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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]为改善相邻记忆胞元干扰的ONO闪存数组-CN03153598.4有效
发明人：刘慕义;叶致锴;范左鸿;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-08-18 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种为改善相邻记忆胞元干扰的ONO闪存数组，其在每一记忆胞元的信道单侧附近植入口袋或信道两侧附近植入不同浓度的口袋，使得每一记忆胞元具有不对称口袋，因而该内存数组在利用带对带程序化或抹除时，不受相邻记忆胞元的干扰，此外，亦可降低读取时相邻记忆胞元的干扰。
改善相邻记忆干扰 ono 闪存数组

[发明专利]多重位闪存的参考电流产生电路-CN02142192.7有效
发明人： 范左鸿;叶致锴;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：一种多重位闪存的参考电流产生电路，是使用相同的一推升字符线电压，来施加于不同参考电流产生单元的参考存储单元的栅极，并以施加不同的基底电压于参考存储单元的基底，来达成所需不同准位的参考电流，故可有效改善参考电流随着温度及电源电压V_CC的变化而有不同漂移的问题。
多重闪存参考电流产生电路

[发明专利]多重位闪存的参考电流产生电路-CN02142262.1有效
发明人： 范左鸿;叶致锴;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-28 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： G11C16/28 文献下载
摘要：一种多重位闪存的参考电流产生电路，使用相同的一推升字线电压，来施加于不同参考电流产生单元的一分压电路，以产生不同参考电流产生单元的参考存储单元的栅极电压，而达成所需不同准位的参考电流，故可有效改善参考电流随着温度及电源电压V_CC的变化而有不同漂移的问题。
多重闪存参考电流产生电路

[发明专利]多重位闪存的参考电流产生电路-CN02142263.X有效
发明人： 范左鸿;叶致锴;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-28 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： G11C16/28 文献下载
摘要：一种多重位闪存的参考电流产生电路，使用相同的一推升字线电压，来施加于不同参考电流产生单元的参考存储单元的栅极，并以不同的参考存储单元的网关的宽度，来达成所需不同准位的参考电流，故可有效改善参考电流随着温度及电源电压V_CC的变化而有不同漂移的问题。
多重闪存参考电流产生电路

[发明专利]降低第二位效应的氮化硅只读存储单元及其制造方法-CN02142191.9有效
发明人：叶彦宏;蔡文哲;刘慕义;詹光阳;范左鸿;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种降低第二位效应的氮化硅只读存储单元，由一基底、位于基底上的一氧化硅/氮化硅/氧化硅层、位于氧化硅/氮化硅/氧化硅层上的一栅极、位于基底中邻接栅极的源/漏极，以及位于源/漏极与氧化硅/氮化硅/氧化硅层之间邻接栅极的一浅口袋掺杂区域所组成，其中浅口袋掺杂区域的深度必需够小，以使流至源/漏极的电流不受干扰。
降低第二位效应氮化只读存储单元及其制造方法

[发明专利]双位罩幕式只读存储器的结构及其制造方法-CN02130407.6有效
发明人：刘慕义;范左鸿;詹光阳;叶彦宏;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-19 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种双位罩幕式只读存储器的结构及其制造方法，此结构包括一基底；一栅极结构，配置在部分基底上；一双位编码区，配置在栅极结构两侧边底下的基底中；至少一间隙壁，配置在栅极结构的两侧；一埋入式漏极，配置在间隙壁两侧的基底中；一掺杂区，配置在埋入式漏极与双位编码区之间的基底中，其中掺杂区的离子型态与双位编码区的离子型态相反，且掺杂区的离子浓度较双位编码区的离子浓度高；一绝缘层，配置在埋入式漏极的上方；以及一字符线，配置在相同一列的栅极结构上。
双位罩幕式只读存储器结构及其制造方法

[发明专利]氮化硅只读存储器的制造方法-CN02140799.1有效
发明人： 范左鸿;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-07-25 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅只读存储器的制造方法，在基底上形成掺杂复晶硅层，再在掺杂复晶硅层上形成一图案化罩幕层，并利用图案化罩幕层定义掺杂复晶硅层成为复晶硅线层，并暴露出部分基底。随后，施行一热处理，以在暴露出的基底与复晶硅线层侧壁上形成一层氧化层，其中复晶硅线层中的掺质会扩散到基底中形成源/漏极，并与复晶硅线层组成一位线。接着，去除图案化罩幕层，以暴露出位线的顶部，再进行一自行对准硅化金属过程，以在位线顶部形成自行对准硅化金属层。然后去除氧化层，并在基底上形成一氮化硅堆栈层以及数个字符线。
氮化只读存储器制造方法

[发明专利]掩膜式只读存储器的制造方法-CN02123233.4有效
发明人： 范左鸿;叶彦宏;詹光阳;刘慕义 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-06-13 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种掩膜式只读存储器的制造方法，此方法提供一基底，再于基底上形成掺杂导体层。接着，图案化此掺杂导体层以形成多个条状掺杂导体层，再以热氧化法于基底与条状掺杂导体层上形成介电层，并同时于条状掺杂导体层下方的基底中形成多个扩散区。然后，于介电层上形成图案化的导体层。
掩膜式只读存储器制造方法

[发明专利]双位操作的罩幕式只读存储器结构及其制造方法-CN02120485.3有效
发明人：刘慕义;詹光阳;叶彦宏;范左鸿;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-05-20 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种双位操作的罩幕式只读存储器结构及其制造方法，此存储器结构主要是由一基底、一栅极结构、一双位编码布植区、至少一间隙壁、一埋入式漏极、一绝缘结构以及一字符线所构成。其中，栅极结构配置在基底上，且双位编码布植区配置在栅极结构两侧边底下的基底中。另外，间隙壁是配置在栅极结构的两侧，且埋入式漏极配置在间隙壁两侧的基底中。因此，埋入式漏极与双位编码布植区之间具有一缓冲区。再者，绝缘结构配置在埋入式漏极上方的基底表面，且字符线是配置在栅极结构上。
操作罩幕式只读存储器结构及其制造方法

[发明专利]罩幕式只读存储器的结构-CN02120061.0有效
发明人： 范左鸿;刘慕义;詹光阳;叶彦宏;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-05-21 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种罩幕式只读存储器的结构，此结构由基底、栅极、第一掺杂区与第二掺杂区所组成的双扩散源极/漏极区、信道区、编码区、介电层、与字线所构成。其中栅极位于基底上。双扩散源极/漏极区位于栅极两侧的基底中，且第二掺杂区位于第一掺杂区外周的基底中。信道区位于双扩散源极/漏极区之间的基底中。编码区位于信道区两侧与双扩散源极/漏极区交界的基底中。介电层位于双扩散源极/漏极区之上。且字线位于介电层与栅极之上。
罩幕式只读存储器结构

[发明专利]存储器元件的制造方法-CN02119841.1有效
发明人：刘慕义;詹光阳;叶彦宏;范左鸿;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-05-15 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：一种存储器元件的制造方法，此方法是首先在一基底上依序形成一垫氧化层以及一罩幕层，其中罩幕层暴露出部分垫氧化层。接着，进行一离子植入步骤，以在未被罩幕层覆盖的基底中形成一埋入式位线。之后，于埋入式位线上方的垫氧化层上形成一抬升位线。紧接着，将罩幕层以及垫氧化层移除，再于基底与抬升位线的表面上形成一共形的栅氧化层。之后，于栅氧化层上形成一字符线。
存储器元件制造方法

[发明专利]相变化内存及其制造方法-CN02119036.4有效
发明人：刘慕义;范左鸿;詹光阳;叶彦宏;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-04-29 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种相变化内存的制造方法，适用于一半导体基底，首先于上述半导体基底上形成一N+磊晶层及一N－磊晶层。接着，于上述N+磊晶层及N－磊晶层内形成一第一浅沟道隔离结构以隔离预定的字符线区及于上述N－磊晶层内形成一第二浅沟道隔离结构以隔离预定的P+掺杂区。其次，形成及定义一绝缘层且对于部分上述N－磊晶层施行一N+掺杂以形成一电性连接上述N+磊晶层的N+掺杂区且对于上述N+磊晶层施行一P+掺杂以形成一P+掺杂区。然后，于上述N+掺杂区及上述P+掺杂区上分别形成一穿过上述绝缘层的接触插塞。最后，于各上述接触插塞上形成具有上电极、相变化层及下电极的电极。
相变内存及其制造方法

[发明专利]快闪存储器参考单元电流位阶的调整电路及方法-CN02106284.6有效
发明人：叶致锴;范左鸿;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-04-08 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种快闪存储器参考单元电流位阶的调整电路及方法，该快闪存储器含有一感测放大器以比较一快闪存储单元的单元电流与该参考单元的参考电流而产生一感测信号，该存储单元具有一闸极以接收一字元线信号电压，该参考单元具有一闸极以接收一工作点偏压，该调整电路及方法使用一分压电路从该字元线信号电压分压以产生该工作点偏压，该分压电路包括至少一快闪单元作为变阻器，一程序化/抹除电路连接该快闪存储单元及变阻器单元，以相关于该存储单元决定该变阻器单元的电阻值。以本发明的电路及方法，可以简化电路及缩减晶片面积，并且可以达到精准的GCR控制，具有精准地调整参考单元电流位阶的功效。
闪存参考单元电流调整电路方法

[发明专利]闪存阵列擦除后的调整装置及方法-CN02108457.2有效
发明人： 范左鸿;叶致锴;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-04-01 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种闪存阵列擦除后的调整装置，适用于一具有多个闪存单元的存储阵列，各自具有一控制闸极、一浮动闸极、一源极以及一汲极，包括汲极电源供应装置，恒定电流供应器，以及控制闸极电源供应装置。汲极电源供应装置用来提供一正汲极电压至闪存单元的汲极；恒定电流供应器用来提供一源极电流至闪存单元的源极；控制闸极电源供应装置用来提供一逐渐提高的闸极电压至闪存单元的控制闸极，从而控制源极电流流至闪存单元，并逐渐改变闪存单元的临界电压值。
闪存阵列擦除调整装置方法

[发明专利]虚拟接地架构的闪存-CN02108134.4无效
发明人： 范左鸿;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-03-27 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种虚拟接地架构的闪存，包括一第一型基底；形成于第一型基底的二第二型掺杂区；分别包括穿隧介电层、浮置栅、介电层、控制栅，且形成于第一型基底的表面，并位于第二型掺杂区之间的一堆栈栅极结构；一仅位于第二型掺杂区的一侧与第一型基底交界处的第一型离子植入区；二耦接于第二型掺杂区，用以选择供应既定电位以及接地电位至第二型掺杂区的切换开关。
虚拟接地架构闪存

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