和第一屏蔽导体，以及位于所述第二沟槽下部的第二屏蔽栅介质层和第二屏蔽导体；形成位于所述第一屏蔽栅介质层和第一屏蔽导体表面的第一层间介质层，以及位于所述第二屏蔽栅介质层和第二屏蔽导体表面的第二层间介质层；形成位于所述第一沟槽上部的第一栅介质层和第一栅极导体，以及位于所述第二沟槽上部的第二栅介质层和第二栅极导体；以及形成体区、源区及接触区，其中，位于所述第二沟槽内的所述第二栅介质层的介电常数大于所述第一沟槽内的所述第一栅介质层。
一种沟槽 mosfet 及其制备方法

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