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[发明专利]一种小型化盆式绝缘子表面电荷分布同步测量装置及方法-CN201810409454.2有效
发明人：周旭东;王文杰;林莘;张震;葛凡;温苗;翟芷萱;李晓龙 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明一种小型化盆式绝缘子表面电荷分布同步测量装置及方法，包括：筒状主罐体，筒状主罐体下端固接有下盖板，其上端搭接有第一盆式绝缘子，下盖板上插设支撑杆和第一导杆，第一导杆上端的绝缘块插设有第一电极，第一电极上方吊设有第二电极，在第一、第二电极之间设置有第二盆式绝缘子，第二盆式绝缘子的外缘搭接于金属圆筒的内壁，筒状主罐体侧壁设置有第二导杆和第三导杆，第二导杆和第三导杆位于筒状主罐体内的一端端部分别设置有第一探头和第二探头。可以实现对盆式绝缘子样件凹凸两面的表面电荷同步测量，改善了现阶段多数实验装置单次实验只能测量盆式绝缘子单面表面电荷的问题，可以避免两次实验带来测量结果的误差。
一种小型化绝缘子表面电荷分布同步测量装置方法

[发明专利]一种小型化盆式绝缘子表面电荷三维测量装置及方法-CN201810409765.9有效
发明人：周旭东;葛凡;林莘;张震;王文杰;杨明智;温苗;李晓龙 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：本发明一种小型化盆式绝缘子表面电荷三维测量装置及方法，包括：筒状主罐体，筒状主罐体下端固接有下盖板，其上端搭接有第一盆式绝缘子，下盖板上插设支撑杆和第一导杆，第一导杆上端的绝缘块插设有第一电极，第一电极上方吊设有第二电极，在第一、第二电极之间设置有第二盆式绝缘子，第二盆式绝缘子的外缘搭接于金属圆筒的内壁，筒状主罐体一侧设置有第二导杆，第二导杆位于筒状主罐体内的一端端部设置有探头，探头通过数据线顺次连接静电位计、单片机及计算机。可实现小型化盆式绝缘子凹面的表面电荷测量，改善了现阶段多数实验装置不能够测量小型化绝缘子凹面表面电荷的问题，且同时本测量装置也可以进行小型化盆式绝缘子凸面的表面电荷测量。
一种小型化绝缘子表面电荷三维测量装置方法

[发明专利]一种聚合物表面电荷与陷阱能级特性测量装置及方法-CN201810575555.7有效
发明人：厉伟;林莘;王文杰;葛凡;周旭东;李晓龙;温苗;翟芷萱 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：本发明提供一种聚合物表面电荷与陷阱能级特性测量装置及方法，涉及固体绝缘材料的表面电荷测量技术领域。测量装置包括高压电源、保护电阻、低压电源、密闭气室、高压充电装置和电位测量装置。测量方法首先高压电源通过保护电阻连接针电极，栅电极连接低压电源，对绝缘材料试样薄片进行电荷注入，充电结束后断开电源，利用探头运动导杆使探头移至试样上方，配合旋转连接导杆的旋转带动试样实现对试样的全平面电位测量，并绘制电位随消散时间的变化曲线，运用数学公式计算分析气固交界面的电荷陷阱能级分布。本发明可适用于不同电压形态类型、不同固体绝缘材料、不同绝缘气体下的气固交界面的表面电荷测量和陷阱能级分布研究，测量范围广泛。
一种聚合物表面电荷陷阱能级特性测量装置方法

[发明专利]一种绝缘子闪络后表面电流测量装置及其控制方法-CN201810600377.9有效
发明人：林莘;翟芷萱;温苗;高佳;杨明智;葛凡;李晓龙 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R1/36 文献下载
摘要：本发明属于高压直流闪络测量领域，具体涉及一种绝缘子闪络后表面电流测量装置及其控制方法，所述装置包括：盆式绝缘子、高压引入端、均压环、金属罐体、电极组、电流表连接流体、电流表、运动导杆和地线；所述方法包括以下步骤：1)形成所述待测绝缘子试样8的升压回路；2)进行匀速升压过程，直至待测绝缘子试样进入闪络过程；3)闪络过程完成后，形成测量回路；4)对待测绝缘子试样的闪络后表面电流进行实时、精确的监测。本发明可以在升压过程与闪络发生过程中隔离电流表，防止闪络发生时测量回路中产生的瞬间大电流将电流表损坏或造成读数不准。
一种绝缘子闪络后表面电流测量装置及其控制方法

[发明专利]一种电热复合场下绝缘子沿面闪络特性实验装置及方法-CN201810569209.8有效
发明人：林莘;葛凡;厉伟;周旭东;王文杰;李晓龙;温苗;翟芷萱 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：一种电热复合场下绝缘子沿面闪络特性实验装置及方法，属于高电压设备实验技术领域。该装置包括封闭气室、高压套管、均压环、保护电阻、阻容分压器、高压电源、二次分压箱和示波器，本发明采用多个温度传感器控制油温，并自动控制加热装置和油泵的输出功率，保证储油箱中的油和盆式绝缘子的高压电极端和低压电极端达到需要的温度，避免高压操作带来的危险，本发明可以增加实验条件，有一定的通用性。
一种电热复合绝缘子沿面闪络特性实验装置方法

[外观设计]全自动环切机-CN202230744067.1有效
发明人：曹彩霞;于光明;孙志超;周鑫;葛凡 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：全自动环切机。2.本外观设计产品的用途：用于TAIKO工艺下的半导体晶圆的全自动外环去除，适用于特定半导体等材料。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
全自动环切机

[发明专利]太鼓晶圆处理方法-CN202311127770.8在审
发明人：高阳;王永强;葛凡;张宁宁;孙志超 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示了太鼓晶圆处理方法，其在冲洗和吹气时，先对切割道及其内区域进行处理，再全尺寸处理，这样能够使切割道及其内区域的脏污先移动到边缘位置并在高速离心力作用下与太鼓晶圆分离，同时可以保证切割道及其内区域被重点清洗，在切割道及其内区域处理时，使摆臂的摆动速度低于正常冲洗和吹气时的摆动速度以及使太鼓晶圆的转速高于正常冲洗和吹气时的速度，更低的摆动速度能够有效增加将杂物、积水从空隙中带走的概率，而更高地转速也使离心分离的效果更佳，从而有效地提高了清洗质量。相对于单独水冲，采用水气二流体的冲洗效果更佳；通过上述多种方式的结合，从而有效保证不同状态太鼓晶圆的清洗质量。
太鼓晶圆处理方法

[发明专利]半导体器件加工设备-CN202311005113.6在审
发明人：葛凡;高阳;孙志超;张宁宁;曹伟 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明揭示了半导体器件加工设备，包括上下料机构，所述上下料机构中设置多个工件箱并使多个工件箱可以移动，从而当一个工件箱中的待加工晶圆全部进入去环机构且需要将另一待加工晶圆输入去环机构时，可以通过其他的工件箱进行供料，而不需要立即更换工件箱，从而可以使前一工件箱供应的待加工晶圆在完成去环后再次回到原工件箱中，有效保证了晶圆与工件箱的匹配关系，有利于企业的加工管理。
半导体器件加工设备

[发明专利]晶圆清洗方法、装置及晶圆加工设备-CN202311076904.8在审
发明人：张宁宁;王永强;葛凡 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2023-08-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示了晶圆清洗方法、装置及晶圆加工设备，其中，晶圆清洗方法将晶圆固定于真空吸附台上，清洗时，能够通过晶圆的转动与清洗机构配合，充分保证了晶圆顶面的全覆盖清洗，同时，第一清洗机构采用二流体水进行清洗，相对于单独用水或清洗液的清洗效果更好，并且在二流体水清洗后，进一步通过擦洗件与清洗液结合来对晶圆进行擦洗，有效避免了晶圆划伤的风险，同时相对于冲洗，擦洗的清洗质量更佳，并且使擦洗件的长度覆盖晶圆的晶圆材料本体能够有效地提高擦洗效率，保证擦洗时充分覆盖晶圆材料本体的顶面，擦洗后通过二流体水再次冲洗及干燥，有效保证了清洗质量达到要求。
清洗方法装置加工设备

[发明专利]太鼓晶圆对中确定方法及太鼓晶圆切割方法-CN202310692463.8有效
发明人：葛凡;张宁宁;孙志超;曹伟;陈丛余 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本发明揭示了太鼓晶圆对中确定方法及太鼓晶圆切割方法，其中太鼓晶圆对中确定方法在通过四孔对中法判断太鼓晶圆是否对中的过程中，确定存在异常孔位，则通过图像识别在晶圆主体的正常边缘上找到预定数量的位于四个通孔外的部分的点位并确定其对应的第二边缘坐标；在异常孔位处采集的图像均未识别到晶圆主体的正常边缘；预定数量与异常孔位的数量一致，根据第二边缘坐标及第一边缘坐标确定太鼓晶圆是否对中。本方法在识别异常时，通过对晶圆主体的正常边缘上位于四个通孔外的部分进行识别并获取所需的第二边缘坐标及结合第一边缘坐标进行太鼓晶圆是否对中的判断，避免了由于大破损缺口导致的误判问题，为破损太鼓晶圆的自动环切创造了条件。
太鼓晶圆确定方法切割

[发明专利]一种高耐温浸渍树脂、制备方法及其用途-CN202310607918.1在审
发明人：葛凡;冉涛;杨李懿;马苗;李艳飞;符开斌 -专利权人：浙江荣泰科技企业有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C08G63/685 文献下载
摘要：本申请涉及绝缘浸渍材料制备技术领域，尤其是一种高耐温浸渍树脂、制备方法及其用途。一种高耐温浸渍树脂，主要是由以下重量份的原料制成：10‑20份的1，3，5‑三(3‑异氰酸根甲基苯基)‑1，3，5‑三嗪‑2，4，6(1H，2H，5H)‑三酮、20‑30份的芳香族二元酸类物质、10‑20份的马来酸酐、15‑50份的二元醇类物质、0.001‑0.1份的阻聚剂、20‑60份的活性稀释剂。本申请具有优良的耐热性能和绝缘性能，同时在高温下具有优异的机械性能和耐化学品性能。
一种耐温浸渍树脂制备方法及其用途

[发明专利]晶圆上料方法、晶圆加工方法及晶圆加工设备-CN202310996325.9在审
发明人：高阳;曹伟;孙志超;葛凡 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明揭示了晶圆上料方法、晶圆加工方法及晶圆加工设备，其中晶圆上料方法通过检测装置来确定待加工晶圆的晶圆主体是否贴偏，并在确定待加工晶圆的晶圆主体贴偏时，根据晶圆主体的圆心偏差来调节待加工晶圆在预对准机构上的位置以及调节工作台的位置，从而使晶圆主体与工作台处于同心状态，这样能够有效避免晶圆主体贴偏时，通过对中机构调整容易对晶圆主体造成伤害以及无法保证晶圆主体与工作台处于同心状态的问题，同时，这种方法能够有效地省去通过对中机构调整的过程，简化了作业流程，效率更高，并且可以省去对中机构，有利于简化结构。
晶圆上料方法加工设备

[发明专利]料盒更换方法、料盒更换小车及晶圆供料系统-CN202311001336.5在审
发明人：葛凡;高阳;孙志超;周鑫;王永强;陈丛余 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明揭示了料盒更换方法、料盒更换小车及晶圆供料系统，其中，料盒更换方法通过在地面或平台上移动的料盒更换小车来进行料盒的自动更换，料盒更换小车可以直接携带装有待去环晶圆的第一料盒移动到供料回收装置进行更换，其更换动作更简单，效率更高，并且采用料盒更换小车能够有效地满足多层料盒的更换需要，适用范围更广；同时，料盒更换小车在更换料盒时能够充分利用现有去环过程中在等待上料到下料期间的较长时间实现一次性更换，与去环作业的契合度更高，避免了对现有去环动作的干涉。
更换方法小车供料系统

[发明专利]晶圆环切方法、系统及设备-CN202310969829.1在审
发明人：张宁宁;杨云龙;高阳;孙志超;葛凡 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明揭示了晶圆环切方法、系统及设备，其中方法包括S10，通过图像识别确定环切台上的晶圆是否对准，在确定晶圆对准时，获取预定对准坐标；S20，根据所述预定对准坐标确定第一主轴上的第一切刀的切割起点位置和第二主轴上的第二切刀的切割起点位置；S30，根据确定的第一切刀和第二切刀的切割起点位置控制所述第一切刀和第二切刀同时进行后续切割；S40,根据所述第一切刀和第二切刀的切割起点位置及插补计算控制所述第一切刀和第二切刀同时进行后续切割。本发明两个切割机构同时切割，提高了切割效率，提供的切割位置计算方法为两个切割机构同时切割创造了基础条件，提高了两个切割机构同时切割的位置匹配性和精度。
圆环方法系统设备

[发明专利]边缘坐标获取方法、晶圆对准识别方法及晶圆环切方法-CN202310692468.0有效
发明人：高阳;葛凡;张宁宁;孙志超;曹伟;王永强 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明揭示了边缘坐标获取方法、晶圆对准识别方法及晶圆环切方法，其中坐标获取方法在根据四点对准法获取图像采集坐标的过程中，对于图像采集装置在一通孔处采集的一张图像，确定其是否满足预定条件，若否，图像采集装置的镜头光轴在通孔内移动一个位置再次进行图像采集及识别；若是，确定图像上的晶圆主体边缘是否是正常边缘，若是，获取图像采集时对应的图像采集坐标；若否，图像采集装置的镜头光轴在通孔内移动一个位置再次进行图像采集。本发明在获取到一满足预定条件的图像时，继续确定图像上的晶圆主体边缘是正常边缘时才确定该图像采集时的图像采集坐标，有效避免了获取到错误的图像采集坐标，保证了坐标获取的准确性。
边缘坐标获取方法对准识别圆环

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