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[实用新型]半导体结构-CN202221994705.6有效
发明人：时定康;程仲良;蔡邦彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括硅基板、绝缘层、双层、第一晶体管的通道区域及第二晶体管的通道区域。绝缘层在硅基板中。双层在绝缘层上方，且双层包括与应变松弛硅锗(SiGe)部分直接接触的硅部分。第一晶体管的通道区域在双层的硅部分上。第二晶体管的通道区域在双层的应变松弛SiGe部分上。
半导体结构

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210958934.0在审
发明人：时定康;蔡邦彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种半导体装置的通道结构，以及所述装置的制造方法。所述方法可包括：形成超晶格结构在鳍片结构上，所述超晶格结构含有多个第一纳米结构层及多个第二纳米结构层。所述方法亦可包括：移除所述第二纳米结构层，以形成多个栅极开口；在第一温度及第一压力下，形成锗外延成长层于所述第一纳米结构层上；在第一预定期间，增加第一温度至第二温度及增加第一压力至第二压力。所述方法更可包括：在第二预定期间，于第二温度及第二压力的腔室中，退火锗外延成长层，以形成环绕所述第一纳米结构层的被覆层。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202210956768.0在审
发明人：陈维宁;蔡邦彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提出一种半导体装置，半导体装置具有厚度实质上一致的无晶面外延结构。半导体装置包括鳍状结构位于基板上。鳍状结构包括鳍状物底部与鳍状物顶部。鳍状物底部的上表面比鳍状物顶部的下表面宽。半导体装置还包括介电层位于鳍状物顶部上；非晶层位于介电层上；以及外延层。外延层位于非晶层的上表面、非晶层的侧壁表面、介电层、鳍状物顶部、与鳍状物底部的上表面之上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210680385.5在审
发明人：朱家宏;王菘豊;梁顺鑫;张旭凯;时定康;洪宗佑;蔡邦彦;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开描述了一种具有背面接触结构的半导体装置的形成方法。所述方法包括形成半导体装置在基板的第一侧上。所述半导体装置包括源极/漏极(S/D)区域。所述方法更包括蚀刻在基板的第二侧上的S/D区域的一部分，以形成开口；及形成外延接触结构在开口中的S/D区域上。第二侧与第一侧相对。外延接触结构包括与在开口中的S/D区域接触的第一部分及在第一部分上的第二部分。第二部分的宽度大于第一部分。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201910882122.0有效
发明人：卡迪尔贝德·姆鲁诺·阿比基斯;奥野泰利;蔡邦彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：选择性地形成第一介电层，从而使得第一介电层形成在第一类型晶体管的源极/漏极区域上方，但不形成在第二类型晶体管的源极/漏极区域上方。第一类型晶体管和第二类型晶体管具有不同类型的导电性。选择性地形成第一硅化物层，从而使得第一硅化物层形成在第二类型晶体管的源极/漏极区域上方，但不形成在第一类型晶体管的源极/漏极区域上方。去除第一介电层。在第一类型晶体管的源极/漏极区域上方形成第二硅化物层。本发明的实施例还涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。
半导体器件制造方法

[发明专利]纳米结构场效晶体管与其形成的方法-CN202110749302.9在审
发明人：林衍廷;李彦儒;苏建彰;金志昀;李健玮;蔡邦彦;李啟弘;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种纳米结构场效晶体管与其形成的方法，纳米结构场效晶体管包括具有鳍部的基材、隔离区域在基材上并沿鳍部的相异侧、纳米结构在鳍部上、磊晶源极/漏极区相邻于纳米结构、及栅极电极在纳米结构上。磊晶源极/漏极区包括第一半导体材料部分，每个第一半导体材料部分接触至少一个纳米结构的端点，第一半导体材料部分彼此隔开，第一半导体材料部分具有第一掺杂浓度的第一导电型掺杂剂。磊晶源极/漏极区包括第二半导体材料层，第二半导体材料层具有第二掺杂浓度的第一导电型掺杂剂，第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度，第二半导体材料层包括覆盖每个第一半导体材料部分的单层。
纳米结构晶体管与其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910780511.2有效
发明人：时定康;王菘豊;蔡邦彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本文提供了在源极/漏极部件和接触件之间具有界面的集成电路的实例以及用于形成集成电路的方法的实例。在一些实施例中，该方法包括接收衬底，衬底上设置有源极/漏极部件。源极/漏极部件包括第一半导体元件和第二半导体元件。氧化源极/漏极部件的第一半导体元件以在源极/漏极部件上产生第一半导体元件的氧化物以及源极/漏极部件的具有比源极/漏极部件的其余部分更大的第二半导体元件的浓度的区域。去除第一半导体元件的氧化物，并且形成电连接至源极/漏极部件的接触件。在一些这样的实施例中，第一半导体元件包括硅，并且第二半导体元件包括锗。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件结构、半导体器件及其形成方法-CN202110409617.9在审
发明人：朱家宏;王菘豊;梁顺鑫;张旭凯;时定康;洪宗佑;蔡邦彦;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：根据本发明的半导体器件结构包括：源极部件和漏极部件；至少一个沟道结构，在源极部件和漏极部件之间延伸；栅极结构，包裹至少一个沟道结构的每个；半导体层，位于栅极结构上方；介电层，位于半导体层上方；掺杂的半导体部件，延伸穿过半导体层和介电层以与源极部件接触；金属接触插塞，位于掺杂的半导体部件上方；以及掩埋电源轨，设置在金属接触插塞上方。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202011410603.0在审
发明人：陈维宁;蔡邦彦;奥野泰利 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请的实施例公开了一种用于减少半导体器件的异质外延界面中的应力引起的缺陷的方法。该方法包括：形成具有鳍部基底的鳍部结构、位于鳍部基底上的超晶格结构；形成位于鳍部结构上的多晶硅栅极结构；形成位于鳍部结构的未由多晶硅栅极结构覆盖的部分内的源极/漏极(S/D)开口；修改第一层的第一表面以弯曲第一表面的轮廓；沉积分别位于第一表面、第二表面、和第三表面上的第一钝化层、第二钝化层、和第三钝化层；形成位于源极/漏极开口内的外延源极/漏极区；以及用金属栅极结构替代多晶硅栅极结构。超晶格结构包括分别具有第一晶格常数和第二晶格常数的第一层和第二层，并且第一晶格常数和第二晶格常数彼此不同。本申请的实施例另一方面提供一种半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件-CN202110089092.5在审
发明人：李培玮;奧野泰利;蔡邦彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据本公开的一种半导体器件包含基板以及晶体管，基板包含多个原子阶，原子阶沿着第一方向传递，而晶体管设置于基板之上。晶体管包含通道构件及栅极结构，通道构件沿着第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向，而栅极结构环绕通道构件。
半导体器件

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110156301.3在审
发明人：李培玮;蔡邦彦;赵皇麟;洪宗佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法。半导体装置具有超晶格结构及位于具有埋入式隔离结构的基底上。上述方法包括形成一蚀刻停止层于一基底上；形成一超晶格结构于蚀刻停止层上；沉积一隔离层于超晶格结构上；沉积一半导体层于隔离层上；形成一双层隔离结构于半导体层上、去除基底及蚀刻停止层；蚀刻超晶格结构、隔离层、半导体层及双层隔离结构以形成一鳍部结构；以及形成一全绕式栅极结构于鳍部结构上。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于半导体器件的接触插塞及其形成方法-CN201811381317.9有效
发明人：姆鲁尼尔·A·卡迪尔巴德;奥野泰利;王菘豊;蔡邦彦;李胜男;蔡腾群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其形成方法。方法包括在半导体结构上形成栅极。形成与栅极相邻的外延源极/漏极区。在外延源极/漏极区上形成介电层。形成延伸穿过介电层并且暴露外延源极/漏极区的开口。在开口中非共形地沉积导电材料。导电材料以自下而上的方式填充开口。本发明的实施例还涉及用于半导体器件的接触插塞及其形成方法。
用于半导体器件接触及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010320880.6在审
发明人：时定康;陈振隆;蔡邦彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供一种半导体装置及其制造方法。根据本公开的一种制造方法包括提供工件，工件包括第一源极/漏极区在第一装置区中，及第二源极/漏极区在第二装置区中，在第一源极/漏极区及第二源极/漏极区上沉积介电层，在介电层中形成第一导孔开口以露出第一源极/漏极区，并在介电层中形成第二导孔开口以露出第二源极/漏极区，退火工件以在露出的第一源极/漏极区上形成第一半导体氧化物部件，并在露出的第二源极/漏极区上形成第二半导体氧化物部件，去除第一半导体氧化物部件以露出在介电层中第一导孔开口中的第一源极/漏极区，以及选择性地在露出的第一源极/漏极区上形成第一外延部件。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201911173527.3在审
发明人：洪宗佑;蔡邦彦;李培玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例公开了半导体装置及其制造方法。形成半导体装置的例示性方法包括形成鳍片于基板之上，其中此鳍片包括具有不同半导体材料的第一半导体层及第二半导体层，并且此鳍片包括通道区及源极/漏极区；形成虚设栅极结构于此基板及此鳍片之上；于此源极/漏极区中蚀刻此鳍片的一部分；于此鳍片的此通道区中选择性去除此第二半导体层的边缘部分使得此第二半导体层被凹蚀，并且此第一半导体层的边缘部分被悬置；对此第一半导体层执行回流工艺以形成内部间隔物，其中此内部间隔物形成于此鳍片的此源极/漏极区的侧壁表面；以及外延成长源极/漏极部件于此源极/漏极区中。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201910753797.5在审
发明人：陈振隆;奧野泰利;蔡邦彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：一种半导体装置的制作方法，包括形成半导体装置中的外延的源极/漏极结构的方法，包括提供基板，且基板包括自基板延伸的多个鳍状物。在一些实施例中，形成衬垫层于鳍状物上。图案化衬垫层以露出第一区中的鳍状物的第一组鳍状物。在一些实施例中，形成第一外延层于露出的第一组鳍状物上，并形成阻障层于第一外延层上。之后可移除图案化的衬垫层。在多种例子中，选择性形成第二外延层于第二区中的鳍状物的第二组的鳍状物上。
半导体装置制作方法

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