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[实用新型]一种ALD基片架运输小车-CN202223220167.8有效
发明人： 董黄华;崔国东 -专利权人：光驰半导体技术（上海）有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B62B3/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及真空镀膜技术领域，尤其是一种ALD基片架运输小车，所述运输小车的底座与其升降平台之间设置有可伸缩的多段式立柱，设置在所述升降平台上的所述装载小车可在所述多段式立柱的驱动下升降，所述运输小车上设置有控制装置，所述控制装置连接控制所述多段式立柱的动作状态。本实用新型的优点是：能高稳定自动升降，实现不同设备不同高度装载平台间流转、单一设备不同高度的稳定装载，或者对装载高度超过人体工程学高度时，能稳定升降到合适高度。
一种 ald 基片架运输小车

[实用新型]一种ALD基片架装载小车-CN202223220790.3有效
发明人： 董黄华;崔国东 -专利权人：光驰半导体技术（上海）有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B65G35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及真空镀膜技术领域，尤其是一种ALD基片架装载小车，包括小车底座、基片架承载平台和按压把手，所述基片架承载平台设置在所述小车底座上且两者之间设置有导向机构，所述按压把手通过杠杆机构与所述基片架承载平台连接，所述基片架承载平台在所述按压把手的驱动下在所述小车底座之上升降。本实用新型的优点是：手动按压升降装载小车，解决大装载量基片架，人工无法平稳安全搬运及避免处于高温的基片架人工搬运可能带来的人身伤害；通过按压手柄带动杠杆，杠杆翘起装载小车装载平台，此装载平台安装四根导柱，受导柱导引限制，平台能实现上下同步平稳运动，保证基片架在搬运过程中的稳定性。
一种 ald 基片架装载小车

[实用新型]一种原子层沉积设备工艺尾气粉尘自沉淀的过滤处理系统-CN202223220787.1有效
发明人： 董黄华;崔国东 -专利权人：光驰半导体技术（上海）有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B01D5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及原子层沉积设备（ALD）工艺尾气处理技术领域，尤其是一种原子层沉积设备工艺尾气粉尘自沉淀的过滤处理系统，包括冷凝罐桶，所述冷凝罐桶的一端设置有进气管道，另一端设置有出气管道，在所述冷凝罐桶的内部固定设置有多块冷凝导流板，所述多块冷凝导流板在所述冷凝罐桶内构成曲折气流通道，所述曲折气流通道的一端连通至所述进气管道，另一端连通至所述出气管道。本实用新型的优点是：让ALD工艺尾气粉尘更多截留下来的同时不堵塞排气管道，从而延长工艺维护周期，同时降低设备投入成本,进一步降低后端尾气处理的成本及环境的污染；使ALD工艺尾气热气流充分通过结构设计过的冷凝导流板自反应后使粉尘大量自沉淀，保证过滤处理效果。
一种原子沉积设备工艺尾气粉尘沉淀过滤处理系统

[实用新型]一种原子层沉积镀膜设备的化学源导入系统-CN202021516756.9有效
发明人：崔国东;戴秀海;余海春;董黄华;魏晓庆 -专利权人：光驰科技（上海）有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜制备技术领域，尤其是一种原子层沉积镀膜设备的化学源导入系统，所述化学源导入系统包括若干化学源导入管路和阀座底板，所述若干化学源导入管路通过气体导入法兰安装在所述阀座底板上，在所述阀座底板上设置有阀座底板加热器，位于所述气体导入法兰真空侧的所述化学源导入管路的外围另设置有真空侧加热器；所述阀座底板加热器和所述真空侧加热器联合对所述化学源导入管路进行多段加热。本实用新型的优点是：实现多种化学源的同时导入，并且不会造成冷凝；对每种化学源进行多段式加热，进一步缩短工艺循环的时间；保证原子层沉积镀膜工艺成膜效果，避免产品存在成膜颗粒的问题，提高产品质量。
一种原子沉积镀膜设备化学导入系统

[实用新型]一种原子层沉积镀膜设备的上下片系统-CN202021518755.8有效
发明人：崔国东;戴秀海;余海春;魏晓庆;董黄华 -专利权人：光驰科技（上海）有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜制备技术领域，尤其是一种原子层沉积镀膜设备的上下片系统，其特征在于：包括工艺真空室以及成膜室，其中所述成膜室位于所述工艺真空室的内部，在所述工艺真空室的底部下方设置有载入载出室，所述载入载出室与所述成膜室之间构成连通，所述载入载出室内设置有用于上下片的载台，所述载台连接有升降机构并可在其驱动下沿高度方向自所述载入载出室进出所述内腔成膜室，实现上下片。本实用新型的优点是：能够保证成膜工艺时的密闭性，同时避免微小颗粒物掉落至产品上，从而有效保证产品质量；热量散失小，减少再加热所需的时间和效能，从而缩短成膜工艺所需的整体时间，提高经济性；结构简单，合理，且便于后期的检修维护，适于推广。
一种原子沉积镀膜设备下片系统

[实用新型]一种可适时调节磁场角度的孪生旋转溅射阴极装置-CN202021643957.5有效
发明人：靳伟;陈建飞;董黄华 -专利权人：光驰科技（上海）有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜制备技术领域，尤其是一种可适时调节磁场角度的孪生旋转溅射阴极装置，其特征在于：包括外部旋转阴极装置和内部旋转磁棒装置，其中所述内部旋转磁棒装置包括磁棒及与所述磁棒独立连接的磁棒旋转控制装置，所述磁棒旋转控制装置连接驱动所述磁棒旋转，所述外部旋转阴极装置包括套设在所述磁棒外围的靶管及与所述靶管相连接的靶管旋转控制装置，所述靶管旋转控制装置连接驱动所述靶管旋转。本实用新型的优点是：1)在旋转阴极结构中加入了磁棒的旋转，实现靶材的保护及成膜均匀性的控制；2)成膜工艺变得更加灵活；3)有效的解决了平行于阴极方向有曲度的工件的膜层的均匀沉积问题；4)有效的解决了预溅射问题。
一种适时调节磁场角度孪生旋转溅射阴极装置

[发明专利]一种原子层沉积镀膜设备的上下片系统-CN202010736909.9在审
发明人：崔国东;戴秀海;余海春;魏晓庆;董黄华 -专利权人：光驰科技（上海）有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其是一种原子层沉积镀膜设备的上下片系统，其特征在于：包括工艺真空室以及成膜室，其中所述成膜室位于所述工艺真空室的内部，在所述工艺真空室的底部下方设置有载入载出室，所述载入载出室与所述成膜室之间构成连通，所述载入载出室内设置有用于上下片的载台，所述载台连接有升降机构并可在其驱动下沿高度方向自所述载入载出室进出所述内腔成膜室，实现上下片。本发明的优点是：能够保证成膜工艺时的密闭性，同时避免微小颗粒物掉落至产品上，从而有效保证产品质量；热量散失小，减少再加热所需的时间和效能，从而缩短成膜工艺所需的整体时间，提高经济性；结构简单，合理，且便于后期的检修维护，适于推广。
一种原子沉积镀膜设备下片系统

[发明专利]一种可适时调节磁场角度的孪生旋转溅射阴极装置-CN202010795093.7在审
发明人：靳伟;陈建飞;董黄华 -专利权人：光驰科技（上海）有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其是一种可适时调节磁场角度的孪生旋转溅射阴极装置，其特征在于：包括外部旋转阴极装置和内部旋转磁棒装置，其中所述内部旋转磁棒装置包括磁棒及与所述磁棒独立连接的磁棒旋转控制装置，所述磁棒旋转控制装置连接驱动所述磁棒旋转，所述外部旋转阴极装置包括套设在所述磁棒外围的靶管及与所述靶管相连接的靶管旋转控制装置，所述靶管旋转控制装置连接驱动所述靶管旋转。本发明的优点是：1)在旋转阴极结构中加入了磁棒的旋转，实现靶材的保护及成膜均匀性的控制；2)成膜工艺变得更加灵活；3)有效的解决了平行于阴极方向有曲度的工件的膜层的均匀沉积问题；4)有效的解决了预溅射问题。
一种适时调节磁场角度孪生旋转溅射阴极装置

[发明专利]一种原子层沉积镀膜设备的化学源导入系统-CN202010739150.X在审
发明人：崔国东;戴秀海;余海春;董黄华;魏晓庆 -专利权人：光驰科技（上海）有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其是一种原子层沉积镀膜设备的化学源导入系统，所述化学源导入系统包括若干化学源导入管路和阀座底板，所述若干化学源导入管路通过气体导入法兰安装在所述阀座底板上，在所述阀座底板上设置有阀座底板加热器，位于所述气体导入法兰真空侧的所述化学源导入管路的外围另设置有真空侧加热器；所述阀座底板加热器和所述真空侧加热器联合对所述化学源导入管路进行多段加热。本发明的优点是：实现多种化学源的同时导入，并且不会造成冷凝；对每种化学源进行多段式加热，进一步缩短工艺循环的时间；保证原子层沉积镀膜工艺成膜效果，避免产品存在成膜颗粒的问题，提高产品质量。
一种原子沉积镀膜设备化学导入系统

[实用新型]一种真空镀膜用耐高温的接近式传感器-CN201920188333.X有效
发明人： 董黄华 -专利权人：光驰科技（上海）有限公司
申请日： 2019-02-04 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G01D5/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及传感器技术领域，尤其涉及一种真空镀膜用耐高温的接近式传感器，包括外壳、电缆及电路板，所述电路板设置在所述外壳内，在所述外壳内填充有真空隔绝层，所述真空隔绝层封堵于所述外壳的开口端，所述电缆的一端与所述电路板相连，另一端穿过所述真空隔绝层至外，所述外壳为耐腐蚀低真空放气率的金属外壳，所述电路板为集成电路板，所述电缆为耐高温低真空放气率的电缆。本实用新型的优点是：结构简单，电路板及耐高温的电缆不会被烧坏；避免了金属外壳的内腔及内腔里的电路板及电缆向真空释放气体，确保真空度满足要求；电路板及电缆稳固在金属外壳内腔里，增加结构的稳定性；线圈体积小，确保线圈产生的交变磁场能穿透金属面。
电路板电缆耐高温真空隔绝层接近式传感器本实用新型金属外壳真空镀膜低真空放气率内腔传感器技术领域金属外壳内腔烧坏集成电路板交变磁场真空释放金属面开口端耐腐蚀体积小封堵填充穿透穿过稳固

[发明专利]一种真空镀膜用耐高温的接近式传感器-CN201910109153.2在审
发明人： 董黄华 -专利权人：光驰科技（上海）有限公司
申请日： 2019-02-04 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G01D5/20 文献下载
摘要：本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种真空镀膜用耐高温的接近式传感器，包括外壳、电缆及电路板，所述电路板设置在所述外壳内，在所述外壳内填充有真空隔绝层，所述真空隔绝层封堵于所述外壳的开口端，所述电缆的一端与所述电路板相连，另一端穿过所述真空隔绝层至外，所述外壳为耐腐蚀低真空放气率的金属外壳，所述电路板为集成电路板，所述电缆为耐高温低真空放气率的电缆。本发明的优点是：结构简单，电路板及耐高温的电缆不会被烧坏；避免了金属外壳的内腔及内腔里的电路板及电缆向真空释放气体，确保真空度满足要求；电路板及电缆稳固在金属外壳内腔里，增加结构的稳定性；线圈体积小，确保线圈产生的交变磁场能穿透金属面。
电路板电缆耐高温真空隔绝层接近式传感器金属外壳真空镀膜低真空放气率内腔传感器技术领域金属外壳内腔烧坏集成电路板交变磁场真空释放金属面开口端耐腐蚀体积小封堵填充穿透穿过稳固

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