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- [发明专利]闪存的制造方法-CN01129355.1有效
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范左鸿;蔡文哲;卢道政
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旺宏电子股份有限公司
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2001-06-13
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2001-12-12
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H01L21/8246
- 一种闪存的制造方法,对已形成有堆栈栅的基底,以堆栈栅为罩幕进行一浅接面掺杂步骤,在堆栈栅两侧的基底中形成浅接面掺杂区。接着,在基底上形成罩幕层,其中罩幕层覆盖在堆栈栅表面和侧壁,且裸露部分的浅接面掺杂区。然后,以罩幕层为罩幕,对基底进行深接面掺杂步骤,在罩幕层两侧的基底中形成深接面掺杂区。最后,去除罩幕层后进行一热加工,形成具有浅漏极接面以及深漏极接面的源/漏极区。
- 闪存制造方法
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