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[发明专利]集成芯片和制造集成芯片的方法-CN202210026168.4在审
发明人： 蒋昕志;林东阳;柳瑞兴;雷明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的各个实施例针对集成芯片。集成芯片包括：半导体衬底，具有位于处理衬底上面的器件衬底以及设置在器件衬底和处理衬底之间的绝缘层。栅电极位于漏极区域和源极区域之间的器件衬底上面。导电通孔延伸穿过器件衬底和绝缘层以接触处理衬底。第一隔离结构设置在器件衬底内并且包括横向设置在栅电极和导电通孔之间的第一隔离段。接触区域设置在第一隔离段和导电通孔之间的器件衬底内。导电栅电极直接位于第一隔离段上面并且电耦接至接触区域。本申请的实施例还涉及制造集成芯片的方法。
集成芯片制造方法

[发明专利]具有并联电阻器的高压器件-CN202110374038.5在审
发明人：霍克孝;蒋昕志;陈奕寰;蔡俊琳;陈益民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：高压半导体器件包括：设置在衬底中的具有第一导电类型的源极和具有第一导电类型的漏极；第一介电组件，设置在源极和漏极之间的衬底的表面上；漂移区，设置在衬底中，其中，漂移区具有第一导电类型；第一掺杂区，具有第二导电类型并且设置在介电组件下方的漂移区内，第二导电类型与第一导电类型相反；第二掺杂区，具有第二导电类型并且设置在漂移区内，其中，第二掺杂区至少部分地围绕源极和漏极中的一个；电阻器，直接设置在介电组件上；以及栅极，直接设置在介电组件上，其中，栅极电连接至电阻器。本发明的实施例还涉及具有并联电阻器的高压器件。
具有并联电阻器高压器件

[发明专利]具有电流增益的超高压静电放电保护器件-CN201410026856.6有效
发明人： 蒋昕志;林东阳;柳瑞兴;雷明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有电流增益的超高静电放电保护器件。一种被配置为增大电流增益的半导体器件包括具有第一导电类型的半导体衬底。该器件还包括具有第二导电类型的第一半导体区。该器件还包括位于第一半导体区中并具有第一导电类型的第二半导体区。该器件又包括位于第一半导体区中并具有第二导电类型的第三半导体区。该器件还包括位于第一半导体区外部并具有第一导电类型的第四半导体区。该器件还包括位于第一半导体区外部、邻近第四半导体区并具有第二导电类型的第五半导体区。该器件又包括电连接至第三半导体区的第一电极。该器件还包括电连接至第四半导体区和第五半导体区的第二电极。
具有电流增益超高压静电放电保护器件

[发明专利]具有穿过埋氧层的漏极侧接触件的半导体器件-CN201410032859.0有效
发明人：林东阳;蒋昕志;柳瑞兴;雷明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种被配置为提供高散热性并提高击穿电压的半导体器件，该半导体器件包括衬底、位于衬底上方的埋氧层、在衬底中位于埋氧层下方的掩埋n+区域以及位于埋氧层上方的外延层。外延层包括p阱、n阱以及介于p阱和n阱之间的漂移区。该半导体器件还包括源极接触件、将源极接触件电连接至p阱的第一电极、以及位于p阱的一部分和漂移区的一部分的上方的栅极。该半导体器件还包括漏极接触件和从漏极接触件延伸穿过n阱并穿过埋氧层到达掩埋n+区域的第二电极。第二电极将漏极接触件电连接至n阱和掩埋n+区域。本发明还提供了具有穿过埋氧层的漏极侧接触件的半导体器件。
具有穿过埋氧层漏极侧接触半导体器件

[发明专利]物联网中的传感器及其制造方法-CN201610867497.6有效
发明人：雷明达;朱家骅;蒋昕志;陈东村;郑钧文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明的一些实施例提供了一种物联网中的气体传感器。气体传感器包括：衬底；设置在衬底的上方的导体；以及设置在导体的上方的感测膜。导体具有包括多个开口的顶视图图案，开口的最小尺寸小于约4微米，并且周界围绕开口。本发明的一些实施例提供了一种制造气体传感器的方法。该方法包括接收衬底；在衬底的上方形成导体；通过蚀刻操作来图案化导体以在导体中形成多个开口，以及在导体上方形成气体感测膜。开口以重复图案布置，并且开口的最小尺寸为大约4微米。
联网中的传感器及其制造方法

[实用新型]高压线路外力破坏智能防控系统-CN201621208720.8有效
发明人：张涛;刘博;王雷;梁皓;张红婷;邓淮;蒋昕志;郑宇健 -专利权人：国网四川省电力公司广元供电公司;国家电网公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： G08B13/181 文献下载
摘要：本实用新型公开了高压线路外力破坏智能防控系统，包括LED显示屏、音频模块，还包括第一测距传感器、第二测距传感器、控制器、图像采集装置、无线通信模块，所述第一测距传感器的量程大于所述第二测距传感器的量程；所述第一测距传感器、第二测距传感器的输出端分别连接至控制器的接收端，所述控制器的输出端分别连接至LED显示屏、音频模块、图像采集装置，所述图像采集装置的输出端连接至所述无线通信模块。本实用新型的目的在于提供高压线路外力破坏智能防控系统，以解决现有技术中对电网附近的施工器械警示效果有限的问题，实现对进入危险区域内的施工器械进行两级警示的目的。
高压线路外力破坏智能系统

[实用新型]一种便于清洁的电缆沟结构-CN201420632434.9有效
发明人：谈韬;李仕俊;李峥嵘;谭显萍;邱淑清;张苏华;刘博;蒋昕志;张涛;刘芋君 -专利权人：国家电网公司;国网四川省电力公司广元供电公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H02G9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于清洁的电缆沟结构，所述结构包括：电缆沟主体，N个电缆支架，第一挡板，所述第一挡板位于所述电缆沟主体左侧电缆支架的上方，所述第一挡板一端与所述电缆沟主体左侧内壁连接，另一端与第一收集槽连接，第二挡板，所述第二挡板位于所述电缆沟主体右侧电缆支架的上方，所述第二挡板一端与所述电缆沟主体右侧内壁连接，另一端与第二收集槽连接，隔网，所述格网位于所述电缆沟主体下端面上方，所述格网下方设有排水沟，电缆沟盖，所述电缆沟盖与所述电缆沟主体上端面连接，现了电缆沟设计合理，不容易淤积杂质，并且清扫方便，不容易形成积水、积油，能对电缆进行有效保护的技术效果。
一种便于清洁电缆沟结构

[实用新型]专用于运送变压器的系统-CN201320531944.2有效
发明人：谈韬;苏俊;史必胜;蒋昕志;易大忠;郑宇健;刘芋君 -专利权人：国家电网公司;国网四川省电力公司广元供电公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： B65G7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种专用于运送变压器的系统，包括支撑板，所述支撑板的下方设置有两根相互平行的导轨，每一根导轨和支撑板之间均设置有若干个滚轮，滚轮的端面设置有安装套，安装套与支撑板连接，滚轮设置在安装套内部，滚轮的端面上设置有滚轴，滚轴的两端穿过滚轮后均与安装套连接，滚轮能够绕着滚轴转动，滚轮的轮面和对应的导轨接触，且滚轮能够沿着导轨移动；支撑板的顶端面上设置有固定机构。该系统的结构简单，利用导轨小车的形式，将变压器进行短距离的运输，运输方便，而且运输的成本低，既能够降低人力运输的劳动强度，也避免了安装吊装设备的复杂性，快捷而且方便，同时导轨能够进行延长，从而使得变压器能够运输的范围增大。
专用运送变压器系统

[发明专利]电源供应器控制器的微调电路-CN201110215212.8无效
发明人：吕瑞鸿;邰翰忠;蒋昕志 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：电源供应器控制器的微调电路，包括：一控制电路；至少一电容式可程序化电路连接；以及一开关电路，受控于该控制电路，该开关电路将该电容式可程序化电路连接选择性耦接至一操作电压及一程序化电压的任一者，以决定该电容式可程序化电路连接的一程序化状态。
电源供应控制器微调电路

[发明专利]半导体装置-CN201010507028.6有效
发明人： 蒋昕志;邰翰忠 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明是一种半导体装置。此半导体包括一基板、一VDMOS、一JFET、一第一电极、一第二电极、一第三电极、以及一第四电极。VDMOS被形成于基板上。JFET被形成于基板上。其中，第一电极、第二电极、以及第三电极连接至VDMOS，并且分别被用来当成VDMOS的一第一栅极电极、一第一漏极电极、以及一第一源极电极。第二电极、第三电极、以及第四电极连接至JFET，并且分别被用来当成VDMOS的一第二漏极电极、一第二栅极电极、以及一第二源极电极。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及构成半导体结构的方法-CN201010000787.3有效
发明人： 蒋昕志;邰翰忠 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置以及构成半导体结构的方法，该半导体装置包括基底、深井区、以及第一高端装置。基底具有第一传导型态。深井区具有第二传导型态，且形成在基底上。第一高端装置配置在深井区内，且包括隔离层、井区、第一区域、第二区域、以及第一多晶硅材料。隔离层具有第二传导型态且形成在基底。井区具有第一传导型态且形成在深井区内。第一区域及第二区域皆具有第二传导型态且皆形成在井区内。第一多晶硅材料配置在第一区域与第二区域之间且在深井区上。
半导体装置以及构成结构方法

[发明专利]半导体结构-CN201010169798.4有效
发明人：邰翰忠;蒋昕志 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种半导体结构。半导体结构包括一基板、一第一深井、一二极管及一晶体管。第一深井形成于基板内。二极管形成于第一深井内。晶体管形成于第一深井内。其中二极管连接于第一电压，晶体管连接于第二电压，且二极管与晶体管串联。
半导体结构

[发明专利]高压侧半导体结构-CN201010118974.1有效
发明人：邰翰忠;蒋昕志 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种高压侧半导体结构。高压侧半导体结构包括一基板、一第一深井、一第二深井、一第一主动组件、一第二主动组件及一掺杂井。第一深井及第二深井形成于基板内。其中第一深井及第二深井具有相同的离子掺杂型态。第一主动组件及第二主动组件分别形成于第一深井及第二深井内。掺杂井形成于基板内，并形成于第一深井及第二深井之间。掺杂井、第一深井及第二深井相互分开，且第一深井及第二深井与掺杂井具有互补的离子掺杂型态。
高压半导体结构

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