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[发明专利]一种大尺寸氟化物晶体自适应退火坩埚-CN202310623522.6在审
发明人： 苏良碧;张博;唐飞;寇华敏;钱小波;王静雅;姜大朋;张中晗 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：一种大尺寸氟化物晶体自适应退火坩埚，包括：坩埚底盘，所述坩埚底盘具有位于径向内侧的底盘内环、位于径向外侧的底盘外环和连接所述底盘内环与所述底盘外环的下自适应层；坩埚盖，所述坩埚盖具有位于径向内侧的盖内环、位于径向外侧的盖外环和连接所述盖内环与所述盖外环的上自适应层；坩埚内筒，所述坩埚内筒为由多个分瓣结构拼接组成，可活动地垂直设于所述底盘内环与所述盖内环之间；且所述坩埚内筒可沿所述内筒的径向膨胀和收缩；以及导向结构，所述导向结构用于限定所述坩埚内筒膨胀和收缩的方向。本发明能够解决晶体在退火过程中不能自由膨胀收缩而使晶体内的应力无法释放的问题。
一种尺寸氟化物晶体自适应退火坩埚

[发明专利]一种氟化物晶体位错密度的检测方法-CN202310380824.5在审
发明人： 苏良碧;张博;汤港;寇华敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明涉及晶体检测技术领域，具体涉及一种氟化物晶体位错密度的检测方法，尤其适合用于氟化钙晶体的位错密度分析。一种氟化物晶体位错密度的检测方法，所述检测方法为：(1)对所述待测氟化物晶体的待测表面进行预处理；(2)利用腐蚀混合溶液腐蚀待测氟化物晶体的待测表面，随后终止腐蚀，所述腐蚀混合溶液用于在所述待测氟化物晶体的待测表面形成腐蚀坑；(3)观察所述待测氟化物晶体的待测表面，统计所述待测氟化物晶体中的错蚀坑数量，基于所述错蚀坑的数量计算所述待测氟化物晶体的位错密度，其中所述错蚀坑为所述腐蚀坑中具有位错特性的腐蚀坑。
一种氟化物晶体密度检测方法

[发明专利]一种多工位生长板状氟化物晶体的装置及操作方法-CN202310389925.9在审
发明人： 苏良碧;姜大朋;唐飞;张中晗;寇华敏;张博;王静雅;钱小波 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种多工位生长板状氟化物晶体的装置及操作方法，所述装置包括真空腔体、升降机构、设置在所述真空腔体的多个保温机构，每个所述保温机构内设有发热器、坩埚和坩埚杆，其中，所述多个保温机构用于形成容置所述氟化物晶体的多个生长工位，所述保温机构内的发热器独立为对应保温机构内的坩埚加热；所述坩埚顺序划分为坩埚上部、坩埚中部和坩埚下部，其中坩埚上部为储料区，坩埚中部为板状结构的晶体生长区，坩埚下部为与坩埚杆固定连接的籽晶槽；所述坩埚杆顺序穿过所述保温机构和所述真空腔体的底部，多个所述坩埚杆的底部与同一升降机构固定连接。
一种多工位生长氟化物晶体装置操作方法

[发明专利]一种光学浮区法制备六方结构Ybx-CN202210241940.4在审
发明人：尚加敏;武安华;苏良碧;张中晗 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光学浮区法制备六方结构YbxIn1‑xFeO3单晶的生长方法。所述方法包括以下步骤：根据元素化学计量比称量氧化铁、氧化镱、氧化铟为原料并将其混合均匀，在800‑1200℃预烧结12‑24h，使得原料初步反应形成YbxIn1‑xFeO3而又不形成正交相；将预烧结后的材料等静压成型得到原料棒；将原料棒在1000‑1200℃烧结12‑24h，烧结过程中保持原料棒为水平状态，得到籽晶棒；将籽晶棒作为下料棒，将原料棒作为上料棒，进行晶体生长；晶体生长结束后降温，得到所述六方结构YbxIn1‑xFeO3单晶。
一种光学法制备六方结构 yb base sub

[发明专利]一种激光加热基座法生长Al2-CN202310124557.5在审
发明人：戴云;武安华;张博;寇华敏;张振;苏良碧;张中晗 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光加热基座法生长Al2O3‑YAG共晶光纤的方法，包括：(1)将Al2O3晶体和YAG晶体分别切割成长条状Al2O3和长条状YAG后合并成一体作为源棒，固定于激光加热基座馈送装置；(2)将Al2O3籽晶或YAG籽晶固定于激光加热基座提拉装置；(3)利用激光加热基座法进行Al2O3‑YAG共晶光纤的生长。
一种激光加热基座生长 al base sub

[发明专利]一种利用C方向籽晶实现CeF3-CN202211375706.7在审
发明人：吴振;武安华;张中晗;张振;苏良碧 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用C方向籽晶实现CeF3晶体定向生长的方法，包括如下步骤：a)将CeF3单晶沿晶体C轴方向进行定向切割，经滚圆后，得到轴向平行于晶体C方向的圆柱形单晶棒，作为定向生长所需的C方向籽晶；b)将CeF3粉料和氟化物除氧剂均匀混合，再经高温氟化处理，得到高温氟化处理后的混合粉料；c)将所得C方向籽晶装入石墨坩埚底部籽晶孔中，再将高温氟化处理后的混合粉料装入石墨坩埚中，随后装上坩埚盖；d)将石墨坩埚装入坩埚下降法晶体生长炉中，在真空条件下，以0.3～1mm/h的下降速度进行CeF3晶体的生长，得到C方向的CeF3晶体。
一种利用方向籽晶实现 cef base sub

[发明专利]一种稀土离子掺杂降低氟化钙晶体解理特性的方法-CN202111593196.6在审
发明人： 苏良碧;方伟;寇华敏;刘荣荣;张中晗;姜大朋 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土离子掺杂降低氟化钙晶体解理特性的方法。选用CaF2粉末作为原料，采用坩埚下降法或温度梯度法制备氟化钙晶体过程中，选用RF3作为掺杂源，通过掺杂不超过2at%的稀土阳离子R3+以降低解理效应；所述稀土离子R3+为Y3+或三价镧系元素离子=La3+～Lu3+。
一种稀土离子掺杂降低氟化钙晶体解理特性方法

[发明专利]基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置及方法-CN202310391214.5在审
发明人： 苏良碧;姜大朋;唐飞;钱小波;张振;张中晗;王静雅;张博;寇华敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置及方法，所述生长装置包括真空炉体，设于真空炉体内的环状多孔坩埚、中心单孔坩埚，附带电极的双加热体以及用于控制所述环状多孔坩埚和所述中心单孔坩埚同步升降的升降机构；所述双加热体包括外围加热体和内围加热体，所述电极包括与所述外围加热体电性连接的外围加热体电极和与所述内围加热体电性连接的内围加热体电极，所述环状多孔坩埚设置于所述外围加热体和所述内围加热体之间，所述中心单孔坩埚设置于所述内围加热体内。本申请打破了传统多孔坩埚方案孔位数量、规格尺寸的限制，实现了多规格尺寸氟化物晶体的高通量制备，降低了晶体尤其是氟化物晶体的生产成本。
基于加热坩埚下降氟化物晶体生长装置方法

[发明专利]一种具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光纤的生长方法-CN202310124558.X在审
发明人：戴云;武安华;张博;寇华敏;张振;苏良碧;张中晗 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光纤的生长方法，包括：将至少两种具有不同掺杂离子浓度的同质晶体或者陶瓷和无掺杂离子的同质晶体或者陶瓷切割成方棒；选择无掺杂离子的方棒为第一籽晶，选择掺杂第一离子浓度的方棒为第一源棒，利用激光加热基座法进行单晶光纤的一次正向生长；当掺杂第一离子浓度的单晶光纤生长至所需长度后，添加掺杂第二离子浓度的方棒作为源棒进行熔接继续单晶光纤的一次正向生长，重复N次直至每种掺杂离子的单晶光纤生长至所需长度；将所得熔接好的具有不同掺杂离子浓度的单晶光纤依次进行一次逆向生长、二次正向生长和二次逆向生长，得到具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光纤。
一种具有掺杂离子连续梯度分布光纤生长方法

[发明专利]一种GAGG系列单晶光纤及激光加热基座法制备GAGG系列单晶光纤的方法-CN202310124562.6在审
发明人：戴云;武安华;张博;寇华敏;张振;苏良碧;张中晗 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种GAGG系列单晶光纤及激光加热基座法制备GAGG系列单晶光纤的方法。所述GAGG系列单晶光纤为M元素掺杂的GAGG单晶光纤，其中M元素为稀土元素或Cr元素；所述稀土元素为Ce、Nd和Yb中至少一种；M元素的掺杂含量为0～10at％。
一种 gagg 系列光纤激光加热基座法制方法

[发明专利]一种掺杂离子可调控分布的单晶光纤及其生长方法-CN202310124559.4在审
发明人：戴云;武安华;张博;寇华敏;张振;苏良碧;张中晗 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂离子可调控分布的单晶光纤的生长方法，包括：(1)选择具有均匀掺杂离子浓度为n at％的晶体或陶瓷，以及无掺杂离子的同质晶体或陶瓷切割成方棒后，按侧面设计切线进行切割、抛光和拼接，得到第一源棒；(2)采用无掺杂离子的晶体或者陶瓷作为籽晶，将所得源棒固定于激光加热基座单晶光纤生长炉中，利用激光加热基座法进行单晶光纤的一次正向生长；(3)将一次正向生长的单晶光纤作为第二源棒进行一次逆向生长；(4)将一次逆向生长后的单晶光纤作为第三源棒进行二次正向生长；(5)二次正向生长后的单晶光纤作为第四源棒进行二次逆向生长，得到所述掺杂离子可调控分布的单晶光纤。
一种掺杂离子调控分布光纤及其生长方法

[发明专利]一种智能语音接线装置及其使用方法-CN202211735293.9在审
发明人：刘超华;李卓明;苏良碧;齐贺鹏;刘向英;张万永;蒋瑞增;柴清海;陈庆新;郑一健;娄明坤 -专利权人：中煤平朔发展集团有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01R43/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种智能语音接线装置及其使用方法，包括外壳和安装在外壳内的板载咪头、语音处理模块、语音播放模块，所述板载咪头用于接收接线语音信号，并且将接线语音信号转化为电信号，发送到语音处理模块中；所述语音处理模块电性连接有存储模块；所述存储模块中存储有每个导线的两端位置点；所述语音处理模块被配置为：处理接线信号，将接线信号对应的接线信息发送到语音播放模块中；所述语音播放模块被配置为：播放接线信号对应的接线信息。本发明使用语音控制查找导线编号，方便快捷；装置小巧便于携带，解放了双手，防止接线错乱，记忆混淆，节约了人力成本，提高了效率，使接线工人更加专注接线本身，可避免因查线导致的安全隐患。
一种智能语音接线装置及其使用方法

[发明专利]一种高质量MoBiVO4-CN202211687435.9在审
发明人：许崇磊;武磊;张博;张中晗;张振;苏良碧 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量MoBiVO4单晶材料的生长方法。具体地，采用光学浮区生长方法制备Mo:BiVO4单晶材料。通过对生长工艺包括生长速度、氧气分压、相对转速的调控，获得高质量的Mo:BiVO4晶体，并进一步提高光电极内部的载流子传输分离效率及光电转换效率。
一种质量 mobivo base sub

[实用新型]角度可调便于定向切割晶体的夹持件-CN202223253420.X有效
发明人：马桔萍;戴彦瑞;王庆国;姜大朋;苏良碧;贾健 -专利权人：上海德硅凯氟光电科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：一种角度可调便于定向切割晶体的夹持件，包括底座，在底座上安装有用于晶体放置的铁板，在铁板上设置有若干用于对晶体固定的磁性定位座；所述铁板的一侧铰接在底座上，在铁板另一侧的底座上固定安装有竖向设置的支撑柱，在支撑柱上插装有用于对铁板进行撑托的铁棒，在支撑柱上从上至下依次设置有若干与铁棒配合的插装孔；在铁板与底座铰接侧的铁板上还安装有挡板。该夹持件的结构简单，操作方便，构思新颖，实用性强，有助于降低料损，节约成本。
角度可调便于定向切割晶体夹持

[发明专利]一种提高氟化钙晶体355nm激光损伤阈值的方法-CN202211675153.7在审
发明人： 苏良碧;寇华敏;方伟;吴庆辉;张博;刘荣荣;张中晗;姜大朋 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高氟化钙晶体355nm激光损伤阈值的方法，具体涉及一种通过惰性稀土离子和镧系离子共掺提高氟化钙晶体355nm激光损伤阈值的方法。选用CaF2粉末作为原料，选用YF3和LaF3作为掺杂源，采用坩埚下降法或温度梯度法制备氟化钙晶体过程中，通过掺杂总量不超过2.0at.％的YF3和LaF3共掺以提高氟化钙晶体的损伤阈值。
一种提高氟化钙晶体 355 nm 激光损伤阈值方法

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